GA200SA60SP
威世半导体
绝缘栅双极晶体管
超低V
CE （ON）的
, 342 A
特点
标准：针对饱和度最低
电压和低的速度高达5千赫
最低的导通损耗可用
完全隔离包（ 2500 V
AC
)
非常低的内部电感（ 5 NH典型值）
行业标准大纲
SOT-227
UL认证文件E78996
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
600 V
1.33 V
200 A
产品概述
V
CES
V
CE （ON）的
（典型值） 200 A ，25°C
I
C
在T
C
= 97 °C
(1)
好处
专为功率提高工作效率
转换： UPS ， SMPS ， TIG焊，感应加热
易于组装和并行
直接安装到散热器
插入式兼容其他SOT- 227封装
记
(1)
我最大
RMS
目前录取100到不超过
终端的最高温度
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极击穿电压
连续集电极电流
符号
V
CES
I
C (1)
T
C
= 25 °C
T
C
= 97 °C
重复评价; V
GE
= 20伏，脉冲宽度的限制
由最高结温
参见图。 15
V
CC
= 80 % (V
CES
), V
GE
= 20 V,
L = 10 μH ，R
g
= 2.0
,
参照图14
重复评价;脉冲宽度有限的
最高结温
任何终端的情况下，T = 1分钟
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
测试条件
马克斯。
600
342
200
400
A
单位
V
集电极电流脉冲
I
CM
钳位感性负载电流
门到发射极电压
反向电压雪崩能量
RMS的隔离电压
最大功率耗散
工作结存储
温度范围
安装力矩
I
LM
V
GE
E
ARV
V
ISOL
P
D
T
J
, T
英镑
400
± 20
155
2500
781
312
- 55至+ 150
V
mJ
V
W
°C
LBF
及びIN
(N
m)
6-32或M3螺丝
12 (1.3)
记
(1)
我最大
RMS
目前录取100到不超过终端的最高温度
热和机械规格
参数
结到外壳
案例下沉，扁平，脂面
模块的重量
文档编号： 94363
修订： 22 10年7月
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
典型值。
-
0.05
30
马克斯。
0.16
-
-
单位
° C / W
g
www.vishay.com
1
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
GA200SA60SP
威世半导体
绝缘栅双极晶体管
超低V
CE （ON）的
, 342 A
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
符号
V
（ BR ） CES
V
（ BR ）， ECS （ 1 ）
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
FE （2）
I
CES
I
GES
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 250 μA
V
GE
= 0 V，I
C
= 1.0 A
V
GE
= 0 V，I
C
= 1.0毫安
I
C
= 100 A
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 200 A
I
C
= 100 A，T
J
= 150 °C
栅极阈值电压
温度COEFF 。阈值电压
正向跨导
零栅极电压集电极电流
门到发射极漏电流
笔记
(1)
脉冲宽度
80微秒;占空比
0.1 %
(2)
脉冲宽度5.0微秒，单杆
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 2毫安
V
CE
= 100 V，I
C
= 100 A
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 10 V ，T
J
= 150 °C
V
GE
= ± 20 V
V
GE
= 15 V
参见图。 2,5
分钟。
600
18
-
-
-
-
3.0
-
90
-
-
-
典型值。
-
-
0.62
1.10
1.33
1.02
-
- 10
150
-
-
-
马克斯。
-
-
-
1.3
-
-
6.0
-
-
1.0
10
± 250
毫伏/°C的
S
mA
nA
V
单位
V
V /°C的
开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
总栅极电荷（导通）
栅射极电荷（导通）
门负责收集器（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
测试条件
I
C
= 100 A
V
CC
= 400 V
V
GE
= 15 V ;见图。 8
T
J
= 25 °C
I
C
= 100 A
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
R
g
= 2.0
能源损失包括“尾巴”
参见图。 9，10， 13
T
J
= 150 °C
I
C
= 100 A，V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V ，R
g
= 2.0
能源损失包括“尾巴”
见图。 10 ，11，13
铅和中心之间
模具接触
V
GE
= 0 V
V
CC
= 30 V
F = 1.0 MHz的;见图。 7
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
770
100
260
78
56
890
390
0.98
17.4
18.4
72
60
1500
660
35.7
5.0
16 250
1040
190
马克斯。
1200
150
380
-
-
1300
580
-
-
25.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
mJ
nH
ns
mJ
ns
nC
单位
