无铅电镀产品
ISSUED DATE : 2006/07/26
修改日期: 2006/11 / 09B
G2300
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
20V
28m
6A
该G2300提供了设计者的导通电阻和最佳快速切换的组合,低
成本效益。
该G2300被普遍地用于所有的的商业-工业表面装载的应用程序。
描述
*低导通电阻
*有能力2.5V栅极驱动
*小包装外形
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1,2
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
符号
Rthj -A
评级
20
±8
6
4.8
20
1.25
0.01
-55 ~ +150
价值
100
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
单位
:
/W
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
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ISSUED DATE : 2006/07/26
修改日期: 2006/11 / 09B
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
无花果9.传输特性
图10.单脉冲功率
图11.归瞬态热阻抗,结到环境
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