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订购数量: ENN5372A
MOSFET : P通道MOSFET硅
SBD :肖特基二极管
FX856
DC / DC转换器应用
特点
·该FX856复合装置由以下
两个设备,以促进高密度安装。一
是P沟道MOSFET ,具有低导通
阻力,高速切换,低驱动
电压。另一种是肖特基势垒二极管
功能很短的反向恢复时间和较低的正向
电压。
·在FX856纳入每个设备等同
到2SJ416和向SB07-03P分别。
包装尺寸
单位:mm
2119
[FX856]
5.0
0.5
1.5
1.5
5
4.2
2.4
6
0.7
1.0
5.9
0.4
4
3
2
0.8
2.4
1
0.8
2.4
0.4
1.8
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
[ SBD ]
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压浪涌
平均整流电流
正向电流浪涌
结温
储存温度
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
TSTG
50Hz正弦波,回循环
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW为10μs ,占空比1 %
符号
条件
6.2
1.2D 0.15max
1 :门
2 :源
3 :没有联系
4 :阳极
5 :阴极
6 :排水
(底视图)
三洋: XP6
评级
–30
±20
–2
–8
2
单位
V
V
A
A
W
W
C
C
V
V
mA
A
C
C
安装在陶瓷板( 750毫米
×0.8mm)
Tc=25°C
1.5
6
150
-55到+150
30
35
700
5
-55到+125
-55到+125
标记: 863
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
92500TS ( KOTO ) TA- 2770 No.5372-1 / 5
FX856
电气特性
在Ta = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
[ SBD ]
反向电压
正向电压
反向电流
端间电容
反向恢复时间
热阻
VR
VF
IR
C
TRR
Rthj -A
IR=300A
IF=700mA
VR=15V
VR = 10V , F = 1MHz的周期
IF = IR = 100mA时,请参阅指定的测试电路
安装在陶瓷板( 750毫米
2
×0.8mm)
26
10
100
30
0.55
80
V
V
A
pF
ns
° C / W
符号
条件
评级
–30
–100
±10
–1.0
1.2
2.0
310
480
170
120
30
10
20
110
75
–1.0
–1.2
440
650
–2.5
典型值
最大
单位
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VSD
ID = -1mA , VGS = 0
VDS = -30V , VGS = 0
VGS = ± 16V , VDS = 0
VDS = -10V ,ID = -1mA
VDS = -10V ,ID = -1A
ID = -1A , VGS = -10V
ID = -1A , VGS = -4V
VDS = -10V , F = 1MHz的
VDS = -10V , F = 1MHz的
VDS = -10V , F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
IS = -2A , VGS = 0
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
电气连接
6
5
1
2
3
4
1 :门
2 :源
3 :没有联系
4 :阳极
5 :阴极
6 :排水
开关时间测试电路
[ MOSFET ]
VDD = --15V
ID = --1A
RL=15
TRR测试电路
[ SBD ]
0V
--10V
VIN
PW=10s
D.C.≤1%
VR
100mA
D
VOUT
10s
50
100
10
G
--5V
P.G
50
FX856
TRR
S
No.5372–2/5
10mA
VIN
Duty≤10%
100mA
FX856
--10V
--4.0V
--2.0
ID - VDS
--3.6
V
[ MOSFET ]
--4
ID - VGS
[ MOSFET ]
VDS = --10V
--3.4V
漏电流,我
D
– A
--1.2
--3.0V
--2.8V
--2.6V
漏电流,我
D
– A
--3
--2
--0.8
--1
--0.4
0
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
IT01328
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
IT01329
漏极至源极电压,V
DS
– V
1.4
栅极 - 源极电压,V
GS
– V
3
2
RDS ( ON) - VGS
[ MOSFET ]
ID = --1A
RDS ( ON) - ID
25
°
C
VGS = --2.0V
--2.4V
--2.2V
--25
°
C
TA
75
°
C
--1.6
--3.2V
[ MOSFET ]
静态漏 - 源
通态电阻,R
DS ( ON)
1.0
静态漏 - 源
通态电阻,R
DS ( ON)
1.2
1.0
7
5
0.8
VGS = --4V
--10V
0.6
0.4
3
2
0.2
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
--22
0.1
栅极 - 源极电压,V
GS
– V
1.0
7 --0.01
2
