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公告I27119牧师。 B 06/02
GA100TS60SQ
"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK
特点
标准速度IGBT
第4代标准速度IGBT
技术
QuietIR反并联二极管具有快速
软恢复
非常低的导通损耗
行业标准包装
氮化铝DBC
UL认证（文件E78996 ）
V
CES
= 600V
I
C
= 220A DC
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 1.39V
@ I
C
= 200A牛逼
J
= 25°C
好处
优化的高电流逆变器
阶段（交流TIG焊机）
直接安装到散热器
硬开关工作频率
截至1千赫
极低的结到外壳热
阻力
低EMI
INT -A- PAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
V
GE
V
ISOL
P
D
集电极 - 发射极电压
连续的集电极电流
集电极电流脉冲
峰值开关电流
门极 - 发射极电压
RMS隔离电压，任何终端到表壳， T = 1分
最大功率耗散
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 130°C
最大
600
220
100
440
440
± 20
2500
780
312
单位
V
A
V
W
www.irf.com
1
GA100TS60SQ
公告I27119牧师。 B 06/02
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
BRCES
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极电压
最小值典型值最大值单位测试条件
600
1.11
1.39
1.08
1.21
1.17
6
1
1.21
1.16
10
1.28
1.24
± 250
nA
mA
V
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A
I
C
= 200A
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ，T
J
= 125°C
I
C
= 0.25毫安
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 125°C
I
C
= 100A ，V
GE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GE
= ± 20V
V
GE （日）
I
CES
V
FM
I
GES
栅极阈值电压
集电极 - Emiter泄漏
当前
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
3
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
r
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
E
on
E
关闭
E
ts
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
上升时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
最小值典型值
640
108
230
0.45
1.0
4
23
27
6
35
41
最大值单位测试条件
700
120
300
s
6
29
35
12
40
52
mJ
nC
I
C
= 100A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 100A ，V
CC
= 480V, V
GE
= 15V
R
g
= 15
mJ
I
C
= 100A ，V
CC
= 480V, V
GE
= 15V
R
g
= 15
, T
J
= 125°C
16250
1040
190
440
480
15
18
3400 4000
pF
ns
A
nC
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1.0 MHz的
I
F
= 50A ，D
IF
/ DT = 50A / μs的
V
RR
= 200V
T
J
= 125°C
热 - 机械规格
参数
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
T
工作结温范围
存储温度范围
结到外壳
外壳到散热器
安装力矩
重量
每个交换机
每二极管
每个模块
案件散热器
案到终端1 ，2，3
185
0.1
4
3
Nm
g
民
- 40
- 40
典型值
最大
150
125
0.16
0.48
单位
°C
° C / W
2
www.irf.com
GA100TS60SQ
公告I27119牧师。 B 06/02
1000
VGE = 15V
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
1000
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T J = 125°C
100
T J = 25°C
100
10
VCE = 10V
380μs脉宽
TJ = 25°C
TJ = 125°C
10
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
1
5.5
6.5
7.5
8.5
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图。 1 - 典型的输出特性
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2 - 典型的传输特性
240
200
160
120
80
40
0
25
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
最大直流电集电极电流（ A）
1.5
I C = 200A
1.3
1.1
I C = 100A
I = 50A
0.9
50
75
100
125
150
0.7
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 3 - 最大集电极电流
与外壳温度
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
www.irf.com
3
GA100TS60SQ
公告I27119牧师。 B 06/02
20
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
35
VCC = 400V
IC = 100A
开关损耗（兆焦耳）
TJ = 25°C ，的Vce = 480V
30
VGE = 15V ， IC = 100A
15
25
20
15
10
5
EOFF
10
宙
5
0
0
100 200 300 400 500 600 700
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 5 - 典型栅极电荷与栅 -
发射极电压
0
10
20
30
40
50
R
G
，门Reistance （ Ω ）
图。 6 - 典型的开关损耗VS门
阻力
60
50
开关损耗（兆焦耳）
TJ = 125°C
VCE = 480V
VGE = 15V
RGE = 15
EOFF
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
宙
图。 7 - 典型的开关损耗VS集电极 - 发射极电流
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公告I27119牧师。 B 06/02
1000
500
VR = 200V
瞬时正向电流 - I
F
(A)
450
400
350
300
250
TJ = 25°C
IF = 50A ， TJ = 25°C
IF = 50A ， TJ = 125°C
100
TJ = 125°C
t
rr
（纳秒）
200
10
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
150
0
200
400
600
800
1000
di
f
/ DT - A / μs的
图。 9 - 典型的反向恢复与迪
f
/ DT
正向电压V滴
FM
(V)
图。 8 - 最大正向电压降
与正向电流
140
VR = 200V
20
VR = 200V
120
100
I
RRM
(A)
IF = 50A ， TJ = 125°C
Q
RR
（ NC ）
15
I F = 50A ， TJ = 125℃
80
60
40
20
0
0
200
400
600
800
1000
di
f
/ DT - A / μs的
图。 10 - 典型的反向恢复电流
与迪
f
/ DT
10
IF = 50A ， TJ = 25°C
5
I F = 50A ， TJ = 25°C
0
0
200
400
600
800
1000
di
f
/ DT - A / μs的
图。 11 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
f
/ DT
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公告I27119牧师。 B 06/02
GA100TS60SQ
"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK
特点
标准速度IGBT
第4代标准速度IGBT
技术
QuietIR反并联二极管具有快速
软恢复
非常低的导通损耗
行业标准包装
氮化铝DBC
UL认证（文件E78996 ）
V
CES
= 600V
I
C
= 220A DC
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 1.39V
