GA100TS60SFPbF
日前，Vishay高功率产品
"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK
（标准速度IGBT ） ， 100 A
特点
标准速度PT IGBT技术
标准速度： DC至1 kHz时，优化
硬切换速度
FRED铂
反并联二极管，快恢复
非常低传导损耗
AL
2
O
3
dBc的
UL认证文件E78996
符合RoHS指令2002/95 / EC
INT -A- PAK
专为工业级
好处
产品概述
V
CES
I
C
DC
V
CE （ON）的
在100 A ，25°C
600 V
220 A
1.11 V
优化的高电流逆变器级（AC TIG焊
机）
直接安装到散热器
极低的结到外壳热阻
低EMI
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
峰值开关电流
门到发射极电压
RMS的隔离电压
最大功率耗散
符号
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
V
GE
V
ISOL
P
D
任何终端的情况下， T = 1分
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 130 °C
测试条件
马克斯。
600
220
100
440
440
± 20
2500
780
312
V
W
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极电压
栅极阈值电压
集电极到发射极漏电流
二极管的正向压降
门到发射极漏电流
符号
V
BR （CES）上
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
CES
V
FM
I
GES
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 1毫安
V
GE
= 15 V，I
C
= 100 A
I
C
= 200 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 100 A，T
J
= 125 °C
I
C
= 0.25毫安
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ，T
J
= 125 °C
I
C
= 100 A，V
GE
= 0 V
I
C
= 100 A，V
GE
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GE
= ± 20 V
分钟。
600
-
-
-
3
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.11
1.39
1.08
-
-
-
1.44
1.25
-
马克斯。
-
1.28
-
1.22
6
1
10
1.96
1.54
± 250
mA
V
nA
V
单位
文档编号： 94544
修订： 04月10
如有技术问题，请联系：
indmodules@vishay.com
www.vishay.com
1
GA100TS60SFPbF
日前，Vishay高功率产品
"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK
（标准速度IGBT ） ， 100 A
开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
上升时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
r
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
E
on
E
关闭
E
ts
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
t
rr
I
rr
Q
rr
测试条件
I
C
= 100 A
V
CC
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 100 A
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
R
g
= 15
Ω
T
J
= 25 °C
I
C
= 100 A，V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V ，R
g
= 15
Ω
T
J
= 125 °C
V
GE
= 0 V
V
CC
= 30 V
F = 1.0 MHz的
I
F
= 50 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
RR
= 200 V
I
F
= 50 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
RR
= 200 V，T
J
= 125 °C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
640
108
230
0.45
1.0
4
23
27
6
35
41
16 250
1040
190
91
10.6
500
180
17
1633
马克斯。
700
120
300
-
-
6
29
35
12
40
52
-
-
-
155
15
900
344
20.5
2315
ns
A
nC
ns
A
nC
pF
mJ
μs
nC
单位
热和机械规格
参数
工作结温范围
存储温度范围
结到外壳
情况下每个模块下沉
安装力矩
重量
案件散热器
案到终端1 ，2，3
每个交换机
每二极管
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
分钟。
- 40
- 40
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.1
-
-
185
马克斯。
150
125
0.16
0.48
-
4
3
-
Nm
g
° C / W
单位
°C
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"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK
（标准速度IGBT ） ， 100 A
日前，Vishay高功率产品
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
1.5
VGE = 15V
I C = 200A
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
1.3
100
1.1
I C = 100A
I = 50A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0.9
10
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.7
25
50
75
100
125
150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
T
J
，结温（ ° C）
图。 1 - 典型的输出特性
图。 4 - 典型的集电极到发射极电压 -
结温
1000
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
20
T J = 125°C
VCC = 400V
IC = 100A
15
100
T J = 25°C
10
10
VCE = 10V
380μs脉宽
5
1
5.5
0
6.5
7.5
8.5
0
100 200 300 400 500 600 700
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2 - 典型的传输特性
图。 5 - 典型栅极电荷主场迎战
门到发射极电压
35
TJ = 25°C ，的Vce = 480V
30
VGE = 15V ， IC = 100A
开关损耗（兆焦耳）
240
最大直流电集电极电流（ A）
200
160
120
80
40
0
25
25
20
15
10
5
EOFF
宙
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
R
G
，门Reistance （ Ω ）
图。 3 - 最大集电极电流 -
外壳温度
图。 6 - 典型的开关损耗与
栅极电阻
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（标准速度IGBT ） ， 100 A
60
50
开关损耗（兆焦耳）
1000
TJ = 125°C
VCE = 480V
VGE = 15V
RGE = 15 Ω
VR = 200V
EOFF
IF = 50A ， TJ = 125°C
t
rr
（纳秒）
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
10
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
IF = 50A ， TJ = 25°C
宙
1000
di
f
/ DT - A / μs的
图。 7 - 典型的开关损耗与
集电极到发射极电流
图。 9 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
1000
100
VR = 200V
瞬时正向电流 - I
F
(A)
IF = 50A ， TJ = 125°C
100
TJ = 125°C
I
RRM
(A)
10
IF = 50A ， TJ = 25°C
10
TJ = 25°C
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
正向电压V滴
FM
(V)
1
100
1000
di
f
/ DT - A / μs的
图。 8 - 最大正向压降与
正向电流
图。 10 - 典型的反向恢复电流与的dI
F
/ DT
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"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK
（标准速度IGBT ） ， 100 A
10000
日前，Vishay高功率产品
VR = 200V
IF = 50A ， TJ = 125°C
Q
RR
（ NC ）
1000
IF = 50A ， TJ = 25°C
100
100
1000
di
f
/ DT - A / μs的
图。 11 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
订购信息表
器件代码
GA
1
1
2
3
4
5
6
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
100
2
T
3
S
4
60
5
S
6
F
7
PBF
8
必备部件编号IGBT模块
额定电流（ 100 = 100 A）
电路结构（T =半桥）
INT -A- PAK
电压代码（ 60 = 600 V）
速度/类型（S =标准速度IGBT）
二极管类型
PBF =铅（Pb ） - 免费
电路CON组fi guration
3
6
7
1
4
5
2
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