GA100TS120UPbF
日前，Vishay高功率产品
"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK
（超快速度IGBT ） ， 100 A
特点
第四代IGBT技术
超快：针对高速8 kHz至
40 kHz的硬开关， > 200 kHz的谐振
模式
极低的传导和开关损耗
HEXFRED反并联二极管超软恢复
行业标准包装
INT -A- PAK
UL认证文件E78996
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
产品概述
V
CES
I
C
DC
V
CE （ON）的
在100 A ，25°C
1200 V
182 A
2.25 V
好处
提高工作效率
直接安装到散热器
电源转换性能优化： UPS ，
SMPS ，焊接
更低的电磁干扰，需要较少的冷落
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
峰值开关电流
参照图17
峰值二极管正向电流
门到发射极电压
RMS的隔离电压
最大功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
I
FM
V
GE
V
ISOL
P
D
T
J
T
英镑
任何终端的情况下，T = 1分钟
T
C
= 25 °C
T
C
= 85 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 93 °C
重复评价; V
GE
= 20伏，脉冲宽度
由最高结温限制
测试条件
马克斯。
1200
182
100
200
200
200
± 20
V
2500
520
W
270
- 40 + 150
°C
- 40至+ 125
A
单位
V
文档编号： 94428
修订： 04月10
如有技术问题，请联系：
indmodules@vishay.com
www.vishay.com
1
GA100TS120UPbF
日前，Vishay高功率产品
"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK
（超快速度IGBT ） ， 100 A
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极电压
栅极阈值电压
阈值电压的温度系数
正向跨导
集电极到发射极漏电流
符号
V
（ BR ） CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
ΔV
GE （日）
/ΔT
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 1毫安
V
GE
= 15 V，I
C
= 100 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 100 A，T
J
= 125 °C
I
C
= 1.25毫安
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.25毫安
V
CE
= 25 V，I
C
= 100 A
脉冲宽度为50μs ，单杆
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V ，T
J
= 125 °C
V
GE
= 0 V，I
F
= 100 A
V
GE
= 0 V，I
F
= 100 A，T
J
= 125 °C
V
GE
= ± 20 V
分钟。
1200
-
-
3.0
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.25
2
4.4
- 12
136
0.03
4.2
3.3
3.2
-
马克斯。
-
3
2.4
6.0
-
-
1.0
10
4.0
3.8
250
毫伏/°C的
S
mA
V
单位
最大的二极管正向电压
门到发射极漏电流
V
nA
开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
门到集电极电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
吨在秋季恢复二极管峰值速率
b
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
off(1)
E
TS （1）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
off(1)
E
TS （1）
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
dI
（ REC ）M
/ DT
V
GE
= 0 V
V
CC
= 30 V
F = 1 MHz的
I
C
= 100 A
R
g1
= 15
Ω
R
g2
= 0
Ω
V
CC
= 720 V
的di / dt = 1300 A / μs的
R
g1
= 15
Ω
R
g2
= 0
Ω
I
C
= 100 A
V
CC
= 720 V
V
GE
= ± 15 V
T
J
= 125 °C
R
g1
= 15
Ω
R
g2
= 0
Ω
I
C
= 100 A
V
CC
= 720 V
V
GE
= ± 15 V
T
J
= 25 °C
V
CC
= 400 V
I
C
= 124 A
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
830
140
275
570
85
581
276
7.6
6.8
14.4
571
89
606
649
10
16
26
18 672
830
161
149
104
7664
1916
马克斯。
1245
210
412
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
-
-
-
-
-
-
-
ns
A
μC
A / μs的
pF
mJ
ns
mJ
ns
nC
单位
记
(1)
重复评价; V
GE
= 20 V ，脉冲宽度有限的最高结温
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（超快速度IGBT ） ， 100 A
热和机械规格
参数
热阻，结到外壳
IGBT
二极管
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
螺丝M5 ×0.8
测试条件
典型值。
-
-
0.1
-
-
200
马克斯。
0.24
0.35
-
4.0
3.0
-
Nm
g
° C / W
单位
热电阻，案件每个模块下沉
安装力矩
模块的重量
案件散热器
案到终端1 ， 2和3
100
占空比： 50 ％
T
J
= 125 °C
T
SINK
= 90 °C
作为指定的栅极驱动
功耗= 170瓦
方波：
50
额定的60 ％
电压
负载电流（A ）
75
25
理想二极管
0
0.1
1
10
100
-
的F - 频率（KHz ）
图。 1 - 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
1000
1000
V
GE
= 20 V
500 μs的脉冲宽度
I
C
- 集电极电流（ A）
V
GE
= 15 V
500 μs的脉冲宽度
100
125 °C
25 °C
10
I
C
- 集电极到发射极电流（A ）
100
125 °C
25 °C
10
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
V
GE
- 门到发射极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
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（超快速度IGBT ） ， 100 A
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
3.0
V
GE
= 15 V
500 μs的脉冲宽度
I
C
= 200 A
2.5
I
C
= 100 A
2.0
I
C
= 50 A
160
T
C
- 外壳温度（ ° C）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
40
80
120
160
200
DC
1.5
0
30
60
90
120
150
最大直流电集电极电流（ A）
图。 4 - 外壳温度对比
最大集电极电流
1
T
J
- 结温（ ° C）
图。 5 - 典型的集电极到发射极电压 -
结温
Z
thJC
- 热响应
0.1
单脉冲
（热电阻）
P
DM
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 6 - 最大有效瞬态热阻抗，结到外壳
35 000
20
V
GE
- 门到发射极电压（ V）
- 电容（pF ）
28 000
C
IES
21 000
C
OES
V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
V
CC
= 400 V
I
C
= 113 A
16
12
14 000
8
7000
C
水库
4
0
1
10
100
0
0
300
600
900
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
图。 7 - 典型的电容与
集电极到发射极电压
Q
G
- 总栅极电荷（ NC）
图。 8 - 典型栅极电荷主场迎战门到发射极电压
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（超快速度IGBT ） ， 100 A
40
300
总的开关损耗（兆焦耳）
35
I
C
- 集电极电流（ A）
V
GE
= 20 V
T
J
= 125 °C
V
CE
在终端测量（峰值电压）的
200
30
100
25
安全工作区
20
10
20
30
40
50
0
0
300
600
900
1200
1500
R
G
- 栅极电阻（Ω）
图。 9 - 典型的开关损耗与栅极电阻
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
图。 12 - 反向偏置SOA
总的开关损耗（兆焦耳）
I
C
= 200 A
I
C
= 100 A
10
I
C
= 50 A
I
F
- 正向电流（A ）
100
1000
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
10
1
0
30
60
90
120
150
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T
J
- 结温（ ° C）
图。 10 - 典型的开关损耗与
结温
60
16 000
V
F
- 正向压降（ V）
图。 13 - 典型正向压降与
正向电流
总的开关损耗（兆焦耳）
50
12 000
40
30
20
4000
10
0
0
50
100
150
200
0
400
V
R
= 720 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
Q
rr
（ NC ）
8000
I
F
= 200 A
I
F
= 100 A
I
F
= 50 A
800
1200
1600
2000
I
C
- 集电极电流（ A）
图。 11 - 典型的开关损耗与集电极电流
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 14 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
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