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SOT223 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期？ 1995年2月
特点
*低饱和电压
互补式 - FZT757
FZT657
C
E
PARTMARKING详细信息 - FZT657
B
C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
300
300
5
0.1
0.1
0.5
1.0
1.0
40
50
30
20
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
300
300
5
1
0.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=200V
V
EB
=3V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿V
（ BR ） EBO
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输出电容
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 213
FZT657
典型特征
1.8
1.6
100
- 归一化增益（％）
1.4
80
V
CE
=5V
60
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
I
C
/I
B
=10
40
V
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
20
h
0
0.01
0.1
1
10
I
+
-
集电极电流（安培）
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
1.2
I
C
/I
B
=10
1.2
V
CE
=5V
1.0
- （伏）
0.8
- （伏）
V
1.0
0.8
V
0.6
0.6
0.4
0.01
0.1
1
10
0.4
0.01
0.1
1
10
I
+
-
集电极电流（安培）
I
+
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
1
单脉冲牛逼
美国东部时间在T
AMB
=25°C
td
tr
tf
s
1.4
ts
V
BE（上）
V I
C
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
V
CE
=10V
ts
s
0.1
1.2
3
开关时间
1.0
0.01
DC
100ms
10ms
1ms
300
s
0.8
tf
0.6
2
0.4
td
0.2
tr
1
0.001
0
0
0.1
1
1
10
100
1000
0.01
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
I
+
-
集电极电流（安培）
安全工作区
3 - 214
转换速度
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FL7701MX
F1A4
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FM27C040VE120
FZT968
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    FZT757TA
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