@ I
C
= 200A牛逼
J
= 25°C
好处
优化的高电流逆变器
阶段（交流TIG焊机）
直接安装到散热器
硬开关工作频率
截至1千赫
极低的结到外壳热
阻力
低EMI
INT -A- PAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
V
GE
V
ISOL
P
D
集电极 - 发射极电压
连续的集电极电流
集电极电流脉冲
峰值开关电流
门极 - 发射极电压
RMS隔离电压，任何终端到表壳， T = 1分
最大功率耗散
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 130°C
最大
600
220
100
440
440
± 20
2500
780
312
单位
V
A
V
W
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1
GA100TS60SQ
公告I27119牧师。 B 06/02
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
BRCES
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极电压
最小值典型值最大值单位测试条件
600
1.11
1.39
1.08
1.21
1.17
6
1
1.21
1.16
10
1.28
1.24
± 250
nA
mA
V
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A
I
C
= 200A
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ，T
J
= 125°C
I
C
= 0.25毫安
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 125°C
I
C
= 100A ，V
GE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GE
= ± 20V
V
GE （日）
I
CES
V
FM
I
GES
栅极阈值电压
集电极 - Emiter泄漏
当前
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
3
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
r
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
E
on
E
关闭
E
ts
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
上升时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
最小值典型值
640
108
230
0.45
1.0
4
23
27
6
35
41
最大值单位测试条件
700
120
300
s
6
29
35
12
40
52
mJ
nC
I
C
= 100A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 100A ，V
CC
= 480V, V
GE
= 15V
R
g
= 15
mJ
I
C
= 100A ，V
CC
= 480V, V
GE
= 15V
R
g
= 15
, T
J
= 125°C
16250
1040
190
440
480
15
18
3400 4000
pF
ns
A
nC
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1.0 MHz的
I
F
= 50A ，D
IF
/ DT = 50A / μs的
V
RR
= 200V
T
J
= 125°C
热 - 机械规格
参数
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
T
工作结温范围
存储温度范围
结到外壳
外壳到散热器
安装力矩
重量
每个交换机
每二极管
每个模块
案件散热器
案到终端1 ，2，3
185
0.1
4
3
Nm
g
民
- 40
- 40
典型值
最大
150
125
0.16
0.48
单位
°C
° C / W
2
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GA100TS60SQ
公告I27119牧师。 B 06/02
1000
VGE = 15V
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
1000
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T J = 125°C
100
T J = 25°C
100
10
VCE = 10V
380μs脉宽
TJ = 25°C
TJ = 125°C
10
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
1
5.5
6.5
7.5
8.5
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图。 1 - 典型的输出特性
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2 - 典型的传输特性
240
200
160
120
80
40
0
25
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
最大直流电集电极电流（ A）
1.5
I C = 200A
1.3
1.1
I C = 100A
I = 50A
0.9
50
75
100
125
150
0.7
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 3 - 最大集电极电流
与外壳温度
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
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公告I27119牧师。 B 06/02
20
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
35
VCC = 400V
IC = 100A
开关损耗（兆焦耳）
TJ = 25°C ，的Vce = 480V
30
VGE = 15V ， IC = 100A
15
25
20
15
10
5
EOFF
10
宙
5
0
0
100 200 300 400 500 600 700
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 5 - 典型栅极电荷与栅 -
发射极电压
0
10
20
30
40
50
R
G
，门Reistance （ Ω ）
图。 6 - 典型的开关损耗VS门
阻力
60
50
开关损耗（兆焦耳）
TJ = 125°C
VCE = 480V
VGE = 15V
RGE = 15
EOFF
40
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0
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，集电极 - 发射极电流（A ）
宙
图。 7 - 典型的开关损耗VS集电极 - 发射极电流
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公告I27119牧师。 B 06/02
1000
500
VR = 200V
瞬时正向电流 - I
F
(A)
450
400
350
300
250
TJ = 25°C
IF = 50A ， TJ = 25°C
IF = 50A ， TJ = 125°C
100
TJ = 125°C
t
rr
（纳秒）
200
10
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
150
0
200
400
600
800
1000
di
f
/ DT - A / μs的
图。 9 - 典型的反向恢复与迪
f
/ DT
正向电压V滴
FM
(V)
图。 8 - 最大正向电压降
与正向电流
140
VR = 200V
20
VR = 200V
120
100
I
RRM
(A)
IF = 50A ， TJ = 125°C
Q
RR
（ NC ）
15
I F = 50A ， TJ = 125℃
80
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di
f
/ DT - A / μs的
图。 10 - 典型的反向恢复电流
与迪
f
/ DT
10
IF = 50A ， TJ = 25°C
5
I F = 50A ， TJ = 25°C
0
0
200
400
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/ DT - A / μs的
图。 11 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
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/ DT
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GM71C4800AJ-80
GPZ30D
GL5EJJ502C0
GRM3195C2A272JA01D
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数量
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    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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