【PD - 50062AGA75TS120U"HALF - BRIDGE" IGB】,IC型号GA75TS120U,GA75TS120U PDF资料,GA75TS120U经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 50062A

GA75TS120U

"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK

特点

第四代IGBT技术

超快：高操作优化

频率8-40 kHz的硬开关， >200

kHz的谐振模式

极低的传导和开关损耗

HEXFRED

反并联二极管超软

恢复

行业标准包装

UL认证

超快速

TM

高速IGBT

V

CES

=

1200

V

CE

（ ON）（典型值）。

= 2.1V

@V

GE

=

15V

,

I

C

=

75A

好处

提高工作效率

直接安装到散热器

电源转换性能优化： UPS ，

SMPS ，焊接

更低的电磁干扰，需要较少的冷落

绝对最大额定值

参数

V

CES

I

C

@ T

C

= 25°C

I

CM

I

LM

I

FM

V

GE

V

ISOL

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 85°C

T

J

T

英镑

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

峰值开关电流

峰值二极管正向电流

门极 - 发射极电压

RMS隔离电压，任何终端到表壳， T = 1分

最大功率耗散

工作结温范围

存储温度范围

马克斯。

1200

75

150

±20

2500

390

200

-40到+150

-40到+125

单位

V

A

V

W

°C

热/机械特性

参数

R

θJC

R

θJC

R

θCS

热阻，结到外壳 - IGBT

热阻，结到外壳 - 二极管

热电阻，外壳到散热器 - 模块

安装扭矩，外壳到散热器

安装扭矩，凯斯到1号航站楼， 2 & 3

模块的重量

典型值。

—

0.1

—

200

马克斯。

0.32

0.35

—

4.0

3.0

—

单位

° C / W

N

.

m

g

www.irf.com

1

4/24/2000

GA75TS120U

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

V

（ BR ） CES

1200 —

—

V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安

V

CE （ON）的

—

2.1 3.1

V

GE

= 15V ，我

C

= 75A

—

1.9

—

V

GE

= 15V ，我

C

= 75A ，T

J

= 125°C

V

GE （日）

栅极阈值电压

3.0

—

6.0

V

CE

= 6.0V ，我

C

= 750A

-11

- 毫伏/°C， V

CE

= 6.0V ，我

C

= 750A

V

GE （日）

/T

J

温度COEFF 。阈值电压 -

g

fe

正向跨导

— 107

—

S

V

CE

= 25V ，我

C

= 75A

I

CES

集电极 - 发射极电流泄漏

—

1.0

mA

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

—

10

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V ，T

J

= 125°C

V

FM

二极管的正向电压 - 最大

—

2.3 3.3

V

I

F

= 75A ，V

GE

= 0V

—

2.1

—

I

F

= 75A ，V

GE

= 0V ，T

J

= 125°C

I

GES

门极 - 发射极漏电流

—

250

nA

V

GE

= ±20V

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极电压

动态特性 - T的

J

= 125 ℃（除非另有规定）

Q

g

QGE

Q

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关（ 1）

E

TS （1）

C

IES

C

OES

C

水库

t

rr

I

rr

Q

rr

di

（ REC ）

M

/ DT

参数

总栅极电荷（导通）

门 - 发射极电荷（导通）

门 - 收集电荷（导通）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

总开关能量

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的反向恢复时间

二极管峰值ReverseCurrent

二极管恢复充电

回收秋季二极管峰值速率

在t

b

分钟。

—

典型值。

570

96

189

109

119

392

402

11

20

31

12815

570

110

174

107

9367

1491

MAX 。单位

条件

854

V

CC

= 400V

144

NC I

C

= 85A

283

T

J

= 25°C

—

R

G1

= 15, R

G2

= 0,

—

ns

I

C

= 75A

—

V

CC =

720V

—

V

GE

= ±15V

—

兆焦耳的电感负载

—

45

—

V

GE

= 0V

—

pF

V

CC

= 30V

—

= 1兆赫

—

ns

I

C

= 75A

—

A

R

G1

= 15

—

NC

G2

= 0

—

A / μs的V

CC =

720V

的di / dt = 1300A / μs的

2

www.irf.com

GA75TS120U

80

F R B 日：

70

60

50

40

30

20

身份证电子一升 IO （E S）

10

0

0.1

1

10

负载电流（A ）

ü TY 乐： 5 0 ％

TJ = 1 2 5℃

牛逼片= 9 0 ℃，

克忒 RIV E A S S小P权证ifie

P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N =

83

W

S Q U A重新W A V E：

RA泰德60 ％

武LTAG ê

I

100

男，频率（KHz ）

图。 1

- 典型负载电流与频率的关系

（负载电流= I

RMS

基本）

1000

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

I

C

，集电极电流（ A）

100

T = 125

°

C

J

100

T

J

= 125

°

C

T

J

= 25

°

C

V

= 15V

为80μs脉冲宽度

GE

1.5

2.0

2.5

10

T = 25

°

C

J

1

10

1.0

0.1

4.0

V

= 25V

为80μs脉冲宽度

CE

5.0

6.0

7.0

8.0

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图。 2

- 典型的输出特性

图。 3

- 典型的传输特性

www.irf.com

3

GA75TS120U

80

3.0

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

最大直流电集电极电流（ A）

V

= 15V

80我们脉宽

GE

60

I

C

=150 A

40

2.0

I

C

= 75 A

I

C

= 37A

=

37.5 A

20

0

25

50

75

100

125

150

1.0

-60 -40 -20

0

20

40 60 80 100 120 140 160

T

C

，外壳温度（

°

C)

