订购数量： EN4888
FX605
P沟道MOSFET硅
超高速开关应用
特点
·两个低导通电阻组成的复合型
P沟道MOSFET芯片的超高速
开关和低电压驱动。
·便于高密度安装。
·该FX605形成有两个芯片，每个都是
相当于2SJ190 ，放置在一个封装中。
·对匹配的特征。
包装尺寸
单位：mm
2120
[FX605]
1 ： GATE1
2 ：源1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain1
三洋： XP6
（底视图）
开关时间测试电路
电气连接
1 ： GATE1
2 ：源1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain1
（ TOP VIEW ）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
TC = 25°C ， 1台
安装在陶瓷板上
安装在陶瓷板上
(750mm
2
×0.8mm)
(750mm
2
×0.8mm)
1unit
条件
评级
–60
±15
–1
–4
6
1.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
W
C
C
·标记： 605
接下页。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52098HA （ KT ） / 71095MO （ KOTO ） TA- 0111 No.4888-1 / 4
FX605
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