TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 1200 R 33 KL2
vorlufiges Datenblatt
初步数据表
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
I
2
吨 - 值，二极管
Spitzenverlustleistung DER二极管
最大耗散功率二极管
隔离， Prüfspannung
绝缘测试电压
Teilentladungs - Aussetzspannung
局部放电熄灭电压
t
P
= 1毫秒
T
j
= 25°C
T
j
= -25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1毫秒，T
C
= 80°C
V
CES
3300
3300
1200
2300
2400
V
I
C， NOM 。
I
C
I
CRM
A
A
A
T
C
= 25 ° C，晶体管
P
合计
14,7
kW
V
GES
+/- 20V
V
I
F
1200
A
I
FRM
2400
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
Vj
= 125°C
I
2
t
440.000
A
2
s
T
j
= 125°C
P
RQM
1.500
kW
RMS中，f = 50Hz时， t为1分钟。
V
ISOL
6.000
V
RMS ， F = 50赫兹，Q
PD
10件（符合IEC 1287 ）
V
ISOL
2.600
V
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Eingangskapazitt
输入电容
Rückwirkungskapazitt
反向传输电容
Gateladung
栅极电荷
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 1200A ，V
GE
= 15V ， TVJ = 25°C
I
C
= 1200A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 125°C
I
C
= 120毫安， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE （日）
V
CE坐
分钟。
-
-
4,2
典型值。
3,00
3,70
5,1
马克斯。
3,65
4,45
6,0
V
V
V
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
-
145
-
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
水库
-
8
-
nF
V
GE
= -15V ... + 15V, V
CE
= 1800V
Q
G
-
22
-
C
V
CE
= 3300V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
CES
-
-
5
mA
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
准备： J.比尔曼
批准： Christoh Lübke ; 2002-04-30
发布日期： 2002-04-23
修订： 3
1 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 1200 R 33 KL2
vorlufiges Datenblatt
初步数据表
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Einschaltverzgerungszeit （ IND最后）
开机延迟时间（感性负载）
I
C
= 1200 A ，V
CC
= 1800V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 125°C
Anstiegszeit （ induktive上）
上升时间（感性负载）
I
C
= 1200 A ，V
CC
= 1800V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 125°C
Abschaltverzgerungszeit （ IND最后）
关闭延迟时间（感性负载）
I
C
= 1200 A ，V
CC
= 1800V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 125°C
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
I
C
= 1200 A ，V
CC
= 1800V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 125°C
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
导通的每脉冲能量损失
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
关断每个脉冲的能量损失
Kurzschluverhalten
SC数据
Modulinduktivitt
杂散电感模块
MODUL - Leitungswiderstand ， Anschlüsse - 芯片
引线电阻，接线端子 - 芯片
中T = 25℃
I
C
= 1200 A ，V
CC
= 1800V, V
GE
= 15V
R
G
= 1,2W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 40nH
I
C
= 1200 A ，V
CC
= 1800V, V
GE
= 15V
R
G
= 2,7W ，C
GE
= 330nF ，T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 40nH
t
P
10微秒，V
GE
15V
T
Vj
125°C,
V
CC
=2500V, V
CEmax
=V
CES
-L
SCE
· di / dt的
I
SC
L
SCE
-
-
5200
10
-
-
A
nH
E
关闭
-
1590
-
MWS
E
on
-
2700
-
MWS
t
f
-
-
220
330
-
-
ns
ns
t
D，关
-
-
2500
2700
-
-
ns
ns
t
r
-
-
450
450
ns
ns
t
D，上
-
-
700
700
ns
ns
分钟。
典型值。
马克斯。
R
CC' + EE '
-
0,12
-
mW
Charakteristische Werte /特征值
二极管/二极管
Durchlaspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 1200 A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
F
= 1200 A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 1200 A ， - 迪
F
/ DT = 4900 A /微秒
V
R
= 1800V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 1800V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
I
F
= 1200 A ， - 迪
F
/ DT = 4900 A /微秒
V
R
= 1800V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 1800V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
Abschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 1200 A ， - 迪
F
/ DT = 4900 A /微秒
V
R
= 1800V ， VGE = -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 1800V ， VGE = -10V ，T
vj
= 125°C
E
REC
-
-
430
1150
-
-
MWS
MWS
Q
r
-
-
650
1200
-
-
μAs
μAs
I
RM
-
-
1180
1300
-
-
A
A
V
F
分钟。
-
-
典型值。
2,60
2,45
马克斯。
3,35
3,30
V
V
2 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 1200 R 33 KL2
vorlufiges Datenblatt
初步数据表
Thermische Eigenschaften /热性能
分钟。
Innerer Wrmewiderstand
热阻，结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻，案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
晶体管/三极管， DC
二极管/二极管， DC
亲MODUL /每个模块
l
贴
= 1瓦/米* K /
l
油脂
= 1瓦/米* K
R
thCK
R
thJC
-
-
-
典型值。
-
-
0,006
马克斯。
0,0085
0,0170
-
K / W
K / W
K / W
T
vj
-
-
150
°C
T
VJ运
-40
-
125
°C
T
英镑
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ，世赫原基
情况下，见附录
材料Modulgrundplatte
模块基板材料
维也纳内隔离
内部绝缘
Kriechstrecke
爬电距离
Luftstrecke
净空
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung
安装力矩
Anzugsdrehmoment F。 elektr 。 Anschlüsse
终端连接扭矩
Gewicht
重量
终端M4
终端M8
G
M1
铝碳化硅
氮化铝
32,2
mm
19,1
mm
＆ GT ; 400
5
Nm
M2
2
8 .. 10
1500
Nm
Nm
g
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。
在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。这是
有效的与属于技术说明组合。
3 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 1200 R 33 KL2
vorlufiges Datenblatt
初步数据表
Ausgangskennlinie （ typisch ）
输出特性（典型值）
我= F （V
CE
)
C
V
GE
= 15V
2400
2000
中T = 25℃
T = 125°C
1600
I
C
[A]
1200
800
400
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld （ typisch ）
输出特性（典型值）
2400
我= F （V
CE
)
C
T
vj
= 125°C
2000
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
1600
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
I
C
[A]
1200
800
400
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
V
CE
[V]
4 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 1200 R 33 KL2
bertragungscharakteristik （ typisch ）
传输特性（典型值）
vorlufiges Datenblatt
初步数据表
我= F （V
GE
)
C
V
CE
= 20V
2400
中T = 25℃
T = 125°C
2000
1600
I
C
[A]
1200
800
400
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
[V]
Durchlakennlinie德Inversdiode （ typisch ）
反向二极管的正向特性（典型值）
2400
TJ = 25°C
我= F （V
F
)
F
2000
TJ = 125°C
1600
I
F
[A]
1200
800
400
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
V
F
[V]
5 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
QQ：2881677436 复制