3
5
IT01330
漏电流,我
D
– A
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
RDS ( ON) - TA
[ MOSFET ]
正向转移导纳, | YFS | - S
7
5
3
2
| y
fs
| - I
D
IT01331
[ MOSFET ]
VDS = --10V
静态漏 - 源
通态电阻,R
DS ( ON)
0.8
0.6
--1
I D =
0.4
=4V
A,V GS
1.0
7
5
3
2
Ta
5
°
C
--2
=
25
°
C
=10V
--1A ,V
GS
I
D=
°
C
75
0.2
0.1
7
5
7 --0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度TA - C
3
2
--1.0
IT01332
漏电流,我
D
– A
1000
7
5
IT01333
IF - 室间隔缺损
[ MOSFET ]
西塞,科斯,的Crss - VDS
[ MOSFET ]
f=1MHz
正向电流IF - 一个
5
3
西塞,科斯,的Crss - pF的
7
3
2
西塞
科斯
Ta=7
5
--25
°
C
2
25
°
C
°
C
100
7
5
3
--0.1
7
5
3
2
CRSS
2
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT01334
10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
二极管的正向电压,V
SD
– V
漏极至源极电压,V
DS
– V
IT01335
No.5372–3/5
FX856
3
2
SW时间 - ID
[ MOSFET ]
VDD = --15V
VGS = --10V
--10
7
5
3
2
ASO
IDP=8A
[ MOSFET ]
100s
切换时间, SW时间 - NS
100
7
5
3
2
漏电流,我
D
– A
TD (关闭)
tf
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ID=2A
DC
10
s
m
s
op
er
ATI
on
1m
tr
TD (上)
操作
这个区域是
受限于RDS ( ON) 。
Ta=25°C
单脉冲
板( 750毫米
2
×0.8mm)
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
IT01336
10
7
5
7
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
漏电流,我
D
– A
1.6
1.5
--0.01
安装在陶瓷
2 3
5 7 --1.0
--0.1
IT01344
漏极至源极电压,V
DS
– V
PD - TA
e
nt
ou
M
[ MOSFET ]
7
PD - 锝
[ MOSFET ]
允许功耗,P
D
– W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
允许功耗,P
D
– W
160
6
d
on
ac
er
am
ic
ar
bo
d
(7
m
m
50
2
5
4
3
2
m
.8
×
0
)
m
140
1
0
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度TA - C
5
3
2
IT01337
外壳温度,TC - C
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0
5
10
15
IT01338
IF - VF
[ SBD ]
IR - VR
°
C
Ta=125
100
°
C
[ SBD ]
1.0
7
5
3
2
反向电流, IR -
A
正向电流IF - 一个
75
°
C
3
2
0.01
0
25
°
C
7
5
TA
125
°
0.1
C
50
°
C
25
°
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT01339
20
25
30
35
IT01340
二极管的正向电压VF - V
平均远期功耗, PF ( AV ) - 含
1.0
/Rectangular
WAVE
θ=60°
反向电压VR - V
2
PF ( AV ) - IO
/Rectangular
WAVE
θ=120°
[ SBD ]
- VR
[ SBD ]
f=1MHz
0.8
/Rectangular
WAVE
θ=180°
\u003e正弦
WAVE
θ=180°
端间电容,C - pF的
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
1.0
0.6
¤
0.4
矩形波
θ
0.2
360°
正弦波
180°
360°
0.8
0
0
0.2
0.4
0.6
1.0
1.2
IT01341
2
3
5
7
平均正向电流, IO - 一个
10
2
3
5
7
100
反向电压VR - V
IT01342
No.5372–4/5
FX856
6
IS - 吨
Is
20ms
t
[ SBD ]
电流波形50Hz正弦波
正向电流浪涌, IS (峰) - 一个
5
4
3
2
1
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
时间t - S
IT01343
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
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无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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