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SOT223 NPN硅平面
开关晶体管
第3期 - 1995年10月
特点
* 40伏V
首席执行官
*快速切换
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FZT2907A
FZT2222A
FZT2222A
C
E
C
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
75
40
5
600
2
-55到+ 150
单位
V
V
V
10
10
10
10
0.3
1.0
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=10
A，I
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0 *
I
E
=10
A，I
C
=0
V
CB
= 50V ，我
E
=0
V
CB
= 50V ，我
E
=0, T
AMB
=150°C
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3V
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 0.1毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V *
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V,T
AMB
=-55°C*
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
单位
V
V
V
mA
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CEX
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
0.6
35
50
75
35
100
50
40
75
40
6
价值
分钟。
马克斯。
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
A
1.2
2.0
300
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 296
FZT2222A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
跃迁频率
输出电容
输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
符号
f
T
C
敖包
C
IBO
t
d
t
r
t
s
t
f
价值
分钟。
300
8
25
10
25
225
60
马克斯。
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= 20mA时， V
CE
=20V
f=100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 140KHz
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0 F = 140KHz
V
CE
=30V, V
BE （OFF）的
=0.5V
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
（见延时测试电路）
V
CE
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
= I
B2
=15mA
（请参阅存储测试电路）
单位
条件。
延迟和上升 - 测试电路
+30V
发电机的上升时间<2ns
脉冲宽度（T
1
)<200ns
占空比= 2 ％
9.9V
200
619
0.5V
0
存储时间和下降时间 - 测试电路
+30V
适用范围：
R
in
> 100千
C
in
< 12 pF的
上升时间和LT ; 5纳秒
200
=100
s
<5ns
+16.2 V
0
1K
-13.8 V
=500
s
1N916
-3V
适用范围：
R
in
> 100千
C
in
< 12 pF的
上升时间和LT ; 5纳秒
占空比= 2 ％
3 - 297
SOT223 NPN硅平面
开关晶体管
第3期 - 1995年10月
特点
* 40伏V
首席执行官
*快速切换
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FZT2907A
FZT2222A
FZT2222A
C
E
C
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
75
40
5
600
2
-55到+ 150
单位
V
V
V
10
10
10
10
0.3
1.0
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=10
A，I
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0 *
I
E
=10
A，I
C
=0
V
CB
= 50V ，我
E
=0
V
CB
= 50V ，我
E
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=150°C
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EB
= 3V ，我
C
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EB （O FF ）
=3V
I
C
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B
=15mA*
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C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
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B
=15mA*
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= 500毫安，我
B
=50mA*
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=10V*
I
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=10V *
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=10V*
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=-55°C*
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C
= 150毫安，V
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I
C
= 150毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
单位
V
V
V
mA
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CEX
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
0.6
35
50
75
35
100
50
40
75
40
6
价值
分钟。
马克斯。
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
A
1.2
2.0
300
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 296
FZT2222A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
跃迁频率
输出电容
输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
符号
f
T
C
敖包
C
IBO
t
d
t
r
t
s
t
f
价值
分钟。
300
8
25
10
25
225
60
马克斯。
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= 20mA时， V
CE
=20V
f=100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 140KHz
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0 F = 140KHz
V
CE
=30V, V
BE （OFF）的
=0.5V
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
（见延时测试电路）
V
CE
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
= I
B2
=15mA
（请参阅存储测试电路）
单位
条件。
延迟和上升 - 测试电路
+30V
发电机的上升时间<2ns
脉冲宽度（T
1
)<200ns
占空比= 2 ％
9.9V
200
619
0.5V
0
存储时间和下降时间 - 测试电路
+30V
适用范围：
R
in
> 100千
C
in
< 12 pF的
上升时间和LT ; 5纳秒
200
=100
s
<5ns
+16.2 V
0
1K
-13.8 V
=500
s
1N916
-3V
适用范围：
R
in
> 100千
C
in
< 12 pF的
上升时间和LT ; 5纳秒
占空比= 2 ％
3 - 297
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FX5545G0054V2T1E2
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FAR-F1DA-6M3120-G205
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电话：0755-82723761/82772189
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