【PD - 94552GB25RF120KIGBT PIM模块特点低VCE （ ON）的非穿通IGBT】,IC型号GB25RF120K,GB25RF120K PDF资料,GB25RF120K经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94552

GB25RF120K

IGBT PIM模块

特点

低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术

低二极管VF

为10μs短路能力

广场RBSOA

HEXFRED反并联二极管与二极管超软

反向恢复特性

积极的VCE（on ）温度系数

陶瓷基板DBC

低杂散电感设计

V

CES

= 1200V

I

C

= 25A ，T

C

=80°C

t

sc

>为10μs ，T

J

=150°C

ECONO2 PIM

V

CE （ON）的

（典型值）。 = 2.40V

好处

基准效率的电机控制

坚固的瞬态性能

低EMI，需要较少的冷落

直接安装到散热器

PCB焊端子

超低的结到外壳热阻

UL认证

绝对最大额定值（T

J

= 25℃ ，除非另有说明）

参数

逆变器

集电极 - 发射极电压

门极 - 发射极电压

集电极电流

二极管的最大正向电流

功耗

输入

反向重复峰值电压

浪涌电流（不重复）

我T（不重复）

刹车

集电极 - 发射极电压

门极 - 发射极电压

集电极电流

功耗

反向重复峰值电压

最大工作结温

存储温度范围

隔离电压

2

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CM

I

FM

d

P

D

V

RRM

I

F（ AV ）

I

FSM

It

V

CES

V

GES

I

C

I

CM

P

D

V

RRM

T

J

T

英镑

V

ISOL

2

测试条件

评级

1200

±20

单位

V

连续

25°C / 80°C

25°C

40 / 25

80

198

1600

20

250

316

1200

±20

As

V

A

W

V

°C

V

2

A

W

V

A

1设备

50 / 60Hz的正弦波脉冲

正弦脉冲

25°C

80°C

整流器的平均输出电流

为V

RRM

应用，为10ms ，

连续

1设备

—

AC(1min.)

