GB150TS60NPbF
日前，Vishay高功率产品
INT -A- PAK "Half - Bridge"
（超快速度IGBT ） ， 138一
特点
第5代非穿通（ NPT ）
技术
超快：针对硬开关速度
8 kHz至60 kHz的
低V
CE （ON）的
10微秒短路功能
广场RBSOA
正V
CE （ON）的
温度COEF网络cient
INT -A- PAK
HEXFRED
用超软反向反并联二极管
恢复特性
行业标准包装
AL
2
O
3
dBc的
UL认证文件E78996
产品概述
V
CES
I
C
DC
V
CE （ON）的
在150 A ，25°C
600 V
138 A
2.64 V
符合RoHS指令2002/95 / EC
专为工业级
好处
基准效率UPS和焊接中的应用
坚固的瞬态性能
直接安装在散热器
极低的结到外壳热阻
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
门到发射极电压
最大功率耗散
隔离电压
符号
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
I
F
V
GE
P
D
V
ISOL
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
任何终端的情况下， T = 1分
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
测试条件
马克斯。
600
138
93
300
A
300
178
121
± 20
500
W
280
2500
V
V
单位
V
文档编号： 94502
修订： 04月10
如有技术问题，请联系：
indmodules@vishay.com
www.vishay.com
1
GB150TS60NPbF
日前，Vishay高功率产品
INT -A- PAK "Half - Bridge"
（超快速度IGBT ） ， 138一
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿电压
符号
V
BR （CES）上
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 500 μA
V
GE
= 15 V，I
C
= 100 A
集电极到发射极电压
V
CE （ON）的
V
GE
= 15 V，I
C
= 150 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 100 A，T
J
= 125 °C
V
GE
= 15 V，I
C
= 150 A，T
J
= 125 °C
栅极阈值电压
集电极到发射极漏电流
V
GE （日）
I
CES
V
CE
= V
GE
, I
C
= 500 μA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ，T
J
= 150 °C
I
C
= 100 A
二极管的正向压降
V
FM
I
C
= 150 A
I
C
= 100 A，T
J
= 125 °C
I
C
= 150 A，T
J
= 125 °C
门到发射极漏电流
I
GES
V
GE
= ± 20 V
分钟。
600
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.2
2.64
2.68
3.25
4.2
0.01
7.5
1.39
1.52
1.31
1.49
-
马克斯。
-
2.7
3
V
3.11
3.79
6
0.2
mA
15
1.78
1.91
V
1.72
2.05
± 200
nA
单位
开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
符号
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
RBSOA
SCSOA
t
rr
I
rr
Q
rr
t
rr
I
rr
Q
rr
I
F
= 50 A ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，
V
CC
= 400 V ，T
J
= 125 °C
I
F
= 50 A ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，
V
CC
= 400 V ，T
J
= 25 °C
T
J
= 150 C ，我
C
= 300 A,
R
g
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V至0
T
J
= 150 C ，V
CC
= 400 V, V
P
= 600 V,
R
g
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V至0
10
-
-
-
-
-
-
I
C
= 150 A，V
CC
= 360 V, V
GE
= 15 V,
R
g
= 10
Ω,
L = 200 μH ，T
J
= 125 °C
I
C
= 150 A，V
CC
= 360 V, V
GE
= 15 V,
R
g
= 10
Ω,
L = 200 μH ，T
J
= 25 °C
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
2.0
3.9
5.9
2.42
4.2
6.62
390
100
402
80
Fullsquare
-
226
17
1900
290
25
3600
-
260
20
2600
330
30
5000
ns
A
nC
ns
A
nC
马克斯。
-
-
-
mJ
-
-
-
-
-
ns
-
-
单位
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（超快速度IGBT ） ， 138一
热和机械规格
参数
工作结存储温度范围
IGBT
结每腿区分
二极管
情况下每个模块下沉
案件散热器
安装力矩
案到终端1 ，2，3
重量
-
-
-
185
3
-
g
R
thJC
R
乡镇卫生院
符号
T
J
, T
英镑
分钟。
- 40
-
-
-
-
典型值。
-
0.17
0.19
0.1
-
马克斯。