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 94363
修订： 22 10年7月
GA200SA60SP
绝缘栅双极晶体管
超低V
CE （ON）的
, 342 A
250
威世半导体
200
负载电流（A ）
150
方
波：
额定的60 ％
电压
I
对于这两种：
三角形的
波：
占空比： 50 ％
I
T
J
= 125 °C
T
SINK
= 90 °C
钳位电压：
作为指定的栅极驱动
80 ％的额定
功耗= 140瓦特
100
50
理想二极管
0
0.1
1
10
100
的F - 频率（KHz ）
图。 1 - 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
I
C
- 集电极到发射极电流（A ）
1000
160
T
J
= 150 °C
T
C
- 外壳温度（ ° C）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
DC
100
T
J
= 25 °C
10
V
GE
= 15
V
20 μs的脉冲
宽度
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
最大直流电集电极电流（ A）
图。 4 - 最大集电极电流与外壳温度
I
C
- 集电极到发射极电流（A ）
1000
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
3
V
GE
= 15
V
80 μs的脉冲
宽度
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
100
2
I
C
= 400 A
I
C
= 200 A
I
C
= 100 A
1
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V
CC
= 50
V
5 μs的脉冲
宽度
10
5
6
7
V
GE
- 门到发射极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
T
J
- 结温（ ° C）
图。 5 - 典型的集电极到发射极电压 -
结温
文档编号： 94363
修订： 22 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
GA200SA60SP
威世半导体
1
绝缘栅双极晶体管
超低V
CE （ON）的
, 342 A
Z
thJC -
热响应
0.1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.25
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.01
单脉冲
（热电阻）
0.001
0.0001
0.001
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 6 - 最大有效瞬态热阻抗，结到外壳
30 000
25
总的开关损耗（兆焦耳）
- 电容（pF ）
24 000
V
GE
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
C
IES
24
23
22
21
20
19
18
V
CC
= 480
V
V
GE
= 15
V
T
J
= 25 °C
I
C
= 200 A
18 000
12 000
C
OES
6000
C
水库
0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
图。 7 - 典型的电容与
集电极到发射极电压
20
R
g
- 栅极电阻（Ω）
图。 9 - 典型的开关损耗与栅极电阻
1000
V
GE
- 门到发射极电压（ V）
16
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 400
V
I
C
= 100 A
R
G
= 2.0
Ω
V
GE
= 15
V
V
CC
= 480
V
I
C
= 350 A
100
I
C
= 200 A
I
C
= 100 A
12
8
4
0
0
200
400
600
800
10
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
Q
G
- 总栅极电荷（ NC）
图。 8 - 典型栅极电荷主场迎战门到发射极电压
T
J
- 结温（ ° C）
图。 10 - 典型的开关损耗与
结温
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 94363
修订： 22 10年7月
GA200SA60SP
绝缘栅双极晶体管
超低V
CE （ON）的
, 342 A
160
R
G
= 2.0
Ω
T
J
= 150 °C
V
CC
= 480
V
V
GE
= 15
V
50
V
80
1
40
*驱动程序类型相同D.U.T ;
V
C
= 80％的
V
CE
（最大）
0
100
150
200
250
300
350
注意：
由于50
V
电源，脉冲
宽度
和电感
将
增加获取额定我
d
2
1000
V
威世半导体
总的开关损耗（兆焦耳）
120
L
V
C
*
D.U.T.
I
C
- 集电极电流（ A）
图。 11 - 典型的开关损耗与集电极电流
图。 13A - 钳位电感负载测试电路
1000
I
C
- 集电极电流（ A）
100
V
GE
= 20
V
T
J
= 125 °C
R
L
=
0
V
480
V
480 F
960
V
480
V
4 ×1
C
在25℃下
10
安全工作区
1
1
10
100
1000
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
图。 12 - 关断SOA
图。 13B - 集电极电流脉冲测试电路
I
C
L
驱动程序*
50
V
1000
V
1
2
3
D.U.T.
V
C
*驱动程序类型相同D.U.T. ，
V
C
= 480
V
图。 14A - 开关失落的测试电路
文档编号： 94363
修订： 22 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
