【我们所有的客户关于文件中提到的名字，如三菱的变化电气和三菱XX ，瑞萨科技公司日立和三菱电机的半导体】,IC型号FY12AAJ-03F,FY12AAJ-03F PDF资料,FY12AAJ-03F经销商,ic,电子元器件-51电子网

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FY12AAJ-03F

高速开关使用

FY12AAJ-03F

外形绘图

尺寸（mm）

6.0

4.4

5.0

1.8 MAX 。

0.4

1.27

G

4V DRIVE

G

V

DSS

................................................................. 30V

G

r

DS （ ON）（ MAX ）

............................................. 11.5m

G

I

D

...................................................................... 12A

来源

门

漏

SOP-8

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲） L = 10μH

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

典型的价值

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

30

±20

12

84

12

1.8

7.2

2.0

–55~+150

0.07

单位

V

A

W

°C

g

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY12AAJ-03F

高速开关使用

电气特性

符号

参数

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

G

=

±100A,

V

GS

= 0V

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 12A ，V

GS

= 10V

I

D

= 6A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 6A ，V

GS

= 4V

I

D

= 12A ，V

GS

= 10V

I

D

= 12A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

范围

分钟。

30

±20

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

9.0

12.5

14.5

0.108

25

1800

500

230

18

20

50

17

35

4

10

0.75

—

45

马克斯。

—

0.1

±10

2.0

11.5

17.5

20.0

0.138

—

1.10

62.5

—

单位

V

mA

A

V

m

V

S

pF

ns

nC

V

° C / W

ns

V

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

V

（ BR ） GSS

栅源击穿电压

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

| y

fs

|

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 15V ，我

D

= 6A ，V

GS

= 10V ，R

G

= 5

V

DD

= 15V, V

GS

= 10V ，我

D

= 12A

I

S

= 1.8A ，V

GS

= 0V

通道的空气

I

S

= 1.8A ，D

is

/d

t

= -50A /微秒

2001年9月

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FY12AAJ-03F

高速开关使用

FY12AAJ-03F

外形绘图

尺寸（mm）

6.0

4.4

5.0

1.8 MAX 。

0.4

1.27

G

4V DRIVE

G

V

DSS

................................................................. 30V

G

r

DS （ ON）（ MAX ）

............................................. 11.5m

G

I

D

...................................................................... 12A

来源

门

漏

SOP-8

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

（ TC = 25 ° C）

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲） L = 10μH

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

典型的价值

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

30

±20

12

84

12

1.8

7.2

2.0

–55~+150

0.07

单位

V

A

W

°C

g

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FY12AAJ-03F

高速开关使用

电气特性

（总胆固醇= 25 ℃）下

符号

参数

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

G

=

±100A,

V

GS

= 0V

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 12A ，V

GS

= 10V

I

D

= 6A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 6A ，V

GS

= 4V

I

D

= 12A ，V

GS

= 10V

I

D

= 12A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

测试条件

范围

分钟。

30

±20

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

9.0

12.5

14.5

0.108

25

1800

500

230

18

20

50

17

35

4

10

0.75

—

45

马克斯。

—

0.1

±10

2.0

11.5

17.5

20.0

0.138

—

1.10

62.5

—

单位

V

mA

A

V

m

V

S

pF

ns

nC

V

° C / W

ns

V

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

V

（ BR ） GSS

栅源击穿电压

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

| y

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|

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 15V ，我

D

= 6A ，V

GS

= 10V ，R

G

= 5

V

DD

= 15V, V

GS

= 10V ，我

D

= 12A

I

S

= 1.8A ，V

GS

= 0V

通道的空气

I

S

= 1.8A ，D

is

/d

t

= -50A /微秒

2001年9月