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PD -50057E
GA300TD60U
"HALF - BRIDGE" IGBT双INT -A- PAK
特点
第四代IGBT技术
超快：高操作优化
频率8-40 kHz的硬开关， >200
kHz的谐振模式
极低的传导和开关损耗
HEXFRED
反并联二极管超软
恢复
行业标准包装
UL认证
超快速
TM
高速IGBT
V
CES
=
600
V
V
CE
（ ON） （典型值） 。
= 1.80V
@V
GE
=
15V
,
I
C
=
300A
好处
提高工作效率
直接安装到散热器
电源转换性能优化： UPS ，
SMPS ，焊接
更低的电磁干扰，需要较少的冷落
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
CM
I
LM
I
FM
V
GE
V
ISOL
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 85°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲？
峰值开关电流？
峰值二极管正向电流
门极 - 发射极电压
RMS隔离电压，任何终端到表壳， T = 1分
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
马克斯。
600
300
600
600
600
±20
2500
880
460
-40到+150
-40到+125
单位
V
A
V
W
°C
热/机械特性
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
热阻，结到外壳 - IGBT
热阻，结到外壳 - 二极管
热电阻，外壳到散热器 - 模块
安装扭矩，外壳到散热器
S
安装扭矩，凯斯到1号航站楼， 2 & 3
S
模块的重量
典型值。
—
—
0.1
—
—
400
马克斯。
0.14
0.20
—
6.0
5.0
—
单位
° C / W
N
.
m
g
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1
05/14/02
GA300TD60U
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
600 —
—
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
—
1.8 2.3
V
GE
= 15V ，我
C
= 300A
—
1.9
—
V
V
GE
= 15V ，我
C
= 300A ，T
J
= 125°C
栅极阈值电压
3.0
—
6.0
I
C
= 1.75毫安
温度COEFF 。阈值电压 -
-11
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.75毫安
正向跨导“
—
269 —
S
V
CE
= 25V ，我
C
= 300A
集电极 - 发射极电流泄漏
—
—
1.0
mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
—
—
10
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 125°C
二极管的正向电压 - 最大
—
3.3
—
V
I
F
= 300A ，V
GE
= 0V
—
3.2
—
I
F
= 300A ，V
GE
= 0V ，T
J
= 125°C
门极 - 发射极漏电流
—
— 400
nA
V
GE
= ±20V
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极电压
动态特性 - T的
J
= 125 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）
M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管峰值ReverseCurrent
二极管恢复充电
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
1249
173
423
645
282
418
220
22
25
47
27755
1735
361
200
128
12771
1691
MAX 。单位
条件
1873
V
CC
= 400V
260
nC
I
C
= 187A
635
T
J
= 25°C
—
R
G1
= 27, R
G2
= 0,
—
ns
I
C
= 300A
—
V
CC =
360V
—
V
GE
= ±15V
—
兆焦耳识破图19图17
—
60
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
—
= 1兆赫
—
ns
I
C
= 300A
—
A
R
G1
= 27
—
NC
G2
= 0
—
A / μs的V
CC =
360V
的di / dt = 1300A / μs的
2
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GA300TD60U
200
对于这两种：
160
负载电流（A ）
UTY CY CLE ： 50 ％
TJ = 125°C
牛逼水墨= 90℃
摹吃了驱动器指定
P流ê 派息SIP通报BULLETIN =
150
W
120
S Q U A重新W A V E：
RA泰德60 ％
武LTAG ê
80
I
40
身份证电子一升 IO （E S）
0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
1000
1000
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T = 125
°
C

J
T
J
= 125
°
C

100
100
T
J
= 25
°
C

T
J
= 25
°
C

10
0.5
V
= 15V

为80μs脉冲宽度
GE
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
5.0
V
= 25V

为80μs脉冲宽度
CE
6.0
7.0
8.0
9.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
GA300TD60U
400
3.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
= 15V

80我们脉宽
GE
最大直流电集电极电流（ A）

I
C
= 600 A
300
200
2.0

I
C
= 300 A

I
C
= 150 A
100
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
前作马币一升林P E D A N CE - z
日J·C
0.1
D = 0.5 0
0 .2 0
0 .1 0
0.0 5
0 .0 2
0.0 1
0.001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
P
DM
t1
t2
S IN克乐P ü LS ê
（前作R M一l研究é SISTA N c个E）
0.01
0.1
1
2
2.峰值TJ = PDM X Z thJC + T
C
0.01
0.0001
10
100
1000
t
1
，R ê CTA NGU拉浦LSE ü RA TIO N （S é共 DS ）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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GA300TD60U
50000
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
40000

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 187A
16
C，电容（pF ）
C
IES

30000
12
20000
8
C

OES
10000
C

水库
4
0
1
10
100
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
70
总的开关损耗（兆焦耳）
60
总的开关损耗（兆焦耳）

V
CC
= 360V
V
GE
= 15V
125°C
T
J
= 125
°
C
I
C
= 300A
1000

R
G1
=27
欧姆
G2
= 0
G
=
;R
V
GE
= 15V
V
CC
= 360V
50
100

I
C
=
600
A

I
C
=
300
A

I
C
=
150
A
40
30
0
10
20
30
40
50
R
R
G
,
,
门
阻力
(
（欧姆）
G
门
阻力
)
10
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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