【FX50KMJ-2高速开关使用P沟道功率MOS FETREJ03G1452-0200（上一篇： ME】,IC型号FX50KMJ-2,FX50KMJ-2 PDF资料,FX50KMJ-2经销商,ic,电子元器件-51电子网

FX50KMJ-2

高速开关使用

P沟道功率MOS FET

REJ03G1452-0200

（上一篇： MEJ02G0284-0101 ）

Rev.2.00

2006年8月7日

特点

驱动电压： 4 V

V

DSS

: –100 V

r

DS （ ON）（ MAX ）

: 50 m

I

D

: –50 A

集成的快速恢复二极管（ TYP 。）： 100纳秒

维索： 2000 V

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003AB -A

（包名称： TO- 220FN ）

3

1

1.门

2.漏

3.源

1

2

3

2

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制的DC-DC转换器等。

最大额定值

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

块

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

总胆固醇

TSTG

VISO

—

评级

–100

±20

–50

–200

–50

–200

35

- 55 + 150

2000

2.0

单位

V

A

W

°C

V

g

条件

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

L = 30

H

AC 1分钟，

终端案例

典型的价值

Rev.2.00

2006年8月7日

第1页6

FX50KMJ-2

电气特性

（总胆固醇= 25 ℃）下

参数

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

| y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

民

–100

—

–1.3

—

典型值

—

–1.8

39

47

–0.98

49.2

11130

896

480

57

118

828

380

–1.0

—

100

最大

—

±0.1

–0.1

–2.3

50

61

–1.25

—

–1.5

3.57

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

测试条件

I

D

= -1毫安，V

GS

= 0 V

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= –100 V, V

GS

= 0 V

I

D

= -1毫安，V

DS

= –10 V

I

D

= -25 A，V

GS

= –10 V

I

D

= -25 A，V

GS

= – 4 V

I

D

= -25 A，V

GS

= –10 V

I

D

= -25 A，V

DS

= –10 V

V

DS

= –10 V, V

GS

= 0 V,

F = 1MHz的

V

DD

= -50 V，I

D

= –25 A,

V

GS

= –10 V,

R

根

= R

GS

= 50

I

S

= -25 A，V

GS

= 0 V

渠道情况

I

S

= -50 A，D

is

/d

t

= 100 A / μs的

Rev.2.00

2006年8月7日

第2 6

FX50KMJ-2

性能曲线

功耗降额曲线

50

–3

–2

最大安全工作区

TW =

10s

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

40

–10

2

–7

–5

–3

–2

100s

1ms

30

–10

1

–7

–5

–3

–2

20

TC = 25°C

单脉冲

10

–10

0

–7

–5

DC

0

50

100

150

200

–3

–2 –3 –5–7

–10

0

–2 –3 –5–7

–10

1

–2 –3 –5–7

–10

2

–2

壳温度（ ° C）

漏源电压V

DS

(V)

输出特性（典型）

–100

V

GS

=

–10V

–8V

–6V

–5V

TC = 25°C

脉冲测试

输出特性（典型）

–50

V

GS

=

–10V

–4V

–8V

–6V

–5V

–3V

TC = 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

–60

漏电流I

D

(A)

–80

–40

–4V

–30

–40

–3V

–20

P

D

= 35W

–10

P

D

= 35W

0

–2

–4

–6

–8

–10

0

–1.0

–2.0

–3.0

–4.0

–5.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(m)

漏源通态电压V

DS （ ON）

(V)

导通电压VS.

栅源电压（典型值）

–10

通态电阻VS.

