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对产品线
Diodes公司
绿色
FZT658
400V NPN高压晶体管采用SOT223
特点
BV
首席执行官
> 400V
I
C
= 500毫安高连续电流
I
CM
= 1A峰值脉冲电流
低饱和电压V
CE （ SAT ）
<为250mV @ 50毫安
h
FE
> 40指定高达200mA的高电流增益保持
互补PNP类型： FZT758
无铅完成;符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT223
表壳材质：模压塑料。 “绿色”模塑料。
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 雾锡镀信息，每焊
MIL- STD- 202方法208
重量： 0.112克（近似值）
SOT223
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
（注4 ）
产品
FZT658TA
注意事项：
记号
FZT658
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
12
QUANTITY每卷
1,000
1.欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。所有适用的RoHS指令的豁免申请。
2.关于卤素 - 和无锑， "Green"的Diodes公司的定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com/quality/lead_free.html
和无铅。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
4.包装详细信息，请访问我们的网站为http “// www.diodes.com/products/packages.html 。
标识信息
FZT
658
FZT658 =产品型号标识代码
FZT658
文件编号DS33153启5 - 2
1 7
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2013年5月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
FZT658
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
价值
400
400
7
0.5
1
单位
V
V
V
A
A
热特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
功耗
热阻，结到环境
热阻，结到信息（注7）
工作和存储温度范围
（注5 ）
（注6 ）
（注5 ）
（注6 ）
符号
P
D
R
JA
R
JL
T
J,
T
英镑
价值
2
3
62.5
41.7
12.93
-55到+150
单位
W
W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
ESD额定值
（注8）
特征
静电放电 - 人体模型
静电放电 - 机型号
注意事项：
符号
ESD HBM
ESD MM
价值
4,000
400
单位
V
V
JEDEC类
3A
C
5.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB与高覆盖单面的1盎司铜皮，在静止空气条件;测量设备时，
在稳态条件下运行。
6.同注（ 5 ），除了在设备上安装50毫米×50毫米单面2盎司重量的铜。
从结点到焊接点7，热敏电阻（在集电极引线的端部） 。
8.请参考JEDEC规范JESD22- A114和JESD22- A115 。
FZT658
文件编号DS33153启5 - 2
2 7
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2013年5月
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对产品线
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FZT658
热特性和降额信息
70
50
热阻（ ° C / W）
60
50
热阻（ ° C / W）
T
AMB
=25°C
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
40
30
T
AMB
=25°C
50毫米×50毫米
2盎司FR4
D=0.5
40
D=0.5
30
20
10
0
100 1m
10m 100m
D=0.2
D=0.1
单脉冲
D=0.05
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
10
0
100 1m
10m 100m
1
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
10
100
1k
瞬态热阻抗
最大功耗（ W）
最大功耗（ W）
单脉冲
T
AMB
=25°C
瞬态热阻抗
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
50毫米×50毫米
2盎司FR4
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
100
50毫米×50毫米
2盎司FR4
10
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
1
100 1m
10m 100m
脉冲宽度（S ）
1
10
100
1k
温度（℃）
脉冲功率耗散
降额曲线
FZT658
文件编号DS33153启5 - 2
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FZT658
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注9 ）
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压（注9 ）
基射极饱和电压（注9 ）
基射极导通电压（注9 ）
直流电流增益（注9 ）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
民
400
400
7
50
50
40
电流增益带宽积（注9 ）
输出电容（注9 ）
开关时间
注意：
典型值
10
130
3,300
最大
100
100
0.30
0.25
0.50
0.9
1.0
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
测试条件
I
C
= 100A
I
C
= 1毫安
I
E
= 100A
V
CB
= 320V
V
EB
= 6V
I
C
= 20mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V
I
C
=的200mA， V
CE
= 10V
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安，
F = 20MHz的
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
I
C
= 100mA时V
CC
= 100V
I
B1
= 10毫安，我
B2
= -20mA
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
50
兆赫
pF
ns
脉冲条件下9.进行测定。脉冲宽度 300μS 。占空比 2 ％
FZT658
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对产品线
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FZT658
典型电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
FZT658
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