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颁发日期: 2005年11月24日
修订日期:
G276P
描述
互补输出霍尔效应锁存灌电流驱动IC
该G276P是一个集成霍尔传感器,适用于无刷直流电动机的电子换向输出驱动器
应用程序。该装置包括一个片霍尔电压发生器,用于磁传感,比较器,其放大所述
霍尔电压,以及施密特触发器,提供噪声抑制开关滞后,以及互补集电极开路
司机沉大电流负载。一个内部带隙调节器是用来提供温度补偿的供给
电压为内部电路,并允许较宽的工作电压范围。
如果磁通密度高于阈值的国际收支平衡表时,要做的就是开启(低)和出生日期被关闭(高) 。输出状态
保持,直到一个磁通密度反转低于BRP引起DO被关断和出生日期接通。
G276P的额定工作温度范围为-20 : 85 :电压范围为3.5V至20V 。该器件
在低成本的模具形式或崎岖的4引脚SIP封装。
特点
*片霍尔传感器IC与G276P两个不同的敏感度和滞后设置
*内部带隙稳压器允许温度补偿操作和较宽的工作电压范围。
*高输出下沉能力高达300mA的电流驱动大负载。
*在切换期间降低电流变化率减小的峰值输出电压。
*内建保护二极管芯片反向功率连接。
*封装: SIP -4L 。
应用
1 )直流无刷电机
2 )直流无刷风扇
3 )革命计数
4 )速度测量
包装尺寸
REF 。
A
A1
b
b1
毫米
分钟。
1.295
0.610
0.330
0.406
0.432
0.508
马克斯。
1.803
REF 。
D
E
L
e
毫米
分钟。
5.105
3.531
14.00
马克斯。
5.359
3.785
16.00
1.27REF
G276P
页: 1/5
颁发日期: 2005年11月24日
修订日期:
功能方框图
引脚说明
名字
VCC
DO
DOB
VSS
P / I / O
P
O
O
P
针#
1
2
3
4
描述
正电源。
输出引脚
输出引脚
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
电源电压
反向VCC电压极性
磁通量密度
输出电压OFF
连续
输出ON电流
HOLD
工作温度范围
存储温度范围
封装功耗
最大结温。
符号
VCC
V
RCC
B
VCE
I
C
Ta
Ts
P
D
Tj
价值
20V
-35V
无限
35
300
400
-20 ~ 85
-65 ~ 150
550
175
单位
V
V
V
mA
:
:
mW
:
*超过绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。暴露在绝对最大额定条件
电气特性
( TA = + 25 , VCC = 4.0V至20V )
参数
低电源电压
电源电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
符号
测试条件
Vc
e
VCC = 3.5V , IL =百毫安
VCC
-
I
C
ex
I
CC
Tr
Tf
t
VCE = 14V , VCC = 14V
VCC = 20V ,输出开路
VCC = 14V , RL = 820 , CL = 20PF
VCC = 14V , RL = 820 , CL = 20PF
VCC = 14V , RL = 820 , CL = 20PF
-
3.5
-
-
-
-
-
-
典型值
0.4
-
0.6
<1
18
3.0
0.3
3.0
最大
-
20
0.9
10
25
10
1.5
10
单位
V
V
V
uA
mA
us
us
us
输出饱和电压
输出漏电流
电源电流
输出上升时间
输出下降时间
切换时间差
VCE ( sat)的VCC = 14V , IL = 300毫安
G276P
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颁发日期: 2005年11月24日
修订日期:
功耗VS.环境温度
TA( : )
25 50 60 70 80 85 90 95 100 105 110 115 120
加入Pd(毫瓦) 550 450 400 350 300 280 260 240 220 200 180 160 140
P(D) (M W)
600
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
T A ( C )
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N ú RVE
磁特性
特征
一个BIN
操作点
BIN B
一个BIN
放点BIN B
一个BIN
迟滞
BIN B
符号
BOP
BOP
BOP
BRP
BRP
BRP
BHYS
BHYS
BHYS
TA = + 25 :
最大
5
50
-
70
-
100
-50
-5
-70
-
-100
-
40
80
40
80
40
80
TA = 0 : 70 :
最大
5
50
-
70
-
100
-50
-5
-70
-
-100
-
40
80
40
80
40
80
单位
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
测试电路
14V
Vout1(DO)
RL1
Vout2(DOB)
RL2
RL1 = RL2 = 820欧姆
CL1 = CL2 = 20 pF的
CL1
CL2
G276P
页页次:3/5
颁发日期: 2005年11月24日
修订日期:
磁滞特性
DOB
输出电压伏
RP
12
10
8
6
4
ON
-200
-100
2
0
OP
100
200
关闭
一个BIN
DO
输出电压伏
关闭
12
10
8
6
4
RP
-200
-100
2
0
ON
100
200
OP
在高斯磁通密度
在高斯磁通密度
BIN B
DOB
输出电压伏
RP
关闭
输出电压伏
12
10
8
6
4
ON
-200
-100
0
2
100
OP
200
关闭
DO
12
10
8
6
4
RP
-200
-100
0
2
100
ON
200
OP
在高斯磁通密度
在高斯磁通密度
DOB
输出电压伏
RP
12
10
8
6
4
ON
-200
-100
0
2
100
OP
200
关闭
DO
输出电压伏
关闭
12
10
8
6
4
RP
-200
-100
0
2
100
ON
200
OP
在高斯磁通密度
在高斯磁通密度
G276P
页次: 4/5
颁发日期: 2005年11月24日
修订日期:
应用电路双线圈
1)输出电流, IC > 250毫安
2) FG输出
备注: C1 , C2 :电容2.2 F 4.7 F(可选)
注: C1 :电容0.1 F 1μF R1 :反抗者1K
包装信息
活动区域深度
包装传感器位置
1.75mm
顶部
意见
记号
现场
0.7mm
1.35mm
顶部
意见
1
2
3
4
公差: +/- 0.05毫米
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 4传真: 86-21-38950165
G276P
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    G276P
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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