150
0.25
0.32
-
4
Nm
° C / W
单位
°C
200
200
150
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
180
160
140
I
cE
(A)
VGE = 9V
100
I
cE
(A)
120
100
80
60
50
40
20
0
0
1
2
3
4
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
V
CE
(V)
V
GE
(V)
图。 1 - 典型的IGBT输出特性
T
J
= 25 ° C，T
p
= 500 μs
200
4.5
图。 3 - 典型的传输特性
V
CE
= 20 V ，T
p
= 500 μs
V
CE
，集电极-to -发射极电压（ V）
150
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
4
IC = 200A
3.5
IC = 150A
3
I
cE
(A)
100
VGE = 9V
2.5
IC = 75A
50
2
0
0
1
2
3
4
5
1.5
0
30
60
90
120
150
V
CE
(V)
T
J
，结温（ ° C）
图。 2 - 典型的IGBT的输出特性
T
J
= 125 ° C，T
p
= 500 μs
图。 4 - 典型的集电极到发射极电压 -
结温
V
GE
= 15 V ， 500 μs的脉冲宽度
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200
INT -A- PAK "Half - Bridge"
（超快速度IGBT ） ， 138一
1000
TD （关闭）
切换时间（纳秒）
150
TD （上）
tf
100
I
F
(A)
100
tr
50
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
10
0
40
80
120
160
V
F
(V)
I
C
(A)
图。 5 - 二极管的正向特性，T
p
= 500 μs
图。 8 - 典型的开关时间与我
C
T
J
= 125°C ， L = 200 μH ，V
CC
= 360 V,
R
g
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V
9000
8000
7000
160
140
T
C
，外壳温度（ ° C）
120
100
80
60
40
20
0
0
40
80
120
160
最大直流电集电极电流（ A）
能量（mJ ）
6000
DC
EOFF
5000
4000
3000
2000
0
10
20
30
40
50
宙
R
G
(Ω)
图。 6 - 最大集电极电流 -
外壳温度
图。 9 - 典型的能量损失与
g
T
J
= 125°C ， L = 200 μH ，V
CC
= 360 V,
I
CE
= 150 A，V
GE
= 15 V
10000
4500
4000
3500
3000
能量（mJ ）
EOFF
能量时间（纳秒）
1000
TD （关闭）
TD （上）
tr
2500
2000
1500
1000
500
0
0
50
100
150
宙
100
tf
10
0
10
20
30
40
50
I
C
(A)
R
G
(Ω)
图。 7 - 典型的能量损失与我
C
T
J
= 125°C ， L = 200 μH ，V
CC
= 360 V,
R
g
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V
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4
图。 10 - 典型的开关时间与
g
,
T
J
= 125°C ， L = 200 μH ，V
CC
= 360 V,
I
CE
= 150 A，V
GE
= 15 V
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（超快速度IGBT ） ， 138一
100
17
总的开关损耗（兆焦耳）
90
80
70
10欧姆
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
I
RR
(A)
60
50
40
27欧姆
47欧姆
30
20
40
60
80
100
120
140
160
0
10
20
30
40
50
I
F
(A)
R
G
(Ω)
图。 11 - 典型二极管我
rr
与我
F
T
J
= 125 °C
图。 14 - 典型的开关损耗与栅极电阻，
T
J
= 125 ℃， L = 200微亨，R
g
= 10
Ω,
V
CC
= 360 V, V
GE
= 15 V
100
10
80
总的开关损耗（兆焦耳）
IC = 150A
IC = 100A
IC = 75A
I
RR
(A)
60
40
20
0
10
20
30
40
50
1
0
25
50
75
100
125
R
G
(Ω)
T
J
- 结温（ ° C）
图。 12 - 典型二极管我
rr
与
g
T
J
= 125 ° C，I
F
= 150 A
图。 15 - 典型的开关损耗与结温;
L = 200 μH ，R
g
= 10
Ω,
V
CC
= 360 V, V
GE
= 15 V
90
8
80
总的开关损耗（兆焦耳）
7
6
5
4
3
2
1
I
RR
(A)
70
60
50
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
0
40
80
120
160
dI
F
/ DT （ A / μs）内
I
C
(A)
图。 13 - 典型二极管我
rr
与迪
F
/ DT
T
J
= 125°C ，V
CC
= 360 V，I
F
= 150 A，V
GE
= 15 V
图。 16 - 典型的开关损耗与集电极到发射极电流;
T
J
= 125 ° C，R
g1
= 10
Ω,
R
g2
= 0
Ω,
V
CC
= 360 V, V
GE
= 15 V
文档编号： 94502
修订： 04月10
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