IGBT -模块
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
Kollektor - Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt - Verlustleistung
栅射极Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
隔离， Prüfspannung
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
重复峰值集电极电流
总功耗
栅极 - 发射极电压峰值
直流正向电流
重复峰值FORW 。当前
绝缘测试电压
t
p
=1ms
RMS中，f = 50Hz时， t为1分钟。
t
p
= 1毫秒
t
C
= 25 ° C，晶体管/晶体管
V
CES
I
C
I
CRM
P
合计
V
GE
I
F
I
FRM
V
ISOL
FZ 800 R 16 KF4
1600 V
800 A
1600 A
6250 W
± 20 V
800 A
1600 A
3,4千伏
分钟。
典型值。
3,3
4,4
5,5
130
6
60
-
-
0,8
1
1,1
1,3
0,25
0,3
马克斯。
3,7 V
4,8 V
6,5 V
NF -
- 毫安
- 毫安
400 nA的
400 nA的
- s
- s
- s
- s
- s
- s
Charakteristische Werte /特性值：晶体管
Kollektor发射极Sttigungsspannung
门Schwellenspannung
Eingangskapazitt
Kollektor发射极Reststrom
栅极 - 射极Reststrom
发射极 - 栅极Reststrom
Einschaltzeit （ induktive上）
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
输入容量
集电极 - 发射极截止电流
栅极漏电流
栅极漏电流
开启时间（感性负载）
i
C
= 800A ，V
GE
= 15V ，T
vj
=25°C
i
C
= 800A ，V
GE
= 15V ，T
vj
=125°C
i
C
= 65毫安，V
CE
=v
GE
, t
vj
=25°C
f
O
=1MHz,t
vj
=25°C,v
CE
=25V, v
GE
=0V
v
CE
=1600V, v
GE
= 0V ，T
vj
=25°C
v
CE
=1600V, v
GE
= 0V ，T
vj
=125°C
v
CE
=0V, v
GE
= 20V ，T
vj
=25°C
v
CE
=0V, v
EG
= 20V ，T
vj
=25°C
i
C
=800A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
= ± 15V ，R
G
=2,4, t
vj
=25°C
v
L
= ± 15V ，R
G
=2,4, t
vj
=125°C
Speicherzeit （ induktive上）
存储时间（感性负载）
i
C
=800A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
= ± 15V ，R
G
=2,4, t
vj
=25°C
v
L
= ± 15V ，R
G
=2,4, t
vj
=125°C
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
i
C
=800A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
= ± 15V ，R
G
=2,4, t
vj
=25°C
v
L
= ± 15V ，R
G
=2,4, t
vj
=125°C
t
f
t
s
i
GES
i
EGS
t
on
v
GE （ TO ）
C
IES
i
CES
v
CE坐
-
-
4,5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
Inversdiode /逆二极管
Durchlaspannung
Rückstromspitze
正向电压
峰值反向恢复电流
i
F
= 800A ，V
GE
= 0V ，T
vj
=25°C
i
F
= 800A ，V
GE
= 0V ，T
vj
=125°C
i
F
= 800A ， - 二
F
/dt=4,5kA/s
v
RM
=900V, v
EG
= 10V ，T
vj
=25°C
v
RM
=900V, v
EG
= 10V ，T
vj
=125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
i
F
= 800A ， - 二
F
/dt=4,5kA/s
v
RM
=900V, v
EG
= 10V ，T
vj
=25°C
v
RM
=900V, v
EG
= 10V ，T
vj
=125°C
Q
r
-
-
100
220
- μAs
- μAs
I
RM
-
-
540
660
- A
- A
v
F
-
-
2,4
2,2
2,8 V
- V
导通的每脉冲能量损失
关断每个脉冲的能量损失
i
C
=800A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
R
G
=2,4, t
vj
= 125 ℃下，L-
S
=70nH
i
C
=800A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
R
G
=2,4, t
vj
= 125 ℃下，L-
S
=70nH
E
关闭
-
180
- MWS
E
on
-
340
- MWS
Thermische Eigenschaften /热性能
Innerer Wrmewiderstand
bergangs - Wrmewiderstand
Hchstzul 。 Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
热阻，结到外壳
热电阻，案件散热器
最大。结温
工作温度
储存温度
晶体管/三极管， DC
二极管/二极管， DC
亲模块/每个模块
R
thCK
t
VJ最大
t
运
t
英镑
R
thJC
0.02 ° C / W
0.05 ° C / W
0,01 ° C / W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
维也纳内隔离
内部绝缘
终端M6 /容差± 10 ％
端子M4 /公差+ 5 / -10 ％
终端M8
Gewicht
重量
G
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。在Verbindung MIT书房SIE镀金
zugehrigen Technischen Erluterungen 。本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。它是在有效
结合与归属感技术说明。
M1
M2
Al
2
O
3
3牛米
2牛米
8 ... 10牛米
约1500克
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung /安装扭矩
Anzugsdrehmoment F。 elektr 。 Anschlüsse /终端连接扭矩
Bedingung献给书房Kurzschluschutz /条件短路保护
t
fg
= 10 s
V
CC
= 1000 V
v
L
= ±15V
v
CEM
= 1300 V
R
GF
= R
GR
= 2,4
i
CMK1
≈
8000 A
t
vj
= 125°C
i
CMK2
≈
6000 A
Unabhngig davon鎏金贝abweichenden Bedingungen /对于其他条件V
CEM
= V
CES
- 15nH X |迪
c
/ DT |
QQ：2880707522 复制
