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SOT223 NPN硅平面
达林顿晶体管
第3期？ 1996年1月
PARTMARKING详细信息： -
互补式： -
设备类型FULL
FZTA64
FZTA14
C
E
C
B
SOT223
符号
V
CES
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
30
30
30
10
1
2
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
符号
V
（ BR ） CES
I
CBO
分钟。
30
100
100
1.5
1.6
2.0
2.0
2.2
10K
20K
5K
170
兆赫
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
nA
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=100
A，V
BE
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 10V ，我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA
I
C
= 1A ，我
B
=1mA
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V*
f=20MHz
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
基射
饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
静态正向电流
FE
传输比
跃迁频率
f
T
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
对于典型特征图看FMMT38C数据表。
3 - 301
SOT223 NPN硅平面
达林顿晶体管
第3期？ 1996年1月
PARTMARKING详细信息： -
互补式： -
设备类型FULL
FZTA64
FZTA14
C
E
C
B
SOT223
符号
V
CES
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
30
30
30
10
1
2
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
符号
V
（ BR ） CES
I
CBO
分钟。
30
100
100
1.5
1.6
2.0
2.0
2.2
10K
20K
5K
170
兆赫
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
nA
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=100
A，V
BE
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 10V ，我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 100mA时V
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=5V*
I
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= 100mA时我
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=0.1mA
I
C
= 1A ，我
B
=1mA
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V*
f=20MHz
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
基射
饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
静态正向电流
FE
传输比
跃迁频率
f
T
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
对于典型特征图看FMMT38C数据表。
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