GB15XP120KTPbF
威世半导体
三相逆变器模块的MTP封装
1200 V NPT IGBT和HEXFRED
二极管， 15 A
特点
第5代NPT 1200 V IGBT技术
HEXFRED
二极管超软反向
恢复
极低的传导和开关损耗
可选贴片热敏电阻（ NTC ）
氧化铝DBC
MTP
极低的杂散电感设计，高速运转
短路10微秒
广场RBSOA
工作频率为8 kHz到60 kHz的
UL认证文件E78996
产品概述
V
CES
V
CE （ON）的
典型的V
GE
= 15 V
I
C
在T
C
= 100 °C
t
sc
在T
J
= 150 °C
1200 V
2.51 V
15 A
> 10微秒
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
好处
优化了变频电机驱动应用
低EMI，需要较少的冷落
直接安装到散热器
PCB焊端子
极低的结到外壳热阻
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
峰值开关电流
二极管连续正向电流
峰值二极管正向电流
门到发射极电压
RMS的隔离电压
最大功率耗散
（包括二极管和IGBT ）
符号
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
I
F
I
FM
V
GE
V
ISOL
P
D
任何终端的情况下， T = 1分
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
T
C
= 100 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
测试条件
马克斯。
1200
30
15
60
A
60
15
30
± 20
V
2500
187
W
75
单位
V
文档编号： 93913
修订： 03 - 8 - 10
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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1
GB15XP120KTPbF
威世半导体
三相逆变器模块的MTP封装
1200 V NPT IGBT和HEXFRED
二极管， 15 A
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿电压
V温度COEF网络cient
（ BR ） CES
符号
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 250 μA
V
GE
= 0 V，I
C
= 1毫安
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A
集电极到发射极电压
V
CE （ON）的
V
GE
= 15 V，I
C
= 30 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A，T
J
= 125 °C
V
GE
= 15 V，I
C
= 30 A，T
J
= 125 °C
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
阈值电压
正向跨导
集电极到发射极漏电流
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
I
C
= 250 μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安
V
CE
= 25 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V ，T
J
= 125 °C
I
F
= 15 A，V
GE
= 0 V
二极管的正向压降
V
FM
I
F
= 30 A，V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A，V
GE
= 0 V ，T
J
= 125 °C
I
F
= 30 A，V
GE
= 0 V ，T
J
= 125 °C
门到发射极漏电流
I
GES
V
GE
= ± 20 V
分钟。
1200
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.11
2.51
3.36
2.94
4.12
-
- 10
12
-
-
2.13
2.70
2.27
3.06
-
马克斯。
-
-
2.70
3.66
3.16
4.46
6
-
-
250
1000
2.58
3.33
2.75
3.76
± 250
nA
V
毫伏/°C的
S
μA
V
单位
V
V /°C的
开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
门到集电极电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复精力
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
ts
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
RBSOA
SCSOA
C
IES
C
OES
C
水库
E
REC
t
rr
I
rr
T
J
= 150 C ，我
C
= 60 A
R
g
= 10
,
V
GE
= 15 V至0
V
CC
= 600 V, V
GE
= + 15 V至0
T
J
= 150 C ，V
P
= 1200 V ，R
g
= 10
V
GE
= 0 V
V
CC
= 30 V
F = 1 MHz的
I
C
= 15 A，V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
L = 500 μH ，L
S
= 100 nH的
R
g
= 10
,
T
J
= 125 °C
10
-
-
-
-
-
-
I
C
= 15 A，V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
L = 500 μH ，L
S
= 100 nH的
R
g
= 10
,
T
J
= 125 °C
测试条件
I
C
= 15 A
V
CC
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A，V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
R
g
= 10
,
L = 500 μH ，T
J
= 25 °C
能量损失包括尾和
二极管的反向恢复
I
C
= 15 A，V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
R
g
= 10
,
L = 500 μH ，T
J
= 125 °C
