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公告PD - 94567 Rev.B的08/03

GB50XF120K

IGBT模块SIXPACK

特点

低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术

低二极管VF

为10μs短路能力

广场RBSOA

?? HEXFRED反并联二极管用超软

反向恢复特性

正V

CE

（上）温度系数

陶瓷基板DBC

低杂散电感设计

V

CES

= 1200V

I

C

= 50A @ T

C

=80°C

t

sc

>为10μs @ T

J

=150°C

ECONO2 6PACK

V

CE （ON）的

（典型值）。 = 2.45V

好处

基准效率的电机控制

坚固的瞬态性能

低EMI，需要较少的冷落

直接安装到散热器

PCB焊端子

超低的结到外壳热阻

?? UL认证E78996

绝对最大额定值

参数

V

CES

I

C

@ T = 25℃

I

C

@ TC = 80℃

I

CM

I

LM

I

F

@ T = 25℃

I

F

@ TC = 80℃

I

FM

V

GE

P

D

@ T = 25℃

P

D

@ TC = 80℃

T

J

T

英镑

V

ISOL

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲（参考图C.T.5 ）

钳位感性负载电流

二极管连续正向电流

脉冲二极管的最大正向电流

门极 - 发射极电压

最大功率耗散（ IGBT和二极管）

最大工作结温

存储温度范围

隔离电压

马克斯。

1200

75

50

150

75

50

150

±20

329

184

150

-40到+125

交流2500（ MIN）的

单位

V

A

V

W

°C

V

热和机械特性

参数

R

θJC

（IGBT）

R

θJC

（二极管）

R

θCS

（模块）

结至外壳IGBT

结至外壳二极管

案件到水槽，平面，脂表面

安装扭矩（ M5 ）

重量

民

-

2.7

-

典型

-

0.05

-

170

最大

0.38

0.70

-

3.3

-

单位

° C / W

牛顿米

g

1

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GB50XF120K

公告PD - 94567 Rev.B的08/03

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

BV

（CES）上

V

（ BR ） CES

/T

J

V

CE （ON）的

参数

集电极 - 发射极击穿电压

温度。击穿电压系数

集电极 - 发射极电压

分钟。典型值。马克斯。单位条件

1200 -

-

V

GE

= 0， IC = 500μA

-

V

GE

（ TH ）

V

GE

（日） / ΔT

J

I

CES

V

FM

栅极阈值电压

Thresold电压温度。系数

零栅极电压集电极电流

二极管的正向压降

4.0

-

I

GES

门极 - 发射极漏电流

-

0.31

-

V /°C的

V

GE

= 0， IC = 1毫安（ 25 °C - 125°C ）

I

C

= 50A V

GE

= 15V

I

C

= 75A V

GE

= 15V

I

C

= 50A V

GE

= 15V牛逼

J

= 125°C

I

C

= 75A V

GE

= 15V牛逼

J

= 125°C

V

CE

= V

GE

IC = 250μA

毫伏/°C， V

CE

= V

GE

IC = 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

A

V

GE

= 0 V

CE =

1200V

V

GE

= 0 V

CE =

1200V TJ = 125°C

I

F

= 50A

I

F

= 75A

I

F

= 50A TJ = 125°C

I

F

= 75A TJ = 125°C

nA

V

GE

= ±20V

2.45 2.65

2.85 3.15

2.85

3.45

4.9

-12

-

1000

-

6.0

-

100

-

1.95 2.25

2.20 2.60

2.05

2.40

-

±200

开关特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

Q

G

Q

GE

Q

GC

E

ON

E

关闭

E

合计

E

ON

E

关闭

E

合计

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

IES

C

OES

C

水库

RBSOA

SCSOA

总栅极电荷（导通）

门极 - 发射极电荷（导通）

栅极 - 集电极费（导通）

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

反向偏置安全工作区

短路安全工作区

-

355

35

165

535

55

250

J

nC

分钟。典型值。马克斯。单位条件

I

C

= 50A

V

CC

= 600A

V

GE

= 15V

I

C

= 50A V

CC

= 600V

V

GE

= 15V

G

= 10Ω L = 400μH

TJ = 25°C

J

I

C

= 50A V

CC

= 600V

V

GE

= 15V

G

= 10Ω L = 400μH

TJ = 125°C

ns

I

C

= 50A V

CC

= 600V

V

GE

= 15V

G

= 10Ω L = 400μH

TJ = 125°C

pF

V

GE

= 0

V

CC

= 30V

F = 1MHz的

TJ = 150 ° C I

C

= 150A

R

G

=10 V

GE

= 15V 0

10

-

s

TJ = 150℃

V

CC

= 900V V

P

= 1200V

R

G

= 10

V

GE

= 15V 0

3600 4635

3740 4780

7340 9415

5050 7100

5525 7750

10575 14850

60

40

570

205

4945

885

100

80

60

665

270

-

完整的正方形

I

rr

二极管峰值牧师恢复电流

-

87

-

A

TJ = 125°C

V

CC

= 600V我

F

= 50A L = 400μH

V

GE

= 15V

G

= 10

能量损失包括"tail"和二极管反向恢复。

2

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100