25°C / 80°C

25°C

—

25 / 15

50

104

1200

150

-40到+125

2500

热和机械特性

参数

结至外壳逆变器IGBT热阻

结至外壳变频器FRED热阻

结至外壳制动IGBT热阻

结至外壳制动二极管热阻

结到外壳输入整流器的热阻

安装扭矩（ M5 ）

R

thJC

符号

民

—

2.7

典型

—

最大

0.63

1.0

1.2

2.3

0.85

3.3

单位

° C / W

Nm

1

www.irf.com

10/17/02

GB25RF120K

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

逆变器

IGBT

BV

CES

V

CE （ON）的

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CES

/T

J

温度COEFF 。击穿电压

分钟。典型值。马克斯。单位

1200

—

1.0

2.40

2.95

2.85

3.55

5.0

-10

11

750

—

175

17.5

81

2450

2050

4500

3350

2850

6200

80

50

510

230

2370

455

60

—

2.70

3.30

—

6.0

—

100

—

±200

265

30

125

4450

3200

7650

5650

3850

9500

104

70

1000

299

—

pF

V

GE

= 0V

V

CC

= 30V

ns

J

nC

nA

V

V /°C的

V

条件

V

GE

= 0V时，我

C

= 500A

V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

I

C

= 25A ，V

GE

= 15V

I

C

= 40A ，V

GE

= 15V

I

C

= 25A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 125°C

I

C

= 40A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 125°C

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

3,4,5

1,2

4,5

集电极 - 发射极电压

V

GE （日）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

Q

g

Q

ge

Q

gc

E

on

E

关闭

E

合计

E

on

E

关闭

E

合计

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

IES

C

OES

C

水库

RBSOA

栅极阈值电压

阈值电压温度。系数

零栅极电压集电极电流

门极 - 发射极漏电流

总栅极电荷（导通）

门极 - 发射极电荷（导通）

栅极 - 集电极费（导通）

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

反向偏置安全工作区

4.0

—

毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

A

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V ，T

J

= 125°C

V

GE

= ±20V

I

C

= 25A

V

CC

= 400V

V

GE

= 15V

I

C

= 25A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 10Ω ，L = 400μH

T

J

= 25°C

CT4

7

CT1

e

I

C

= 25A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 10Ω ，L = 400μH

T

J

= 125°C

9,11

CT4

WF1,2

10,12

CT4

WF1

WF2

e

I

C

= 25A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 10Ω ，L = 400μH

T

J

= 125°C

6

完整的正方形

F = 1.0MHz的

T

J

= 150℃，我

C

= 80A

R

G

= 10, V

GE

= + 15V至0V

T

J

= 150°C

CT2

CT3

WF4

SCSOA

逆变器

弗雷德

I

rr

短路安全工作区

10

—

s

V

CC

= 900V, V

P

= 1200V

R

G

= 10, V

GE

= + 15V至0V

T

J

= 125°C

13,14,15

CT4

二极管的峰值反向恢复电流

—

35

1.90

2.25

2.00

2.45

—

2.35

2.80

—

A

V

CC

= 600V ，我

F

= 25A ，L = 400μH

V

GE

= 15V ，R

G

= 10

I

F

= 25A

I

F

= 40A

I

F

= 25A ，T

J

= 125°C

I

F

= 40A ，T

J

= 125°C

V

FM

二极管的正向压降

—

8

2

www.irf.com

GB25RF120K

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

输入

V

FM

最大正向电压降

最大反向漏电流

正向斜率电阻

导通阈值电压

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极电压

我整流器

RM

r

T

V

F（ TO）

刹车

IGBT

BV

CES

V

CE （ON）的

分钟。典型值。马克斯。单位

I

F

= 25A

V

—

1.5

—

1200

—

1.6

2.30

3.00

2.70

3.70

5.0

-10

8.0

370

—

96

46

10

1050

750

1800

1350

1100

2450

50

36

350

210

2370

460

60

0.1

1.0

10.4

0.85

—

2.50

3.25

—

6.0

—

50

—

±200

145

70

15

1200

1000

2200

1500

1250

2750

65

50

400

275

—

pF

V

GE

= 0V

V

CC

= 30V

ns

J

nC

nA

m

V

V /°C的

V

mA

条件

17

T

J

= 25 ° C，V

R

= 1600V

T

J

= 150℃ ，V

R

= 1600V

T

J

= 150°C

V

GE

= 0V时，我

C

= 500A

V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

I

C

= 12.5A ，V

GE

= 15V

I

C

= 25A ，V

GE

= 15V

I

C

= 12.5A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 125°C

I

C

= 25A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 125°C

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

22,23,24

20,21

23,24

V

（ BR ） CES

/T