能量损失包括尾和
二极管的反向恢复
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
98
12
46
0.990
0.827
1.817
1.352
1.138
2.490
95
18
134
227
Fullsquare
-
1302
717
38
819
96
35
-
1953
1076
57
-
-
-
μJ
ns
A
pF
μs
马克斯。
146
17
69
1.485
1.241
2.726
2.028
1.707
3.735
143
27
200
341
ns
mJ
mJ
nC
单位
www.vishay.com
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文档编号： 93913
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三相逆变器模块的MTP封装
威世半导体
1200 V NPT IGBT和HEXFRED
二极管， 15 A
热敏电阻的规格（T代码只）
参数
阻力
的敏感指数
热敏电阻材料
笔记
(1)
T，T是热敏电阻器的温度
0
1
R
0
1
1
(2)
------
=
EXP
-----
–
-----
-
-
-
T
R
T
1
0
1
符号
R
0 (1)
(1)(2)
T
0
= 25 °C
T
0
= 25 °C
T
1
= 85 °C
测试条件
分钟。
-
-
典型值。
30
4000
马克斯。
-
-
单位
k
K
热和机械规格
参数
工作结
温度范围
存储温度范围
IGBT
结到外壳
二极管
模块
情况下每个模块下沉
安装力矩
重量
R
乡镇卫生院
复合散热器导热系数= 1 W / mK的
R
thJC
符号
T
J
T
英镑
测试条件
分钟。
- 40
- 40
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.50
0.1
-
65
马克斯。
150
125
1.1
1.7
-
-
4
-
Nm
g
° C / W
单位
°C
60
60
40
ICE （ A）
20
ICE （ A）
Vge=18V
Vge=15V
Vge=12V
Vge=10V
Vge=8V
40
Vge=18V
Vge=15V
Vge=12V
Vge=10V
Vge=8V
20
0
0
2
VCE （ V）
4
6
0
0
2
VCE （ V）
4
6
图。 1 - 典型的输出特性
T
J
= 25 °C
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
= 125 °C
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威世半导体
三相逆变器模块的MTP封装
1200 V NPT IGBT和HEXFRED
二极管， 15 A
20
1000
t
F
Swiching时间（纳秒）
15
I
ce=7.5A
I
ce=15A
I
ce=30A
td
关闭
100
td
ON
VCE （ V）
10
10
5
t
R
0
5
10
VGE （ V）
15
20
1
5
10
15
IC （ A）
20
25
30
图。 3 - 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25 °C
图。 6 - 典型的开关时间与我
C
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CE
= 600 V
R
g
= 10
;
V
GE
= 15 V
4
20
15
I
ce=7.5A
I
ce=15A
I
ce=30A
能量（mJ ）
E
合计
3
E
ON
2
VCE （ V）
10
E
关闭
5
1
0
5
10
VGE （ V）
15
20
0
0
10
20
30
RG （ ）
40
50
图。 4 - 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 125 °C
图。 7 - 典型的能量损失与
g
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CE
= 600 V
I
C
= 15 A; V
GE
= 15 V
1000
4500
E
合计
Swiching时间（纳秒）
3500
能量（mJ ）
t
F
td
关闭
100
td
ON
2500
E
关闭
1500
E
ON
t
R
500
5
15
IC （ A）
25
35
10
0
10
20
30
RG （ ）
40
50
图。 5 - 典型的能量损失与我
C
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CE
= 600 V
R
g
= 10
;
V
GE
= 15 V
图。 8 - 典型的开关时间与
g
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CE
= 600 V
I
C
= 15 A; V
GE
= 15 V
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三相逆变器模块的MTP封装
威世半导体
1200 V NPT IGBT和HEXFRED
二极管， 15 A
10000
120
1000
电容（pF）
资本投资者入境计划
90
P合计（W）的
卓越中心
60
100
30
CRES
10
0
10
20
VCE （ V）
30
40
0
0
40
80
TC （ ℃）
120
160
图。 9 - 典型电容与V
CE
V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
16
600V
12
图。 12 - 功耗对比外壳温度
（ IGBT专用）
100
10
20 s
100 s
V
GE
(V)
8
IC （ A）
1
1毫秒
4
0.1
10毫秒
DC
0
0
20
40
60
80
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
100
0.01
1
10
100
VCE （ V）
1000
10000
图。 10 - 典型栅极电荷与V
GE
I
CE
= 15 A
32
100
图。 13 - 正向SOA
T
C
= 25 ° C，T
J
150 °C
24
IC （ A）
16
8
IC （ A）
10
0
0
40
80
TC （ ℃）
120
160
1
10
100
VCE （ V）
1000
10000
图。 11 - 最大直流电集电极电流 -
外壳温度
图。 14 - 反向偏置SOA
T
J
= 150 C ，V
GE
= 15 V
文档编号： 93913
修订： 03 - 8 - 10
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