GBC857
描述
包装尺寸
1/2
P NP ê PITAX我AL P L ANAR牛逼RANS ISTO
该GBC857被设计用于切换和AF放大器应用，适用于自动插入在厚和薄膜电路。
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-50
-45
-5
-100
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
VBE(on)1
VBE(on)2
的hFE
fT
COB
在TA = 25 ：
分钟。
-50
-45
-5
-
-
-
-
-
-600
-
110
-
-
典型值。
-
-
-
-
-90
-250
-700
-900
-
-
-
150
-
马克斯。
-
-
-
-15
-300
-650
-
-
-750
-800
800
-
6
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-30V
IC = -10mA ， IB = -0.5mA
IC = -100mA ， IB = -5mA
IC = -10mA ， IB = -0.5mA
IC = -100mA ， IB = -5mA
VCE = -5V ， IC = -2mA
VCE = -5V ， IC = -10mA
VCE = -5V ， IC = -2mA
VCE = -5V ， IC = -10mA
VCB = -10V ， F = 1MHz时， IE = 0A
测试条件
2/2
分类的hFE的
秩
的hFE
A
110-220
B
200-450
C
420-800
特性曲线
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