【SOT223 NPN硅平面介质功率高增益晶体管第3期 - 1995年10月特点*高V首席执行官/非常】,IC型号FZT694,FZT694 PDF资料,FZT694经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SOT223 NPN硅平面介质

功率高增益晶体管

第3期 - 1995年10月

特点

*高V

首席执行官

/非常低饱和电压

400在I *增益

C

=200mA

应用

*达林顿更换

*继电器/螺线管驱动器

PARTMARKING详细信息 -

FZT694B

FZT694B

C

E

C

B

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

120

120

5

2

1

2

-55到+150

马克斯。

单位

V

V

V

0.1

0.1

0.25

0.5

0.9

0.9

A

A

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

功率耗散T

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态前进

电流传输

比

跃迁频率

输入电容

输出电容

开关时间

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

f

T

C

IBO

C

敖包

t

on

t

关闭

500

400

150

130

200

9

80

2900

兆赫

pF

pF

ns

ns

分钟。

120

120

5

单位

V

V

V

A

A

W

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C)

典型值。

条件。

I

C

=100

A

I

C

=10mA*

I

E

=100

A

V

CB

=100V

V

EB

=4V

I

C

= 100mA时我

B

=0.5mA*

I

C

= 400毫安，我

B

=5mA*

I

C

= 1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 100mA时V

CE

=2V

*

I

C

=的200mA， V

CE

=2V*

I

C

= 400毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=5V

f=50MHz

V

EB

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 100mA时我

B!

=10mA

I

B2

= 10毫安，V

CC

=50V

V

V

V

V

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供此设备

3 - 225

FZT694B

典型特征

I

C

/I

B

=200

0.8

I

C

/I

B

=10

I

C

/I

B

=100

T

AMB

=25°C

0.8

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

I

C

/I

B

=100

- （伏）

0.6

- （伏）

V

0.6

0.4

0.4

V

0.2

0.2

0

0.01

0.1

1

10

0

0.01

0.1

1

10

I

+

-

集电极电流（安培）

I

+

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

V

CE （ SAT ）

V I

C

1.6

- 归一化增益

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

+100°C

+25°C

-55°C

V

CE

=2V

1.5K

1.6

1.4

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

I

C

/I

B

=100

- 典型增益

- （伏）

V

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1K

500

0.4

h

0.2

0

0

0.01

0.1

1

10

0

0.01

0.1

1

10

I

+

-

集电极电流（安培）

h

I

+

-

集电极电流（安培）

h

FE

V I

C

V

BE （ SAT ）

V I

C

1.6

1.4

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

V

CE

=2V

10

- （伏）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1

DC

1s

100ms

10ms

1ms

100us

V

0.1

0

0.01

0.1

1

10

0.01

1

10

100

1000

I

+

-

集电极电流（安培）

V

BE（上）

V I

C

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

安全工作区

3 - 226

SOT223 NPN硅平面介质

功率高增益晶体管

第3期 - 1995年10月

特点

*高V

首席执行官

/非常低饱和电压

400在I *增益

C

=200mA

应用

*达林顿更换

*继电器/螺线管驱动器

PARTMARKING详细信息 -

FZT694B

FZT694B

C

E

C

B

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

120

120

5

2

1

2

-55到+150

马克斯。

单位

V

V

V

0.1

0.1

0.25

0.5

0.9

0.9

A

A

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

功率耗散T

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态前进

电流传输

比

跃迁频率

输入电容

输出电容

开关时间

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

f

T

C

IBO

C

敖包

t

on

t

关闭

500

400

150

130

200

9

80

2900

兆赫

pF

pF

ns

ns

分钟。

120

120

5

单位

V

V

V

A

A

W

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C)

典型值。

条件。

I

C

=100

A

I

C

=10mA*

I

E

=100

A

V

CB

=100V

V

EB

=4V

I

C

= 100mA时我

B

=0.5mA*

I

C

= 400毫安，我

B

=5mA*

I

C

= 1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 100mA时V

CE

=2V

*

I

C

=的200mA， V

CE

=2V*

I

C

= 400毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

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f=50MHz

V

EB

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 100mA时我

B!

=10mA

I

B2

= 10毫安，V

CC

=50V

V

V

V

V

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供此设备

3 - 225

FZT694B

典型特征

I

C

/I

B

=200

0.8

I

C

/I

B

=10

I

C

/I

B

=100

T

AMB

=25°C

0.8

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

I

C

/I

B

=100

- （伏）

0.6

- （伏）

V

0.6

0.4

0.4

V

0.2

0.2

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0.01

0.1

1

10

0

0.01

0.1

1

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I

+

-

集电极电流（安培）

I

+

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

V

CE （ SAT ）

V I

C

1.6

- 归一化增益

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

+100°C

+25°C

-55°C

V

CE

=2V

1.5K

1.6

1.4

-55°C

+25°C

+100°C

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I

C

/I

B

=100

- 典型增益

- （伏）

V

1.2

1.0

0.8

0.6

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1K

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0.4

h

0.2

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0

0.01

0.1

1

10

0

0.01

0.1

1

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I

+

-

集电极电流（安培）

h

I

+

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集电极电流（安培）

h

FE

V I

C

V

BE （ SAT ）

V I

C

1.6

1.4

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

V

CE

=2V

10

- （伏）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1

DC

1s

100ms

10ms

1ms

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V

0.1

0

0.01

0.1

1

10

0.01

1

10

100

1000

I

+

-

集电极电流（安培）

V

BE（上）

V I

C

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

安全工作区

3 - 226

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