GA100NA60UP
威世半导体
绝缘栅双极晶体管
（经2速度IGBT ） ， 100 A
特点
超快：优化饱和度最低
电压和速度0到40千赫的硬
开关， > 200 kHz的谐振模式
极低的传导和开关损耗
完全隔离包（ 2500 V AC / RMS）
非常低的内部电感（ 5 NH典型值）
行业标准大纲
UL认证文件E78996
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和合格的工业市场
SOT-227
好处
产品概述
V
CES
I
C
DC
V
CE （ON）的
在100 A ，25°C
600 V
100 A
1.8 V
专为功率提高工作效率
转换： PFC ， UPS ， SMPS ，焊接，感应加热
可在频率较低的整体亏损
20千赫
易于组装和并行
直接安装到散热器
更低的电磁干扰，需要较少的冷落
插上兼容其他SOT- 227封装
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门到发射极电压
RMS的隔离电压
最大功率耗散
工作结存储
温度范围
安装力矩
符号
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
V
GE
V
ISOL
P
D
T
J
, T
英镑
6至32或M3螺丝
任何终端的情况下，T = 1分钟
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
重复评价： V
GE
= 20V;脉冲宽度的限制
由最大结点温度（图20）
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
测试条件
马克斯。
600
100
50
200
200
± 20
2500
250
100
- 55至+ 150
12
(1.3)
V
A
单位
V
W
°C
国际羽联·中
（ N· M）
热和机械规格
参数
结到管壳， IGBT
热阻，结到外壳，二极管
案例下沉，扁平，脂面
模块的重量
符号
R
thJC
R
thJC
R
乡镇卫生院
典型值。
-
-
0.05
30
马克斯。
0.50
1.0
-
-
g
单位
° C / W
文档编号： 94543
修订： 22 10年7月
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1
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威世半导体
绝缘栅双极晶体管
（经2速度IGBT ） ， 100 A
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿电压
温度Coeffecient
击穿电压
集电极到发射极饱和电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
阈值电压
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
门到发射极漏电流
符号
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
T
J
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 250 μA
V
GE
= 0 V，I
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15 V，I
C
= 50 A
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
V
GE
= 15 V，I
C
= 100 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 50 A，T
J
= 150 °C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE
= 100 V，I
C
= 50 A
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ，T
J
= 150 °C
I
C
= 50 A
I
C
= 50 A，T
J
= 150 °C
V
GE
= ± 20 V
参见图。 12
参见图。 1,4
分钟。
600
-
-
-
-
3.0
-
34
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.36
1.49
1.80
1.47
-
- 7.6
52
-
-
1.3
1.16
-
马克斯。
-
-
2.1
-
-
6.0
-
-
250
1.3
1.6
1.3
± 100
毫伏/°C的
S
μA
mA
V
nA
V
单位
V
V /°C的
开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
总栅极电荷（导通）
栅射极电荷（导通）
门负责收集器（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
秋天恢复二极管峰值速率
在t
b
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2
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关
)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
E
合计
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
dI
（ REC ）M
/ DT
V
GE
= 0 V
V
CC
= 30 V
F = 1.0 MHz的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
参见图。 13
参照图14
参见图。 15
参照图16
I
F
= 50 A
V
R
= 200 V
的di / dt = 200
A / μs的
参照图6
T
J
= 150 °C
I
C
= 60 A，V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5.0
能源损失包括“尾巴”和
二极管的反向恢复
T
J
= 25 °C
I
C
= 60 A，V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5.0
能源损失包括“尾巴”和
二极管的反向恢复
I
C
= 50 A
V
CC
= 400 V
V
GE
= 15 V
测试条件
参见图。 7
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
430
48
130
57
80
240
120
0.41
2.51
2.92
57
80
380
170
4.78
2.0
7400
730
90
90
120
7.3
11
360
780
370
220
马克斯。
640
72
190
-
-
-
-
-
-
4.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
180
11
16
550
1200
-
-
ns
A
nC
A / μs的
pF
mJ
nH
ns
mJ
ns
nC
单位
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绝缘栅双极晶体管
（经2速度IGBT ） ， 100 A
1000
100
威世半导体
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
最大直流电集电极电流（ A）
T
?
