我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱N沟道功率MOSFET
三菱N沟道功率MOSFET
Y
INAR
M
RELI
P
.
ATION
NGE 。
pecific要查
INAL SE主题
af
不限制AR
这
otice ：参
N
一些
FY8BCH-02F
FY8BCH-02F
高速开关使用
高速开关使用
FY8BCH-02F
外形绘图
尺寸（mm）
6.4
4.4
3.0
1.1
0.275
0.65
q
2.5V驱动
q
V
DSS ................................................. .................................
20V
q
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ...................
16m
q
I
D ...........................................................................................
8A
来源
门
漏
TSSOP8
应用
锂 - 离子电池保护
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
评级
20
±10
8
56
8
1.5
6.0
1.6
–55 ~ +150
–55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
2000年9月
L = 10μH
典型的价值
0.035
三菱N沟道功率MOSFET
.
ATION
NGE 。
pecific要查
最后SE主题
OT一
r
是网卡是一个限制
E：钍
tr
通知帕拉梅
索姆
P
Y
INAR
M
RELI
FY8BCH-02F
高速开关使用
（总胆固醇= 25 ℃）下
电气特性
符号
参数
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 8A ，V
GS
= 4V
I
D
= 4A ，V
GS
= 2.5V
I
D
= 8A ，V
GS
= 4V
I
D
= 8A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
20
±10
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
0.9
13
17
0.104
—
1800
—
—
—
—
—
—
0.85
—
50
马克斯。
—
—
±10
0.1
1.5
16
22
0.128
—
—
—
—
—
—
—
—
1.1
78.1
—
单位
V
V
A
mA
V
m
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） GSS
栅源击穿电压
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
第（章-a）的
t
rr
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 10V ，我
D
= 4A ，V
GS
= 4V ，R
根
= R
GS
= 50
—
—
—
—
—
—
I
S
= 1.5A ，V
GS
= 0V
渠道环境
I
S
= 1.5A ， DIS / DT = -50A /微秒
2000年9月
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱N沟道功率MOSFET
三菱N沟道功率MOSFET
Y
INAR
M
RELI
P
.
ATION
NGE 。
pecific要查
INAL SE主题
af
不限制AR
这
otice ：参
N
一些
FY8BCH-02F
FY8BCH-02F
高速开关使用
高速开关使用
FY8BCH-02F
外形绘图
尺寸（mm）
6.4
4.4
3.0
1.1
0.275
0.65
q
2.5V驱动
q
V
DSS ................................................. .................................
20V
q
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ...................
16m
q
I
D ...........................................................................................
8A
来源
门
漏
TSSOP8
应用
锂 - 离子电池保护
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
评级
20
±10
8
56
8
1.5
6.0
1.6
–55 ~ +150
–55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
2000年9月
L = 10μH
典型的价值
0.035
三菱N沟道功率MOSFET
.
ATION
NGE 。
pecific要查
最后SE主题
OT一
r
是网卡是一个限制
E：钍
tr
通知帕拉梅
索姆
P
Y
INAR
M
RELI
FY8BCH-02F
高速开关使用
（总胆固醇= 25 ℃）下
电气特性
符号
参数
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 8A ，V
GS
= 4V
I
D
= 4A ，V
GS
= 2.5V
I
D
= 8A ，V
GS
= 4V
I
D
= 8A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
20
±10
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
0.9
13
17
0.104
—
1800
—
—
—
—
—
—
0.85
—
50
马克斯。
—
—
±10
0.1
1.5
16
22
0.128
—
—
—
—
—
—
—
—
1.1
78.1
—
单位
V
V
A
mA
V
m
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） GSS
栅源击穿电压
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
第（章-a）的
t
rr
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 10V ，我
D
= 4A ，V
GS
= 4V ，R
根
= R
GS
= 50
—
—
—
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—
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I
S
= 1.5A ，V
GS
= 0V
渠道环境
I
S
= 1.5A ， DIS / DT = -50A /微秒
2000年9月
QQ：2880707522 复制