J

温度COEFF 。击穿电压

V

GE （日）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

Q

g

Q

ge

Q

gc

E

on

E

关闭

E

合计

E

on

E

关闭

E

合计

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

IES

C

OES

C

水库

RBSOA

栅极阈值电压

阈值电压温度。系数

零栅极电压集电极电流

门极 - 发射极漏电流

总栅极电荷（导通）

门极 - 发射极电荷（导通）

栅极 - 集电极费（导通）

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

反向偏置安全工作区

4.0

—

毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

A

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V ，T

J

= 125°C

V

GE

= ±20V

I

C

= 12.5A

V

CC

= 400V

V

GE

= 15V

I

C

= 12.5A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 22Ω ，L = 400μH

T

J

= 25°C

CT4

26

CT1

e

I

C

= 12.5A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 22Ω ，L = 400μH

T

J

= 125°C

28,30

CT4

WF3,4

29,31

CT4

WF3

WF4

e

I

C

= 12.5A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 22Ω ，L = 400μH

T

J

= 125°C

25

完整的正方形

F = 1.0MHz的

T

J

= 150℃，我

C

= 50A

R

G

= 22, V

GE

= + 15V至0V

T

J

= 150°C

CT2

CT3

SCSOA

刹车

二极管

I

rr

短路安全工作区

二极管的峰值反向恢复电流

10

—

24

1.90

2.40

2.00

2.65

5000

3375

—

2.10

2.65

—

5495

3443

s

A

V

CC

= 900V, V

P

= 1200V

R

G

= 22, V

GE

= + 15V至0V

V

CC

= 600V ，我

F

= 12.5A ，L = 400μH

V

GE

= 15V ，R

G

= 22, T

J

= 125°C

I

F

= 8.0A

I

F

= 16A

I

F

= 8.0A ，T

J

= 125°C

I

F

= 16A ，T

J

= 125°C

27

32,33,34

CT4

V

FM

二极管的正向压降

—

NTC

R

B

阻力

B值

4538

3307

K

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

T

J

= 25 / 50 °C

16

468.6 493.3 518.0

注意：

对于UL应用，T

J

是有限至+ 125 ℃。（请参阅文件E78996 ）。

功率取决于温度。牛逼

J

不超过牛逼

J

马克斯。

能量损失包括"tail"和二极管反向恢复。

www.irf.com

3

GB25RF120K

逆变器

50

45

40

35

ICE （ A）

50

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

ICE （ A）

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

30

25

20

15

10

5

0

1

2

3

VCE （ V）

4

5

6

0

1

2

3

VCE （ V）

4

5

6

图。 1

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= 25°C ; TP =为80μs

350

300

图。 2

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= 125°C ; TP =为80μs

20

18

16

250

ICE （ A）

T J = 25°C

T J = 125°C

VCE （ V）

14

12

10

8

6

ICE = 12.5A

ICE = 25A

ICE = 50A

200

150

100

50

0

5

10

VGE （ V）

15

20

T J = 125°C

T J = 25°C

4

2

0

5

10

VGE （ V）

15

20

图。 3

- 典型。传输特性

V

CE

= 50V ; TP = 10微秒

20

18

16

电容（pF）

10000

图。 4

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= 25°C

资本投资者入境计划

14

1000

VCE （ V）

12

10

8

6

4

2

0

5

10

卓越中心

ICE = 12.5A

ICE = 25A

ICE = 50A

100

CRES

10

15

VGE （ V）

20

0

20

40

60

80

100

VCE （ V）

Fig.5

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= 125°C

图。 6

典型值。电容与V

CE

V

GE

= 0V ; F = 1MHz的

4

www.irf.com

GB25RF120K

逆变器

16

14

400V

12

10

VGE （ V）

100

90

80

600V

如果（ A）

25°C

125°C

70

60

50

40

30

8

6

4

20

2

0

50

100

150

200

Q G，总栅极电荷（ NC）

10

0

0.0

1.0

2.0

VF （ V）

3.0

4.0

图。 7

- 典型栅极电荷与V

GE

I

CE

= 25A ; L = 1MH

10000

9000

8000

图。 8

- 典型。二极管的正向特性

TP =为80μs

1000

tdoff

tF

6000

5000

4000

3000

2000

1000

0

10

20

宙

Swiching时间（纳秒）

7000

能量（ μJ ）

100

Tdon

EOFF

tR

10

30

IC （ A）

40

50

60

0

10

20

30

40

50

60

IC （ A）

图。 9

- 典型。能量损失与我

C

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V ，R

G

= 10; V

GE

= 15V

6000

图。 10

- 典型。开关时间与我

C

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V ，R

G

= 10;V

GE

= 15V

10000

5000

宙

Swiching时间（纳秒）

4000

1000

TD关闭

tF

Tdon

能量（ μJ ）

3000

EOFF

2000

100

1000

tR

10

0

10

20

30

40

50

0

10

20

30

40

50

RG （

)

RG （

)