J
= 25
°
C
T
?
J
= 150
°
C
80
100
60
40
10
20
1
0.0
?
V = 15V宽
20μs的脉冲
GE
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
T
C
，外壳温度（
°
C)
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 最大集电极电流 -
外壳温度
2.5
1000
T
J
= 150
°
C
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
15V
?
我们=脉宽
80
GE
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
2.0
?
= 100 A
I
C
T
?
J
= 25
°
C
10
1.5
?
= 50 A
I
C
?
= 25 A
I
C
1
5.0
V
CC
= 50V
5μs脉宽
6.0
7.0
8.0
9.0
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
T
J
，结温（
°
C)
图。 2 - 典型的传输特性
图。 4 - 典型的集电极到发射极电压 -
结温
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 5 - 最大有效瞬态热阻抗，结到外壳
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威世半导体
14000
绝缘栅双极晶体管
（经2速度IGBT ） ， 100 A
100
RG = 5.0
Ω
VGE = 15V
VCC = 480V
10
IC = 120A
IC = 60A
IC = 30A
1
12000
10000
C
?
IES
8000
6000
4000
C
OES
2000
C
水库
0.1
1
10
100
0
总的开关损耗（兆焦耳）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
C，电容（pF ）
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
T J ，结温（ ° C）
图。 6 - 典型的电容与
集电极到发射极电压
20
12
图。 9 - 典型的开关损耗与
结温
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
CC
= 400V
I
C
= 50A
10
总的开关损耗（兆焦耳）
16
RG = 5.0
Ω
TJ = 150℃
VGE = 15V
VCC = 480V
8
12
6
8
4
4
2
0
0
0
100
200
300
400
500
20
40
60
80
100
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
IC ，集电极电流（ A）
图。 7 - 典型栅极电荷主场迎战
门到发射极电压
10
VCC = 480V
VGE = 15V
1000
图。 10 - 典型的开关损耗与
集电极到发射极电流
V
GE
= 20V
T
J
= 125
o
C
总的开关损耗（兆焦耳）
8
TJ = 25°C
I C = 60A
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
6
10
4
2
0
10
20
30
40
50
1
1
?
AFE操作区
S
10
100
1000
R G ，栅极电阻（ Ω ）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图。 8 - 典型的开关损耗与
栅极电阻
图。 11 - 关断SOA
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绝缘栅双极晶体管
（经2速度IGBT ） ， 100 A
1000
威世半导体
100
I
F
= 100A
I
F
= 50A
I
F
= 25A
100
瞬时正向电流 - I
F
(A)
T
J
= 1 5 0 °C
T
J
= 1 2 5 °C
T
J
=
10
Irr- （ A）
10
25 °C
1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
R
= 2 00 V
T
J
= 1 2 5°C
T
J
= 2 5 °C
F orwa RD V oltag E D RO P - V
F M
(V )
1
100
1000
di
f
/ DT - （ A / μ S）
图。 12 - 典型正向压降与
正向电流
150
图。 14 - 典型的恢复电流与的dI
F
/ DT
4000
I
F
= 100A
I
F
= 50A
I
F
= 25A
120
V
R
= 2 00 V
T
J
= 1 2 5°C
T
J
= 2 5 °C
I
F
= 100A
3000
I
F
= 50A
I
F
= 25A
trr- （ NC ）
90
Qrr- （ NC ）
60
30
V
R
= 2 00 V
T
J
= 1 2 5°C
T
J
= 2 5 °C
0
100
1000
2000
1000
二F / DT - （ A / μ S）
0
100
di
f
/ DT - （ A / μ S）
1000
图。 13 - 典型的反向恢复主场迎战的dI
F
/ DT
图。 15 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
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