【我们所有的客户关于文件中提到的名字，如三菱的变化电气和三菱XX ，瑞萨科技公司日立和三菱电机的半导体】,IC型号FY7ACH-03A,FY7ACH-03A PDF资料,FY7ACH-03A经销商,ic,电子元器件-51电子网

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

FY7ACH-03A

外形绘图

尺寸（mm）

6.0

4.4

5.0

1.8 MAX 。

0.4

1.27

来源

门

漏

G

2.5V驱动

G

V

DSS ................................................. .................................

30V

G

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

26m

G

I

D ...........................................................................................

7A

SOP-8

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

30

±10

7

49

7

1.7

6.8

1.8

–55 ~ +150

0.07

单位

V

A

W

°C

g

2001年9月

L = 10μH

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

=

±10V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 3A ，V

GS

= 2.5V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 7A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

30

—

0.5

—

典型值。

—

0.9

20

28

0.14

18

1450

480

230

25

55

130

120

0.75

—

100

马克斯。

—

±0.1

0.1

1.3

26

38

0.18

—

1.1

69.4

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 10V ，我

D

= 3A ，V

GS

= 4V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 1.7A ，V

GS

= 0V

渠道环境

I

S

= 1.7A ， DIS / DT = -50A /微秒

性能曲线

功耗降额曲线

2.0

最大安全工作区

5

3

2

TW = 10微秒

100s

功耗P

D

(W)

1.6

漏电流I

D

(A)

10

1

7

5

3

2

1ms

1.2

0.8

10

0

7

5

3

2

10ms

100ms

0.4

10

–1

T

C

= 25°C

0

50

100

150

200

7

5

单脉冲

DC

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

20

T

C

= 25°C

脉冲测试

输出特性

（典型值）

10

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

2V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

16

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

2V

1.5V

漏电流I

D

(A)

8

1.5V

12

6

8

4

P

D

= 1.8W

4

P

D

= 1.8W

2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

1.0

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

40

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.8

32

0.6

24

V

GS

= 2.5V

4V

0.4

I

D

= 14A

16

0.2

7A

3A

8

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

20

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

10

2

V

DS

= 10V

7脉冲测试

5

T

C

= 25°C

4

75°C

3

125°C

2

漏电流I

D

(A)

12

正向传递

导纳

y

fs

(S)

16

10

1

7

5

4

3

2

8

4

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

10

0

7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

4

3

2

西塞

开关特性

（典型值）

10

3

T

C

H = 25℃

7 V

DD

= 15V

5 V

GS

= 4V

4 R

根

= R

GS

= 50

3

2

t

D（关闭）

t

f

10

3

7

5

4

3

2 T

C

H = 25℃

F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

2

3 4 5 7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

科斯

CRSS

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

2

7

5

4

3

2

t

r

t

D（上）

10

2 –1

10

1

7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

20

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

5

T

C

H = 25℃

I

D

= 7A

V

DS

= 10V

15V

20V

4

16

3

12

2

8

1

4

T

C

H = 125°C

75°C

25°C

0

4

8

12

16

20

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 4V

7 I

D

= 7A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

2.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

1.6

1.2

10

0

7

5

3

2

0.8

0.4

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

瞬态热阻抗Z

日（ CH - 一）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5 D = 1.0

3

0.5

2

1.2

10

1

0.2

7

5 0.1

3

2

P

DM

tw

1.0

0.8

10

0

7

5

3

2

0.05

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–1 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3 5 7

10

3

脉冲宽度t

w

(s)

2001年9月

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

FY7ACH-03A

外形绘图

尺寸（mm）

6.0

4.4

5.0

1.8 MAX 。

0.4

1.27

来源

门

漏

q

2.5V驱动

q

V

DSS ................................................. .................................

30V

q

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ..................

26m

q

I

D ...........................................................................................

7A

SOP-8

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

30

±10

7

49

7

1.7

6.8

1.8

–55 ~ +150

0.07

单位

V

A

W

°C

g

Sep.1998

L = 10μH

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

参数

漏源击穿电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

= ±10V, V

DS

= 0V

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 3A ，V

GS

= 2.5V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 7A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

30

—

0.5

—

典型值。

—

0.9

20

28

0.14

18

1450

480

230

25

55

130

120

0.75

—

100

马克斯。

—

±0.1

0.1

1.3

26

38

0.18

—

1.1

69.4

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 10V ，我

D

= 3A ，V

GS

= 4V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 1.7A ，V

GS

= 0V

渠道环境

I

S

= 1.7A ， DIS / DT = -50A /微秒

性能曲线

功耗降额曲线

2.0

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

5

3

2

TW = 10微秒

100s

1.6

10

1

7

5

3

2

1ms

1.2

0.8

10

0

7

5

3

2

10ms

100ms

0.4

10

–1

T

C

= 25°C

0

50

100

150

200

7

5

单脉冲

DC

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

20

T

C

= 25°C

脉冲测试

输出特性

（典型值）

10

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

2V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

16

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

2V

1.5V

漏电流I

D

(A)