图。 11

- 典型。能量损失与

G

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V ，我

CE

= 25A ; V

GE

= 15V

图。 12

- 典型。开关时间与

G

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V ，我

CE

= 25A ; V

GE

= 15V

www.irf.com

5

PD - 94552

GB25RF120K

IGBT PIM模块

特点

低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术

低二极管VF

为10μs短路能力

广场RBSOA

HEXFRED反并联二极管与二极管超软

反向恢复特性

积极的VCE（on ）温度系数

陶瓷基板DBC

低杂散电感设计

V

CES

= 1200V

I

C

= 25A ，T

C

=80°C

t

sc

>为10μs ，T

J

=150°C

ECONO2 PIM

V

CE （ON）的

（典型值）。 = 2.40V

好处

基准效率的电机控制

坚固的瞬态性能

低EMI，需要较少的冷落

直接安装到散热器

PCB焊端子

超低的结到外壳热阻

UL认证

绝对最大额定值（T

J

= 25℃ ，除非另有说明）

参数

逆变器

集电极 - 发射极电压

门极 - 发射极电压

集电极电流

二极管的最大正向电流

功耗

输入

反向重复峰值电压

浪涌电流（不重复）

我T（不重复）

刹车

集电极 - 发射极电压

门极 - 发射极电压

集电极电流

功耗

反向重复峰值电压

最大工作结温

存储温度范围

隔离电压

2

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CM

I

FM

d

P

D

V

RRM

I

F（ AV ）

I

FSM

It

V

CES

V

GES

I

C

I

CM

P

D

V

RRM

T

J

T

英镑

V

ISOL

2

测试条件

评级

1200

±20

单位

V

连续

25°C / 80°C

25°C

40 / 25

80

198

1600

20

250

316

1200

±20

As

V

A

W

V

°C

V

2

A

W

V

A

1设备

50 / 60Hz的正弦波脉冲

正弦脉冲

25°C

80°C

整流器的平均输出电流

为V

RRM

应用，为10ms ，

连续

1设备

—

AC(1min.)

