GB75DA120UP
威世半导体
绝缘栅双极晶体管
（超高速IGBT ） ， 75A的
特点
不扩散核武器条约第五代IGBT技术
广场RBSOA
HEXFRED
低Q
rr
低开关能量
正V
CE （ON）的
温度COEF网络cient
完全隔离包装
SOT-227
速度8 kHz至60 kHz的
非常低的内部电感（ 5 NH典型值）
行业标准大纲
UL认证文件E78996
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
V
CES
I
C
DC
V
CE （ON）的
一般在75一25 ℃，
1200 V
75一95℃
3.3 V
好处
专为功率提高工作效率
转换： UPS ， SMPS ，焊接，感应加热
易于组装和并行
直接安装在散热器
插入式兼容其他SOT- 227封装
低EMI，需要较少的冷落
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
门到发射极电压
功耗， IGBT
符号
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
I
F
V
GE
P
D
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
任何终端的情况下， T = 1分
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
测试条件
马克斯。
1200
131
89
200
A
200
59
39
± 20
658
369
W
240
135
2500
V
V
单位
V
功耗，二极管
隔离电压
P
D
V
ISOL
文档编号： 93011
修订： 22 10年7月
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1
GB75DA120UP
威世半导体
绝缘栅双极晶体管
（超高速IGBT ） ， 75A的
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿
电压
集电极到发射极电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
阈值电压
集电极到发射极漏电流
符号
V
BR （CES）上
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
I
CES
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 250 μA
V
GE
= 15 V，I
C
= 75 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 75 A，T
J
= 125 °C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1 MA（ 25 ° C至125°C ）
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V ，T
J
= 150 °C
I
C
= 75 A，V
GE
= 0 V
I
C
= 75 A，V
GE
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GE
= ± 20 V
分钟。
1200
-
-
4
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
3.3
3.6
5
- 12
3
4
3.4
3.3
-
马克斯。
-
3.8
3.9
6
-
250
20
5.0
V
5.2
± 200
nA
毫伏/°C的
μA
mA
V
单位
正向电压降
门到发射极漏电流
V
FM
I
GES
开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
门到集电极电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
反向偏置安全工作区
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
T
J
= 150 C ，我
C
= 200 A，R
g
= 22
RBSOA
t
rr
I
rr
Q
rr
t
rr
I
rr
Q
rr
I
F
= 50 A ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，
V
R
= 200 V，T
J
= 125 °C
I
F
= 50 A ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，V
R
= 200 V
V
GE
= 15 V至0 V ，V
CC
= 900 V,
V
P
= 1200 V ， L = 500 μH
-
-
-
-
-
-
142
13
923
202
18
1818
210
16
1680
260
22
2860
ns
A
nC
ns
A
nC
Fullsquare
I
C
= 75 A，V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5
L = 500 μH ，T
J
= 125 °C
I
C
= 75 A，V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5
L = 500 μH ，T
J
= 25 °C
I
C
= 50 A，V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
能量损失
包括尾巴和
二极管恢复
（参照图18）
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
690
65
250
1.53
1.76
3.29
2.49
3.45
5.94
281
45
300
126
马克斯。
-
-
-
-
-
-
mJ
-
-
-
-
-
ns
-
-
nC
单位
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绝缘栅双极晶体管
（超高速IGBT ） ， 75A的
热和机械规格
参数
最大结点和
存储温度范围
IGBT
结到外壳
二极管
情况下每个模块下沉
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
重量
R
thJC
R
乡镇卫生院
符号
T
J
, T
英镑
分钟。
- 40
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.05
-
30
马克斯。
150
0.19
0.52
-
1.3
-
Nm
g
° C / W
单位
°C
威世半导体
允许外壳温度（ ℃）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
200
150
T
J
= 25 °C
I
C
(A)
100
T
J
= 125 °C
50
0
0
1
2
3
4
5
6
I
C
- 连续集电极电流（ A）
图。 1 - 最大DC集电极电流与
外壳温度
1000
V
CE
(V)
图。 3 - 典型的IGBT集电极电流特性
允许外壳温度（ ℃）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
100
I
C
(A)
10
1
10
100
1000
10 000
0
10
20
30
40
50
60
70
V
CE
(V)
图。 2 - IGBT反向偏置SOA
T
J
= 150 C ，V
GE
= 15 V
I
F
- 连续正向电流（ A）
图。 4 - 最大直流正向电流与
外壳温度
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威世半导体
200
绝缘栅双极晶体管
（超高速IGBT ） ， 75A的
4.5
4.0
150
100 A
75 A
100
V
CE
(V)
T
J
= 125 °C
3.5
I
F
(A)
3.0
50
2.5
T
J
= 25 °C
0
0
1
2
3
4
5
2.0
25
50
75
27 A
100
125
150
V
FM
(V)
图。 5 - 典型的二极管正向特性
T
J
(°C)
图。 8 - 典型的IGBT集电极到发射极电压 -
结温，V
GE
= 15 V
4.0
10
T
J
= 125 °C
3.5
3.0
1
能量（mJ ）
I
CES
（MA ）
0.1
2.5
E
关闭
2.0
1.5
E
on
1.0
0.5
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0.0001
0
200
400
600
800
1000
1200
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CES
(V)
图。 6 - 典型的IGBT零门极电压集电极电流
I
C
(A)
图。 9 - 典型的IGBT能量损失与我
C
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CC
= 600 V,
R
g
= 5
,
V
GE
= 15 V
1000
6.0
5.5
5.0
切换时间（ μS ）
T
J
= 25 °C
t
D（关闭）
t
D（上）
t
f
100
t
r
V
Geth的
(V)
4.5
T
J
= 125 °C
4.0
3.5
3.0
0.0002
10
0.0004
0.0006
0.0008
0.001
0
20
40
60
80
I
C
（MA ）
图。 7 - 典型的IGBT阈值电压
I
C
(A)
图。 10 - 典型的IGBT的开关时间与我
C
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CC
= 600 V,
R
g
= 5
,
V
GE
= 15 V
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14
12
E
on
10
250
230
210
190
T
J
= 125 °C
威世半导体
能量（mJ ）
t
rr
（纳秒）
8
E
关闭
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
170
150
130
110
90
70
100
1000
T
J
= 25 °C
R
G
(Ω)
图。 11 - 典型的IGBT能量损失与
g
T
J
= 125 ° C，I
C
= 75 A，L = 500 μH ，
V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
10 000
40
35
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 13 - 典型吨
rr
与二极管的dI
F
/ DT
V
RR
= 200 V，I
F
= 50 A
切换时间（ μS ）
1000
t
D（上）
t
D（关闭）
30
25
T
J
= 125 °C
I
rr
(A)
20
15
T
J
= 25 °C
t
f
100
t
r
10
5
10
0
10
20
30
40
50
0
100
1000
R
G
(Ω)
图。 12 - 典型的IGBT的开关时间与
g
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CC
= 600 V,
R
g
= 5
,
V
GE
= 15 V
1
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 14 - 典型的我
rr
与二极管的dI
F
/ DT
V
RR
= 200 V，I
F
= 50 A
Z
thJC
- 热阻抗
结到外壳（ C / W ）
0.1
0.01
0.001
单脉冲
（热反应）
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.0001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
矩形脉冲持续时间（T
1
)
图。 15 - 最大热抗Z
thJC
特性（IGBT）
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