8

1.5V

12

6

8

4

P

D

= 1.8W

4

P

D

= 1.8W

2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

1.0

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

40

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.8

32

0.6

24

V

GS

= 2.5V

4V

0.4

I

D

= 14A

16

0.2

7A

3A

8

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

20

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

10

2

V

DS

= 10V

7脉冲测试

5

T

C

= 25°C

4

75°C

3

125°C

2

漏电流I

D

(A)

12

正向传递

导纳

y

fs

(S)

16

10

1

7

5

4

3

2

8

4

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

10

0

7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

4

3

2

西塞

开关特性

（典型值）

10

3

T

C

H = 25℃

7 V

DD

= 15V

5 V

GS

= 4V

4 R

根

= R

GS

= 50

3

2

t

D（关闭）

t

f

10

3

7

5

4

3

2 T

C

H = 25℃

F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

2

3 4 5 7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

科斯

CRSS

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

2

7

5

4

3

2

t

r

t

D（上）

10

2 –1

10

1

7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

20

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

5

T

C

H = 25℃

I

D

= 7A

V

DS

= 10V

15V

20V

4

16

3

12

2

8

1

4

T

C

H = 125°C

75°C

25°C

0

4

8

12

16

20

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 4V

7 I

D

= 7A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

2.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

1.6

1.2

10

0

7

5

3

2

0.8

0.4

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

瞬态热阻抗Z

日（ CH - 一）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5 D = 1.0

3

0.5

2

1.2

10

1

0.2

7

5 0.1

3

2

P

DM

tw

1.0

0.8

10

0

7

5

3

2

0.05

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–1 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3 5 7

10

3

脉冲宽度t

w

(s)

Sep.1998

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

FY7ACH-03A

外形绘图

尺寸（mm）

6.0

4.4

5.0

1.8 MAX 。

0.4

1.27

来源

门

漏

q

2.5V驱动

q

V

DSS ................................................. .................................

30V

q

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ..................

26m

q

I

D ...........................................................................................

7A

SOP-8

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

30

±10

7

49

7

1.7

6.8

1.8

–55 ~ +150

0.07

单位

V

A

W

°C

g

Sep.1998

L = 10μH

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

参数

漏源击穿电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

= ±10V, V

DS

= 0V

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 3A ，V

GS

= 2.5V

I

D

= 7A ，V

GS

= 4V

I

D

= 7A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

30

—

0.5

—

典型值。

—

0.9

20

28

0.14

18

1450

480

230

25

55

130

120

0.75

—

100

马克斯。

—

±0.1

0.1

1.3

26

38

0.18

—

1.1

69.4

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 10V ，我

D

= 3A ，V

GS

= 4V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 1.7A ，V

GS

= 0V

渠道环境

I

S

= 1.7A ， DIS / DT = -50A /微秒

性能曲线

功耗降额曲线

2.0

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

5

3

2

TW = 10微秒

100s

1.6

10

1

7

5

3

2

1ms

1.2

0.8

10

0

7

5

3

2

10ms

100ms

0.4

10

–1

T

C

= 25°C

0

50

100

150

200

7

5

单脉冲

DC

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

20

T

C

= 25°C

脉冲测试

输出特性

（典型值）

10

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

2V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

16

V

GS

= 5V

4V

3V

2.5V

2V

1.5V

漏电流I

D

(A)

8

1.5V

12

6

8

4

P

D

= 1.8W

4

P

D

= 1.8W

2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

1.0

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

40

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.8

32

0.6

24

V

GS

= 2.5V

4V

0.4

I

D

= 14A

16

0.2

7A

3A

8

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

20

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

10

2

V

DS

= 10V

7脉冲测试

5

T

C

= 25°C

4

75°C

3

125°C

2

漏电流I

D

(A)

12

正向传递

导纳

y

fs

(S)

16

10

1

7

5

4

3

2

8

4

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

10

0

7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

4

3

2

西塞

开关特性

（典型值）

10

3

T

C

H = 25℃

7 V

DD

= 15V

5 V

GS

= 4V

4 R

根

= R

GS

= 50

3

2

t

D（关闭）

t

f

10

3

7

5

4

3

2 T

C

H = 25℃

F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

2

3 4 5 7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

科斯

CRSS

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

2

7

5

4

3

2

t

r

t

D（上）

10

2 –1

10

1

7

10

0

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

FY7ACH-03A

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

20

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

5

T

C

H = 25℃

I

D

= 7A

V

DS

= 10V

15V

20V

4

16

3

12

2

8

1

4

T

C

H = 125°C

75°C

25°C

0

4

8

12

16

20

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 4V

7 I

D

= 7A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

2.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

1.6

1.2

10

0

7

5

3

2

0.8

0.4

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

瞬态热阻抗Z

日（ CH - 一）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5 D = 1.0

3

0.5

2

1.2

10

1

0.2

7

5 0.1

3

2

P

DM

tw

1.0

0.8

10

0

7

5

3

2

0.05

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–1 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3 5 7

10

3

脉冲宽度t

w

(s)

Sep.1998

沟道温度Tch （ ° C）