SOT223 PNP硅平面
中功率晶体管
ISSUE 5 - 2005年3月
特点
* 150伏V
首席执行官
*低饱和电压
*优秀
FE
指定高达1A （脉冲） 。
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FZT655
FZT755
FZT755
C
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-150
-150
-5
-2
-1
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
分钟。
-150
-150
-5
-0.1
-0.1
-0.5
-0.5
-1.1
-1.0
50
50
20
30
20
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100A
V
CB
=-125V
V
EB
=-3V
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
兆赫
pF
I
C
= - 1 0微米的，
f=20MHz
V
CE
=-20V
C 0 L L权证T O服务的R - B A发E V
（ BR ） CBO
击穿电压
C 0 L L权证T O服务的R - ê米I T T E R诉
（ BR ） CEO
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
C 0 L L权证T O服务的R - ê米I T T E R诉
CE （ SAT ）
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
静态正向电流
FE
传输比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
300
V
CB
= -10V F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
TBA
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