FZT717
SOT223 PNP中功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
= -12V ;我
C
= 3A
描述
打包在SOT223勾勒这种低饱和12V PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
2W功耗
3A连续电流
优秀
FE
特点高达10A （脉冲）
低饱和电压
C
B
E
应用
电池充电
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
E
C
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
订购信息
设备
FZT717TA
带尺寸
（英寸）
7
C
B
引脚 - 顶视图
1,000
器件标识
FZT717
第2期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
FZT717
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(a)
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
T
j
, T
英镑
极限
-12
-12
-5
-10
-3
-500
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
热阻
参数
结到环境
符号
R
JA
极限
62.5
单位
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气中
条件。
第2期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
2
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FZT717
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-12
-12
-5
-100
-100
-20
-150
-320
基射极饱和
电压
基射极导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
300
300
160
60
45
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
80
110
21
70
130
2%
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
mV
条件
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100A
V
CB
= -10V
V
EB
= -4V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
(*)
I
C
= -3A ，我
B
=-50mA
(*)
-1050
-1000
mV
mV
I
C
= -3A ，我
B
=-50mA
(*)
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -8A ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V
(*)
静态正向电流办理H
FE
比
兆赫
30
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -6V ，我
C
=-2A
I
B1
= I
B2
=50mA
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300μS 。占空比
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首席执行官
= -12V ;我
C
= 3A
描述
打包在SOT223勾勒这种低饱和12V PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
2W功耗
3A连续电流
优秀
FE
特点高达10A （脉冲）
低饱和电压
C
B
E
应用
电池充电
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
E
C
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
订购信息
设备
FZT717TA
带尺寸
（英寸）
7
C
B
引脚 - 顶视图
1,000
器件标识
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第2期 - 2006年9月
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1
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绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(a)
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
T
j
, T
英镑
极限
-12
-12
-5
-10
-3
-500
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
热阻
参数
结到环境
符号
R
JA
极限
62.5
单位
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气中
条件。
第2期 - 2006年9月
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-12
-12
-5
-100
-100
-20
-150
-320
基射极饱和
电压
基射极导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
300
300
160
60
45
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
80
110
21
70
130
2%
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
mV
条件
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100A
V
CB
= -10V
V
EB
= -4V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA
(*)
I
C
= -3A ，我
B
=-50mA
(*)
-1050
-1000
mV
mV
I
C
= -3A ，我
B
=-50mA
(*)
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -8A ，V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V
(*)
静态正向电流办理H
FE
比
兆赫
30
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -6V ，我
C
=-2A
I
B1
= I
B2
=50mA
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300μS 。占空比
第2期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
4
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