TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 400 65 KF1
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
I
2
吨 - 值，二极管
隔离， Prüfspannung
绝缘测试电压
Teilentladungs Aussetzspannung
局部放电熄灭电压
t
P
= 1毫秒
T
vj
=125°C
T
vj
=25°C
T
vj
=-40°C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1毫秒，T
C
= 80°C
V
CES
I
C， NOM 。
I
C
I
CRM
6500
6300
5800
400
800
800
V
A
A
A
T
C
= 25 ° C，晶体管
P
合计
7,4
kW
V
GES
+/- 20V
V
I
F
400
A
I
FRM
800
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
vj
= 125°C
I
2
t
87
K A
2
s
RMS中，f = 50Hz时， t为1分钟。
V
ISOL
10,2
kV
RMS ， F = 50赫兹，Q
PD
（典型值） 。 10PC （符合IEC 1287 ）
V
ISOL
5,1
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazitt
输入电容
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 25°C
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 125°C
I
C
= 70毫安，V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE （日）
V
CE坐
分钟。
-
-
6,4
典型值。
4,3
5,3
7,0
马克斯。
4,9
5,9
8,1
V
V
V
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
-
5,6
-
C
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 6300V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
V
CE
= 6500V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
C
IES
-
56
0,4
40
-
-
nF
mA
mA
nA
I
CES
-
-
I
GES
-
400
准备：奥利弗博士林女士
批准： Schütze博士2002-07-05
发布日期： 2002-07-05
修改/状态：系列1
1
FZ 400 R65 KF1 （最终1 ）的.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 400 65 KF1
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Einschaltverzgerungszeit （ IND最后）
开机延迟时间（感性负载）
I
C
= 400A ，V
CE
= 3600V
V
GE
= ± 15V ，R
坤
= 6,2, C
GE
= 44nF ，T
vj
= 25°C,
V
GE
= ± 15V ，R
坤
= 6,2, C
GE
= 44nF ，T
vj
= 125°C,
Anstiegszeit （ induktive上）
上升时间（感性负载）
I
C
= 400A ，V
CE
= 3600V
V
GE
= ± 15V ，R
坤
= 6,2, C
GE
= 44nF ，T
vj
= 25°C,
V
GE
= ± 15V ，R
坤
= 6,2, C
GE
= 44nF ，T
vj
= 125°C,
Abschaltverzgerungszeit （ IND最后）
关闭延迟时间（感性负载）
I
C
= 400A ，V
CE
= 3600V
V
GE
= ± 15V ，R
高夫
= 36, C
GE
= 44nF ，T
vj
= 25°C,
V
GE
= ± 15V ，R
高夫
= 36, C
GE
= 44F ，T
vj
= 125°C,
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
I
C
= 400A ，V
CE
= 3600V
V
GE
= ± 15V ，R
高夫
= 36, C
GE
= 44nF ，T
vj
= 25°C,
V
GE
= ± 15V ，R
高夫
= 36, C
GE
= 44F ，T
vj
= 125°C,
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
导通的每脉冲能量损失
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
关断每个脉冲的能量损失
Kurzschluverhalten
SC数据
Modulinduktivitt
杂散电感模块
Modulleitungswiderstand ， Anschlüsse - 芯片
模块引线电阻，接线端子 - 芯片
I
C
= 400A ，V
CE
= 3600V, V
GE
= ±15V
R
坤
= 6,2, C
GE
= 44nF ，T
vj
= 125 ℃下，L-
σ
= 280nH
I
C
= 400A ，V
CE
= 3600V, V
GE
= ±15V
R
高夫
= 36, C
GE
= 44nF ，T
vj
= 125 ℃下，L-
σ
= 280nH
t
P
≤
10微秒，V
GE
≤
15V ， ACC为appl.note 2002/05
T
Vj
≤125°C,
V
CC
=4400V, V
CEmax
=V
CES
-L
σCE
· di / dt的
I
SC
L
SCE
-
-
2000
20
-
-
A
nH
E
关闭
-
2300
-
mJ
E
on
-
4000
-
mJ
t
f
-
-
0,40
0,50
-
-
s
s
t
D，关
-
-
5,50
6,00
-
-
s
s
t
r
-
-
0,37
0,40
-
-
s
s
t
D，上
-
-
0,75
0,72
-
-
s
s
分钟。
典型值。
马克斯。
R
CC' + EE '
-
0,18
-
m
二极管/二极管
Durchlaspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 400A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
F
= 400A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 400A ， - 迪
F
/ DT = 1400A / μs的
V
R
= 3600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 3600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
I
F
= 400A ， - 迪
F
/ DT = 1400A / μs的
V
R
= 3600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 3600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
Abschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 400A ， - 迪
F
/ DT = 1400A / μs的
V
R
= 3600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 3600V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
E
REC
Q
r
I
RM
V
F
分钟。
3,0
典型值。
3,8
3,9
马克斯。
4,6
4,7
V
V
-
-
540
660
-
-
A
A
-
-
360
700
-
-
C
C
-
-
440
1050
-
-
mJ
mJ
2
FZ 400 R65 KF1 （最终1 ）的.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 400 65 KF1
Thermische Eigenschaften /热性能
分钟。
Innerer Wrmewiderstand
热阻，结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻，案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
最高结温
Betriebstemperatur Sperrschicht
结工作温度
Lagertemperatur
储存温度
Schaltvorgnge IGBT（ RBSOA ） ;二极管（SOA）的
切换动作的IGBT （ RBSOA ） ;二极管（SOA）的
晶体管/三极管， DC
二极管/二极管， DC
亲MODUL /每个模块
λ
贴
≤
1瓦/米* K /
λ
油脂
≤
1瓦/米* K
R
thCK
R
thJC
-
-
-
典型值。
-
-
0,008
马克斯。
0,017
0,032
-
K / W
K / W
K / W
T
VJ ，最大
-
-
150
°C
T
VJ ，运
-40
-
125
°C
T
英镑
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ，世赫原基
情况下，见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
Kriechstrecke
爬电距离
Luftstrecke
净空
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung
安装力矩
Anzugsdrehmoment F。 elektr 。 Anschlüsse
终端连接扭矩
Gewicht
重量
Schraube / M6螺丝
M
氮化铝
56
mm
26
mm
>600
5
Nm
Anschlüsse /终端M4
Anschlüsse /终端M8
M
2
8 - 10
1000
Nm
Nm
g
G
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。
在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。这是
有效的与属于技术说明组合。
3
FZ 400 R65 KF1 （最终1 ）的.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 400 65 KF1
Ausgangskennlinie （ typisch ）
输出特性（典型值）
I
C
= F（V
CE
)
V
GE
= 15V
800
700
600
25°C
125°C
I
C
[A]
500
400
300
200
100
0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
8,0
9,0
10,0
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld （ typisch ）
输出特性（典型值）
I
C
= F（V
CE
), V
GE
= <见插图>
T
vj
= 125°C
800
700
600
20V
15V
12V
10V
I
C
[A]
500
400
300
200
100
0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
8,0
9,0
10,0
V
CE
[V]
4
FZ 400 R65 KF1 （最终1 ）的.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 400 65 KF1
bertragungscharakteristik （ typisch ）
传输特性（典型值）
I
C
= F（V
GE
)
V
CE
= 10V
800
700
600
25°C
125°C
I
C
[A]
500
400
300
200
100
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
[V]
Durchlakennlinie德Inversdiode （ typisch ）
反向二极管的正向特性（典型值）
800
700
600
25°C
125°C
I
F
= F（V
F
)
I
F
[A]
500
400
300
200
100
0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
V
F
[V]
5
FZ 400 R65 KF1 （最终1 ）的.xls
QQ：2880707522 复制
