【三菱N沟道功率MOSFETFY10AAJ-03A高速开关使用FY10AAJ-03A外形绘图尺寸（mm】,IC型号FY10AAJ-03,FY10AAJ-03 PDF资料,FY10AAJ-03经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱N沟道功率MOSFET

FY10AAJ-03A

高速开关使用

FY10AAJ-03A

外形绘图

尺寸（mm）

6.0

4.4

5.0

1.8 MAX 。

0.4

1.27

来源

门

漏

q

4V DRIVE

q

V

DSS ................................................. .................................

30V

q

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...............

13.5m

q

I

D .........................................................................................

10A

SOP-8

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

30

±20

10

70

10

2.3

9.2

2.0

–55 ~ +150

0.07

单位

V

A

W

°C

g

Sep.1998

L = 10μH

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FY10AAJ-03A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

参数

漏源击穿电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

GS

= 4V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 10A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

30

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

9.5

15

0.095

20

1800

650

280

25

45

125

90

0.75

—

45

马克斯。

—

±0.1

0.1

2.0

13.5

20.0

0.135

—

1.10

62.5

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 15V ，我

D

= 5A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 2.3A ，V

GS

= 0V

渠道环境

I

S

= 2.3A ， DIS / DT = -50A /微秒

性能曲线

功耗降额曲线

2.5

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

2

10

2

2.0

7

5

3

2

7

5

3

2

7

5

3

2

TW = 100μs的

1ms

10ms

100ms

10

1

1.5

1.0

10

0

0.5

10

–1

7

5

3

2

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

0

50

100

150

200

2 3 57

10

0

2 3 57

10

1

2 3 57

10

2

2 3 57

10

3

2

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

50

4V

输出特性

（典型值）

20

V

GS

= 10V

8V

6V

4V

3.5V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

40

30

V

GS

= 10V

8V

6V

T

C

= 25°C

脉冲测试

3.5V

漏电流I

D

(A)

16

12

3V

20

3V

8

10

P

D

= 2W

4

P

D

= 2W

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

FY10AAJ-03A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

1.0

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

40

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.8

32

0.6

24

V

GS

= 4V

10V

0.4

I

D

= 20A

10A

16

0.2

5A

8

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

0

2

4

6

8

10

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

50

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

10

2

V

DS

= 10V

7脉冲测试

5

4

3

2

T

C

= 25°C

75°C

125°C

漏电流I

D

(A)

30

正向传递

导纳

y

fs

(S)

40

10

1

7

5

4

3

2

20

10

0

2

4

6

8

10

0 0

10

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

开关特性

（典型值）

10

4

7

5

4

3

2

t

D（关闭）

10

3

7

5

3

2

科斯

CRSS

切换时间（纳秒）

西塞

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

3

t

f

7

5

4

3 t

r

2 t

D（上）

10

2

7

5

3 T

C

H = 25℃

2 F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

10

1 –1

10

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏源电压V

DS

(V)

10

2 0

10

T

C

H = 25℃

V

DD

= 15V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

FY10AAJ-03A

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

50

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

10

T

C

H = 25℃

I

D

= 10A

V

DS

= 15V

20V

25V

8

40

6

30

T

C

= 125°C

75°C

25°C

4

20

2

10

0

10

20

30

40

50

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 10V

7 I

D

= 10A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

4.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

3.2

2.4

10

0

7

5

3

2

1.6

0.8

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

瞬态热阻抗Z

日（ CH - 一）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5 D = 1.0

3

2 0.5

5 0.1

3

2 0.05

7

5 0.01

3

2

7单脉冲

5

3

2

P

DM

tw

T

D

=

tw

T

1.2

10

1

0.2

7

1.0

10

0

0.02

0.8

0.6

10

–1

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3 5 7

10

3

脉冲宽度t

w

(s)

Sep.1998

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FY10AAJ-03A

高速开关使用

FY10AAJ-03A

外形绘图

尺寸（mm）

6.0

4.4

5.0

1.8 MAX 。

0.4

1.27

来源

门

漏

q

4V DRIVE

q

V

DSS ................................................. .................................

30V

q

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...............

13.5m

q

I

D .........................................................................................

10A

SOP-8

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

30

±20

10

70

10

2.3

9.2

2.0

–55 ~ +150

0.07

单位

V

A

W

°C

g

Sep.1998

L = 10μH

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

FY10AAJ-03A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

第（章-a）的

t

rr

参数

漏源击穿电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 5A ，V

GS

= 4V

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

I

D

= 10A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

30

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

9.5

15

0.095

20

1800

650

280

25

45

125

90

0.75

—

45

马克斯。

—

±0.1

0.1

2.0

13.5

20.0

0.135

—

1.10

62.5

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 15V ，我

D

= 5A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 2.3A ，V

GS

= 0V

渠道环境

I

S

= 2.3A ， DIS / DT = -50A /微秒

性能曲线

功耗降额曲线

2.5

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

2

10

2

2.0

7

5

3

2

7

5

3

2

7

5

3

2

TW = 100μs的

1ms

10ms

100ms

10

1

1.5

1.0

10

0

0.5

10

–1

7

5

3

2

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

0

50

100

150

200

2 3 57

10

0

2 3 57

10

1

2 3 57

10

2

2 3 57

10

3

2

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

50

4V

输出特性

（典型值）

20

V

GS

= 10V

8V

6V

4V

3.5V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

40

30

V

GS

= 10V

8V

6V

T

C

= 25°C

脉冲测试

3.5V

漏电流I

D

(A)

16

12

3V

20

3V

8

10

P

D

= 2W

4

P

D

= 2W

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

FY10AAJ-03A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

1.0

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

40

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.8

32

0.6

24

V

GS

= 4V

10V

0.4

I

D

= 20A

10A

16

0.2

5A

8

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

0

2

4

6

8

10

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

50

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

10

2

V

DS

= 10V

7脉冲测试

5

4

3

2

T

C

= 25°C

75°C

125°C

漏电流I

D

(A)

30

正向传递

导纳

y

fs

(S)

40

10

1

7

5

4

3

2

20

10

0

2

4

6

8

10

0 0

10

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

开关特性

（典型值）

10

4

7

5

4

3

2

t

D（关闭）

10

3

7

5

3

2

科斯

CRSS

切换时间（纳秒）

西塞

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

3

t

f

7

5

4

3 t

r

2 t

D（上）

10

2

7

5

3 T

C

H = 25℃

2 F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

10

1 –1

10

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏源电压V

DS

(V)

10

2 0

10

T

C

H = 25℃

V

DD

= 15V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

FY10AAJ-03A

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

50

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

10

T

C

H = 25℃

I

D

= 10A

V

DS

= 15V

20V

25V

8

40

6

30

T

C

= 125°C

75°C

25°C

4

20

2

10

0

10

20

30

40

50

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 10V

7 I

D

= 10A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

4.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

3.2

2.4

10

0

7

5

3

2

1.6

0.8

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

瞬态热阻抗Z

日（ CH - 一）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

2

7

5 D = 1.0

3

2 0.5

5 0.1

3

2 0.05

7

5 0.01

3

2

7单脉冲

5

3

2

P

DM

tw

T

D

=

tw

T

1.2

10

1

0.2

7

1.0

10

0

0.02

0.8

0.6

10

–1

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3 5 7

10

3

脉冲宽度t

w

(s)

Sep.1998

沟道温度Tch （ ° C）