G 4的11秒
描述
包装尺寸
1/2
表面贴装， SCHOTTKYBARRIERDIODE
V LT A G E 4 0 V ，C ü R R简T 0的。 5 A
该G411SD是专为低功耗整改
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 ：
参数
结温
储存温度
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
峰值正向浪涌电流在8.3mSec单一正弦半波
终端之间的典型结电容
最大正向平均整流电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
FSM
C
J
Io
PD
评级
+125
-40 ~ +125
40
28
20
3
20
0.5
225
V
V
V
A
pF
A
mW
单位
特征
在TA = 25 ：
符号
V
F(1)
V
F(2)
IR
典型值。
0.3
0.5
30
单位
V
V
uA
测试条件
如果= 10毫安
IF = 500毫安
VR = 10V
特征
最大正向电压
最大正向电压
最大平均反向电流
2/2
特性曲线
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