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SMD型
晶体管
PNP硅平面高压晶体管
FZTA92
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
高的击穿电压
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 BASE
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
2个集热器
3发射器
4珍藏
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
连续集电极电流
功耗在环境温度Tamb = 25 ℃
C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
等级
-300
-300
-5
-100
-500
2
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
Testconditons
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0*
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -200V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
I
C
= -20mA ，我
B
=-2mA
I
C
= -20mA ，我
B
=-2mA
I
C
= -1mA ，V
CE
=-10V*
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= -10mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -30mA ，V
CE
=-10V*
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
I
C
= -10mA ，V
CE
=-20V,f=20MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
2%
25
40
25
50
6
兆赫
pF
民
-300
-300
-5
-0.25
-0.1
-0.5
-0.9
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
+0.15
1.65
-0.15
www.kexin.com.cn
1
SOT223 PNP硅平面
高压晶体管
第2期 - 1996年1月
7
特点
*高击穿电压
应用
*适用于电视机的视频输出级
和开关模式电源
赠阅类型？
PARTMARKING详细信息 -
FZTA42
设备类型FULL
FZTA92
C
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
分钟。
-300
-300
-5
-0.25
-0.1
-0.5
-0.9
25
40
25
50
6
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
-300
-300
-5
-100
-500
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
条件。
I
C
=-100
A，I
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0*
I
E
=-100
A，I
C
=0
V
CB
= -200V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
I
C
= -20mA ，我
B
=-2mA
I
C
= -20mA ，我
B
=-2mA
I
C
= -1mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -30mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
发射极截止电流I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
静态正向电流
FE
传输比
过渡
频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FMMTA92数据表。
3 - 305
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
FZTA92
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
高的击穿电压
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 BASE
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
2个集热器
3发射器
4珍藏
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
连续集电极电流
功耗在环境温度Tamb = 25 ℃
C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
等级
-300
-300
-5
-100
-500
2
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
Testconditons
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0*
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -200V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
I
C
= -20mA ，我
B
=-2mA
I
C
= -20mA ，我
B
=-2mA
I
C
= -1mA ，V
CE
=-10V*
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= -10mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -30mA ，V
CE
=-10V*
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
I
C
= -10mA ，V
CE
=-20V,f=20MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
2%
25
40
25
50
6
兆赫
pF
民
-300
-300
-5
-0.25
-0.1
-0.5
-0.9
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.15
1.65
-0.15
1 1
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推荐型号
FTM7921ER
FF25R12KF2
FSR175
FEFE19B
F4-75R12MS4
FPD87370AXAVS
FNA40860B2
FYPF1010
FCN-215J040-G/0
FBA1J4ATE601P
FMMTA92
FP5541-12
FR05CM65AF
FR0H473ZF
FDS5682
FH17LR-10S-0.5SH
FO115
FFM104-M
FAIDL220G
FCA-325-XV9
供货商
型号
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封装
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操作
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    FZTA92
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    -
    -
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24355
SOT-223
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
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SOT-223
一级代理专营，原装现货，价格优势
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MSV/萌盛微
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SOT223
全新原装现货，原厂代理。
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FZTA92
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SOT-223
绝对全新原装/自己库存现货
上海熠富电子科技有限公司
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FZTA92
MSV/萌盛微
2024
30475
SOT223
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
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FZTA92
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2024
30475
SOT223
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FZTA92
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SOT-223
全新原装正品/质量有保证
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