90

80

70

ICE （ A）

GB50XF120K

100

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

90

80

70

ICE （ A）

60

50

40

30

20

10

0

60

50

40

30

20

10

0

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

1

2

3

VCE （ V）

4

5

6

0

1

2

3

VCE （ V）

4

5

6

图。 1

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= 25°C ; TP =为80μs

20

18

16

14

VCE （ V）

图。 2

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= 125°C ; TP =为80μs

20

18

16

14

VCE （ V）

12

10

8

6

4

2

0

5

10

ICE = 25A

ICE = 50A

ICE = 100A

12

10

8

6

4

2

0

ICE = 25A

ICE = 50A

ICE = 100A

15

V GE （ V）

20

5

10

VGE （ V）

15

20

图。 3

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= 25°C

10000

9000

8000

EOFF

1000

图。 4

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= 125°C

tdoff

tF

Swiching时间（纳秒）

7000

能量（ μJ ）

6000

5000

4000

3000

2000

1000

0

20

40

60

IC （ A）

80

100

120

宙

100

Tdon

tR

10

0

20

40

60

80

100

120

IC （ A）

图。五

- 典型。能量损失与我

C

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V

R

G

= 10; V

GE

= 15V

图。 6

- 典型。开关时间与我

C

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V

R

G

= 10; V

GE

= 15V

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10000

9000

8000

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10000

Swiching时间（纳秒）

7000

1000

能量（ μJ ）

6000

5000

4000

3000

2000

1000

0

EOFF

宙

tdoff

tF

100

Tdon

tR

10

20

30

40

50

0

10

20

30

40

50

图。 7

- 典型。能量损失与

G

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V

I

CE

= 50A ; V

GE

= 15V

10000

R G （

)

图。 8

- 典型。开关时间与

G

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V

I

CE

= 50A ; V

GE

= 15V

16

14

12

400V

600V

R G （

)

资本投资者入境计划

电容（pF）

1000

卓越中心

10

VGE （ V）

8

6

4

2

100

CRES

10

0

20

40

60

80

100

0

50

100 150 200 250 300 350 400

Q G，总栅极电荷（ NC）

VCE （ V）

图。 9-

典型值。电容与V

CE

V

GE

= 0V ; F = 1MHz的

80

70

60

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

100 120 140 160

T C （ ° C）

100

50

0

P合计（W）的

IC （ A）

图。 10

- 典型栅极电荷与V

GE

I

CE

= 50A ; L = 600μH

350

300

250

200

150

20

40

60

80

100 120 140 160

T C （ ° C）

图。 11

- 最大直流电集电极电流与

外壳温度

图。 12

- 功耗与案例

温度

4

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1000

GB50XF120K

1000

100

20 s

IC （ A）

100

IC A）

10

100 s

1ms

1

10ms

DC

0.1

1

10

100

V CE （ V）

1000

10000

10

1

10

100

V CE （ V）

1000

10000

图。 13

- 正向SOA

T

C

= 25°C ;吨

J

≤

150°C

700

600

T J = 25°C

500

VCE （ A）

80

70

60

如果（ A）

图。 14

- 反向偏置SOA

T

J

= 150 ℃; V

GE

=15V

100

90

25°C

125°C

T J = 125°C

400

300

200

100

0

5

10

VGE （ V）

15

20

50

40

30

20

10

0

0.0

1.0

2.0

V F （ V）

3.0

4.0

图。 15

- 典型。传输特性

V

CE

= 50V ; TP = 10微秒

120

图。 16

- 典型。二极管的正向特性

TP =为80μs

120

RG =

4.7

100

RG = 10

100

80

IRR （ A）

60

IRR （ A）

150

RG = 22

60

40

RG = 47

40

20

0

25

50

75

100

125

0

10

20

30

40

50

图。 17

- 典型的二极管我

RR

与我

F

T

J

= 125°C

如果（ A）

图。 18

- 典型的二极管我

RR

与

G

T

J

= 125°C ;我

F

= 50A

R G （

)

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