25°C / 80°C

25°C

—

25 / 15

50

104

1200

150

-40到+125

2500

热和机械特性

参数

结至外壳逆变器IGBT热阻

结至外壳变频器FRED热阻

结至外壳制动IGBT热阻

结至外壳制动二极管热阻

结到外壳输入整流器的热阻

安装扭矩（ M5 ）

R

thJC

符号

民

—

2.7

典型

—

最大

0.63

1.0

1.2

2.3

0.85

3.3

单位

° C / W

Nm

1

www.irf.com

10/17/02

GB25RF120K

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

逆变器

IGBT

BV

CES

V

CE （ON）的

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CES

/T

J

温度COEFF 。击穿电压

分钟。典型值。马克斯。单位

1200

—

1.0

2.40

2.95

2.85

3.55

5.0

-10

11

750

—

175

17.5

81

2450

2050

4500

3350

2850

6200

80

50

510

230

2370

455

60

—

2.70

3.30

—

6.0

—

100

—

±200

265

30

125

4450

3200

7650

5650

3850

9500

104

70

1000

299

—

pF

V

GE

= 0V

V

CC

= 30V

ns

J

nC

nA

V

V /°C的

V

条件

V

GE

= 0V时，我

C

= 500A

V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

I

C

= 25A ，V

GE

= 15V

I

C

= 40A ，V

GE

= 15V

I

C

= 25A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 125°C

I

C

= 40A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 125°C

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

3,4,5

1,2

4,5

集电极 - 发射极电压

V

GE （日）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

Q

g

Q

ge

Q

gc

E

on

E

关闭

E

合计

E

on

E

关闭

E

合计

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

IES

C

OES

C

水库

RBSOA

栅极阈值电压

阈值电压温度。系数

零栅极电压集电极电流

门极 - 发射极漏电流

总栅极电荷（导通）

门极 - 发射极电荷（导通）

栅极 - 集电极费（导通）

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

反向偏置安全工作区

4.0

—

毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

A

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V ，T

J

= 125°C

V

GE

= ±20V

I

C

= 25A

V

CC

= 400V

V

GE

= 15V

I

C

= 25A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 10Ω ，L = 400μH

T

J

= 25°C

CT4

7

CT1

e

I

C

= 25A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 10Ω ，L = 400μH

T

J

= 125°C

9,11

CT4

WF1,2

10,12

CT4

WF1

WF2

e

I

C

= 25A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 10Ω ，L = 400μH

T

J

= 125°C

6

完整的正方形

F = 1.0MHz的

T

J

= 150℃，我

C

= 80A

R

G

= 10, V

GE

= + 15V至0V

T

J

= 150°C

CT2

CT3

WF4

SCSOA

逆变器

弗雷德

I

rr

短路安全工作区

10

—

s

V

CC

= 900V, V

P

= 1200V

R

G

= 10, V

GE

= + 15V至0V

T

J

= 125°C

13,14,15

CT4

二极管的峰值反向恢复电流

—

35

1.90

2.25

2.00

2.45

—

2.35

2.80

—

A

V

CC

= 600V ，我

F

= 25A ，L = 400μH

V

GE

= 15V ，R

G

= 10

I

F

= 25A

I

F

= 40A

I

F

= 25A ，T

J

= 125°C

I

F

= 40A ，T

J

= 125°C

V

FM

二极管的正向压降

—

8

2

www.irf.com

GB25RF120K

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

输入

V

FM

最大正向电压降

最大反向漏电流

正向斜率电阻

导通阈值电压

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极电压

我整流器

RM

r

T

V

F（ TO）

刹车

IGBT

BV

CES

V

CE （ON）的

分钟。典型值。马克斯。单位

I

F

= 25A

V

—

1.5

—

1200

—

1.6

2.30

3.00

2.70

3.70

5.0

-10

8.0

370

—

96

46

10

1050

750

1800

1350

1100

2450

50

36

350

210

2370

460

60

0.1

1.0

10.4

0.85

—

2.50

3.25

—

6.0

—

50

—

±200

145

70

15

1200

1000

2200

1500

1250

2750

65

50

400

275

—

pF

V

GE

= 0V

V

CC

= 30V

ns

J

nC

nA

m

V

V /°C的

V

mA

条件

17

T

J

= 25 ° C，V

R

= 1600V

T

J

= 150℃ ，V

R

= 1600V

T

J

= 150°C

V

GE

= 0V时，我

C

= 500A

V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

I

C

= 12.5A ，V

GE

= 15V

I

C

= 25A ，V

GE

= 15V

I

C

= 12.5A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 125°C

I

C

= 25A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 125°C

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

22,23,24

20,21

23,24

V

（ BR ） CES

/T

J

温度COEFF 。击穿电压

V

GE （日）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

Q

g

Q

ge

Q

gc

