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G2N7002
描述
包装尺寸
1/3
N沟道晶体管
N沟道增强型MOS晶体管
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
绝对最大额定值
在TA = 25 ：
参数
工作结存储温度范围
漏源电压
栅源电压
-
连续
-
非重复性（ TP 50微秒）
连续漏电流
漏电流脉冲（ TA = 25
功耗
)
Ta=25
Ta=100
(2)
Ta=25
Ta=100
符号
TJ ， TSTG
评级
-55 ~ +150
60
V
V
V
mA
mA
W
/W
单位
VGS
VGSM
(1)
(1)
f
20
f
40
115
73
800
0.2
0.08
625
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
热阻，结到环境
特征
参数
在TA = 25 ：
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
分钟。
60
1
-
-
500
-
-
-
-
80
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
2.5
D
100
1
-
7.5
13.5
7.5
13.5
-
50
25
5
mS
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
d
= 500毫安，V
GS
=10V
V
DS
→2 V
DS （ ON）
, I
D
=200mA
单位
V
V
nA
uA
mA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=10uA
V
DS
= 2.5V ，我
D
=0.25mA
V
GS
= F 20V ，V
DS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
= 7.5V ， VGS = 10V
I
d
= 50mA时V
GS
=5V
25
125
25
125
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
G
FS
西塞
科斯
CRSS
2/3
（1）在封装的功率耗散，可能会导致在连续串的电流。
（2）脉冲宽度
300US ，占空比
2%.
特性曲线
3/3
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
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封装
单价/备注
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    -
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    -
    -
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
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