T

J

，结温（

°

C)

图。 4

- 最大集电极电流和案例

温度

图。五

- 典型的集电极 - 发射极电压

- 结温

1

吨他RM人尤指本身（Z

日JC

)

D = 0 .50

0.1

0.2 0

0 .1 0

0.05

0 .02

0 .01

P

DM

星乐普LS ê

（ TH ER M AL RE SP 北南E）

注意事项：

1.负载因数D = T 1 / T 2

t

1

t2

0.01

0.0001

2.峰值TJ = PDM X Z thJC + TC

A

1000

0.001

0.01

0.1

1

10

100

t

1

，R ê CTAN古拉脉冲 uratio N（ SE C）

图。 6

- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

4

www.irf.com

GA75TS120U

25000

20000

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

C，电容（pF ）

V

GE

= 0V,

F = 1MHz的

C

IES

= C

ge

+ C

气相色谱法，

C

ce

短

C

水库

= C

gc

C

OES

= C

ce

+ C

gc

20

V

CC

= 400V

85 A

I

C

= 75A

15

15000

10

10000

5

5000

0

1

10

100

0

200

400

600

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图。 7 -

典型的电容比。

集电极 - 发射极电压

图。 8

- 典型栅极电荷主场迎战

门极 - 发射极电压

45

40

总的开关损耗（兆焦耳）

V

CC

= 720V

V

GE

= 15V

T

J

=

= 25

°

C

125°C

I

C

= 75A

100

R

G

= 15Ohm

R

G1

=15

;R

G2

= 0

V

GE

= 15V

V

CC

= 720V

I

C

=

150

A

I

C

=

75

A

I

C

=

37.5

A

=

37A

35

10

30

25

10

20

30

40

50

R

G

，栅极电阻（欧姆）

( )

1

-60 -40 -20

0

20 40

60 80 100 120 140 160

T

J

，结温（

°

C )

图。 9

- 典型的开关损耗与门

阻力

图。 10

- 典型的开关损耗与

结温

www.irf.com

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PD - 50062A

GA75TS120U

"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK

特点

第四代IGBT技术

超快：高操作优化

频率8-40 kHz的硬开关， >200

kHz的谐振模式

极低的传导和开关损耗

HEXFRED

反并联二极管超软

恢复

行业标准包装

UL认证

超快速

TM

高速IGBT

V

CES

=

1200

V

CE

（ ON）（典型值）。

= 2.1V

@V

GE

=

15V

,

I

C

=

75A

好处

提高工作效率

直接安装到散热器

电源转换性能优化： UPS ，

SMPS ，焊接

更低的电磁干扰，需要较少的冷落

绝对最大额定值

参数

V

CES

I

C

@ T

C

= 25°C

I

CM

I

LM

I

FM

V

GE

V

ISOL

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 85°C

T

J

T

英镑

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

峰值开关电流

峰值二极管正向电流

门极 - 发射极电压

RMS隔离电压，任何终端到表壳， T = 1分

最大功率耗散

工作结温范围

存储温度范围

马克斯。

1200

75

150

±20

2500

390

200

-40到+150

-40到+125

单位

V

A

V

W

°C

热/机械特性

参数

R

θJC

R

θJC

R

θCS

热阻，结到外壳 - IGBT

热阻，结到外壳 - 二极管

热电阻，外壳到散热器 - 模块

安装扭矩，外壳到散热器

安装扭矩，凯斯到1号航站楼， 2 & 3

模块的重量

典型值。

—

0.1

—

200

马克斯。

0.32

0.35

—

4.0

3.0

—

单位

° C / W

N

.