E

on

E

关闭

E

合计

E

on

E

关闭

E

合计

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

IES

C

OES

C

水库

RBSOA

栅极阈值电压

阈值电压温度。系数

零栅极电压集电极电流

门极 - 发射极漏电流

总栅极电荷（导通）

门极 - 发射极电荷（导通）

栅极 - 集电极费（导通）

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

反向偏置安全工作区

4.0

—

毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

A

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V ，T

J

= 125°C

V

GE

= ±20V

I

C

= 12.5A

V

CC

= 400V

V

GE

= 15V

I

C

= 12.5A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 22Ω ，L = 400μH

T

J

= 25°C

CT4

26

CT1

e

I

C

= 12.5A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 22Ω ，L = 400μH

T

J

= 125°C

28,30

CT4

WF3,4

29,31

CT4

WF3

WF4

e

I

C

= 12.5A ，V

CC

= 600V

V

GE

= 15V ，R

G

= 22Ω ，L = 400μH

T

J

= 125°C

25

完整的正方形

F = 1.0MHz的

T

J

= 150℃，我

C

= 50A

R

G

= 22, V

GE

= + 15V至0V

T

J

= 150°C

CT2

CT3

SCSOA

刹车

二极管

I

rr

短路安全工作区

二极管的峰值反向恢复电流

10

—

24

1.90

2.40

2.00

2.65

5000

3375

—

2.10

2.65

—

5495

3443

s

A

V

CC

= 900V, V

P

= 1200V

R

G

= 22, V

GE

= + 15V至0V

V

CC

= 600V ，我

F

= 12.5A ，L = 400μH

V

GE

= 15V ，R

G

= 22, T

J

= 125°C

I

F

= 8.0A

I

F

= 16A

I

F

= 8.0A ，T

J

= 125°C

I

F

= 16A ，T

J

= 125°C

27

32,33,34

CT4

V

FM

二极管的正向压降

—

NTC

R

B

阻力

B值

4538

3307

K

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

T

J

= 25 / 50 °C

16

468.6 493.3 518.0

注意：

对于UL应用，T

J

是有限至+ 125 ℃。（请参阅文件E78996 ）。

功率取决于温度。牛逼

J

不超过牛逼

J

马克斯。

能量损失包括"tail"和二极管反向恢复。

www.irf.com

3

GB25RF120K

逆变器

50

45

40

35

ICE （ A）

50

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

ICE （ A）

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

30

25

20

15

10

5

0

1

2

3

VCE （ V）

4

5

6

0

1

2

3

VCE （ V）

4

5

6

图。 1

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= 25°C ; TP =为80μs

350

300

图。 2

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= 125°C ; TP =为80μs

20

18

16

250

ICE （ A）

T J = 25°C

T J = 125°C

VCE （ V）

14

12

10

8

6

ICE = 12.5A

ICE = 25A

ICE = 50A

200

150

100

50

0

5

10

VGE （ V）

15

20

T J = 125°C

T J = 25°C

4

2

0

5

10

VGE （ V）

15

20

图。 3

- 典型。传输特性

V

CE

= 50V ; TP = 10微秒

20

18

16

电容（pF）

10000

图。 4

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= 25°C

资本投资者入境计划

14

1000

VCE （ V）

12

10

8

6

4

2

0

5

10

卓越中心

ICE = 12.5A

ICE = 25A

ICE = 50A

100

CRES

10

15

VGE （ V）

20

0

20

40

60

80

100

VCE （ V）

Fig.5

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= 125°C

图。 6

典型值。电容与V

CE

V

GE

= 0V ; F = 1MHz的

4

www.irf.com

GB25RF120K

逆变器

16

14

400V

12

10

VGE （ V）

100

90

80

600V

如果（ A）

25°C

125°C

70

60

50

40

30

8

6

4

20

2

0

50

100

150

200

Q G，总栅极电荷（ NC）

10

0

0.0

1.0

2.0

VF （ V）

3.0

4.0

图。 7

- 典型栅极电荷与V

GE

I

CE

= 25A ; L = 1MH

10000

9000

8000

图。 8

- 典型。二极管的正向特性

TP =为80μs

1000

tdoff

tF

6000

5000

4000

3000

2000

1000

0

10

20

宙

Swiching时间（纳秒）

7000

能量（ μJ ）

100

Tdon

EOFF

tR

10

30

IC （ A）

40

50

60

0

10

20

30

40

50

60

IC （ A）

图。 9

- 典型。能量损失与我

C

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V ，R

G

= 10; V

GE

= 15V

6000

图。 10

- 典型。开关时间与我

C

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V ，R

G

= 10;V

GE

= 15V

10000

5000

宙

Swiching时间（纳秒）

4000

1000

TD关闭

tF

Tdon

能量（ μJ ）

3000

EOFF

2000

100

1000

tR

10

0

10

20

30

40

50

0

10

20

30

40

50

RG （

)

RG （

)

图。 11

- 典型。能量损失与

G

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V ，我

CE

= 25A ; V

GE

= 15V

图。 12

- 典型。开关时间与

G

T

J

= 125°C ; L = 400μH ; V

CE

= 600V ，我

CE

= 25A ; V

GE

= 15V

www.irf.com

5