m

g

www.irf.com

1

4/24/2000

GA75TS120U

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

V

（ BR ） CES

1200 —

—

V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安

V

CE （ON）的

—

2.1 3.1

V

GE

= 15V ，我

C

= 75A

—

1.9

—

V

GE

= 15V ，我

C

= 75A ，T

J

= 125°C

V

GE （日）

栅极阈值电压

3.0

—

6.0

V

CE

= 6.0V ，我

C

= 750A

-11

- 毫伏/°C， V

CE

= 6.0V ，我

C

= 750A

V

GE （日）

/T

J

温度COEFF 。阈值电压 -

g

fe

正向跨导

— 107

—

S

V

CE

= 25V ，我

C

= 75A

I

CES

集电极 - 发射极电流泄漏

—

1.0

mA

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V

—

10

V

GE

= 0V, V

CE

= 1200V ，T

J

= 125°C

V

FM

二极管的正向电压 - 最大

—

2.3 3.3

V

I

F

= 75A ，V

GE

= 0V

—

2.1

—

I

F

= 75A ，V

GE

= 0V ，T

J

= 125°C

I

GES

门极 - 发射极漏电流

—

250

nA

V

GE

= ±20V

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极电压

动态特性 - T的

J

= 125 ℃（除非另有规定）

Q

g

QGE

Q

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关（ 1）

E

TS （1）

C

IES

C

OES

C

水库

t

rr

I

rr

Q

rr

di

（ REC ）

M

/ DT

参数

总栅极电荷（导通）

门 - 发射极电荷（导通）

门 - 收集电荷（导通）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

总开关能量

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的反向恢复时间

二极管峰值ReverseCurrent

二极管恢复充电

回收秋季二极管峰值速率

在t

b

分钟。

—

典型值。

570

96

189

109

119

392

402

11

20

31

12815

570

110

174

107

9367

1491

MAX 。单位

条件

854

V

CC

= 400V

144

NC I

C

= 85A

283

T

J

= 25°C

—

R

G1

= 15, R

G2

= 0,

—

ns

I

C

= 75A

—

V

CC =

720V

—

V

GE

= ±15V

—

兆焦耳的电感负载

—

45

—

V

GE

= 0V

—

pF

V

CC

= 30V

—

= 1兆赫

—

ns

I

C

= 75A

—

A

R

G1

= 15

—

NC

G2

= 0

—

A / μs的V

CC =

720V

的di / dt = 1300A / μs的

2

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80

F R B 日：

70

60

50

40

30

20

身份证电子一升 IO （E S）

10

0

0.1

1

10

负载电流（A ）

ü TY 乐： 5 0 ％

TJ = 1 2 5℃

牛逼片= 9 0 ℃，

克忒 RIV E A S S小P权证ifie

P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N =

83

W

S Q U A重新W A V E：

RA泰德60 ％

武LTAG ê

I

100

男，频率（KHz ）

图。 1

- 典型负载电流与频率的关系

（负载电流= I

RMS

基本）

1000

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

I

C

，集电极电流（ A）

100

T = 125

°

C

J

100

T

J

= 125

°

C

T

J

= 25

°

C

V

= 15V

为80μs脉冲宽度

GE

1.5

2.0

2.5

10

T = 25

°

C

J

1

10

1.0

0.1

4.0

V

= 25V

为80μs脉冲宽度

CE

5.0

6.0

7.0

8.0

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图。 2

- 典型的输出特性

图。 3

- 典型的传输特性

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3

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80

3.0

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

最大直流电集电极电流（ A）

V

= 15V

80我们脉宽

GE

60

I

C

=150 A

40

2.0

I

C

= 75 A

I

C

= 37A

=

37.5 A

20

0

25

50

75

100

125

150

1.0

-60 -40 -20

0

20

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T

C

，外壳温度（

°

C)

T

J

，结温（

°

C)

图。 4

- 最大集电极电流和案例

温度

图。五

- 典型的集电极 - 发射极电压

- 结温

1

吨他RM人尤指本身（Z

日JC

)

D = 0 .50

0.1

0.2 0

0 .1 0

0.05

0 .02

0 .01

P

DM

星乐普LS ê

（ TH ER M AL RE SP 北南E）

注意事项：

1.负载因数D = T 1 / T 2

t

1

t2

0.01

0.0001

2.峰值TJ = PDM X Z thJC + TC

A

1000

0.001

0.01

0.1

1

10

100

t

1

，R ê CTAN古拉脉冲 uratio N（ SE C）

图。 6

- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

4

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GA75TS120U

25000

20000

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

C，电容（pF ）

V

GE

= 0V,

F = 1MHz的

C

IES

= C

ge

+ C

气相色谱法，

C

ce

短

C

水库

= C

gc

C

OES

= C

ce

+ C

gc

20

V

CC

= 400V

85 A

I

C

= 75A

15

15000

10

10000

5

5000

0

1

10

100

0

200

400

600

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图。 7 -

典型的电容比。

集电极 - 发射极电压

图。 8

- 典型栅极电荷主场迎战

门极 - 发射极电压

45

40

总的开关损耗（兆焦耳）

V

CC

= 720V

V

GE

= 15V

T

J

=

= 25

°

C

125°C

I

C

= 75A

100

R

G

= 15Ohm

R

G1

=15

;R

G2

= 0

V

GE

= 15V

V

CC

= 720V

I

C

=

150

A

I

C

=

75

A

I

C

=

37.5

A

=

37A

35

10

30

25

10

20

30

40

50

R

G

，栅极电阻（欧姆）

( )

1

-60 -40 -20

0

20 40

60 80 100 120 140 160

T

J

，结温（

°

C )

图。 9

- 典型的开关损耗与门

阻力

图。 10

- 典型的开关损耗与

结温

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