漏电流（典型值）

100

TC = 25°C

脉冲测试

–8

80

–6

I

D

= –100A

60

V

GS

= –4V

–4

–50A

–25A

40

–10V

–2

20

TC = 25°C

脉冲测试

0

–10

0

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

–10

2

0

–2

–4

–6

–8

–10

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00

2006年8月7日

第3页6

FX50KMJ-2

正向转移导纳主场迎战

漏电流（典型值）

传输特性（典型）

正向转移导纳| YFS | （ S）

–100

10

2

7

5

3

2

T

C

=

25°C 75°C

125°C

漏电流I

D

(A)

–80

–60

10

1

7

5

3

2

–40

V

DS

= –10V

脉冲测试

–20

TC = 25°C

V

DS

= –10V

脉冲测试

0

–2

–4

–6

–8

–10

0

10

0 0

–10

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

–10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

电容与

漏源极电压（典型值）

2

西塞

2

漏电流I

D

(A)

开关特性（典型）

10

4

10

3

t

D（关闭）

电容C （PF ）

7

5

3

2

TCH = 25°C

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

切换时间（纳秒）

7

5

3

2

t

f

10

3

7

5

3

2

科斯

10

2

7

5

3

TCH = 25°C

V

GS

= –10V

V

DD

= –50V

R

根

= R

GS

= 50

t

r

t

D（上）

CRSS

–3 –5 –7

–10

0

–2 –3 –5 –7

–10

1

–2 –3 –5 –7

–10

2

–2 –3

2

–7

–10

0

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

漏源电压V

DS

(V)

栅源电压与

栅极电荷（典型值）

–10

–100

漏电流I

D

(A)

源极 - 漏极二极管的正向

特性（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

–8

V

DS

=

–

20V

源电流我

S

(A)

–80

T

C

=

25°C

–6

–60

75°C

–

40V

–4

–

80V

125°C

–40

–2

TCH = 25°C

I

D

= –50A

–20

V

GS

= 0V

脉冲测试

0

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

0

40

80

120

160

200

0

栅极电荷Qg （ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

Rev.2.00

2006年8月7日

第4 6

FX50KMJ-2

通态电阻VS.

通道温度（典型）

10

1

7

5

3

2

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

门源阈值电压V

GS （ TH）

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

阈值电压 -

通道温度（典型）

–4.0

V

GS

= –10V

I

D

= –25A

脉冲测试

V

DS

= –10V

I

D

= -1mA

–3.2

–2.4

10

0

7

5

3

2

–1.6

–0.8

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗第Z （ CH-C ）（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度（典型）

1.4

瞬态热阻抗特性

10

1

7

5

3

2

D = 1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

P

DM

tw

V

GS

= 0V

I

D

= -1mA

1.2

10

0

7

5

3

2

1.0

0.8

10

–1

7

5

3

2

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

沟道温度Tch （ ° C）

脉冲宽度tw （多个）

开关时间测量电路

VIN

输入电压监视器

D.U.T.

R

根

R

L

VOUT

MONITOR

开关波形

10%

90%

R

GS

V

DD

VOUT

TD （上）

10%

tr

TD （关闭）

10%

tf

Rev.2.00

2006年8月7日

分页： 5 6

PR

离子。焊割。

ICAT

ECIF ECT到c

p

人s SUBJ

散热片

e

不MITS AR

is

i

这etric升

m

冰：

不ê段

om

S

IMI

EL

元

N

三菱P沟道功率MOSFET

FX50KMJ-2

高速开关使用

FX50KMJ-2

外形绘图

10 ± 0.3

尺寸（mm）

2.8 ± 0.2

15 ± 0.3

φ

3.2 ± 0.2

14 ± 0.5

3.6 ± 0.3

1.1 ± 0.2

0.75 ± 0.15

6.5 ± 0.3

3 ± 0.3

E

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

1

2 3

3

4V DRIVE

V

DSS

............................................................. –100V

r

DS （ ON）（ MAX ）

................................................ 50m

I

D

.................................................................... –50A

集成的快速恢复二极管（ TYP 。） ......... 100纳秒

V

ISO ................................................. ...............................

2000V

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

2.6 ± 0.2

1

门

2

漏

3

来源

2

TO-220FN

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

–100

±20

–50

–200

–50

–200

35

–55 ~ +150

2000

2.0

4.5 ± 0.2

单位

V

A

W

°C

V

g

Jan.1999

雪崩漏电流（脉冲） L = 30μH

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

PR

离子。焊割。

ICAT

ECIF ECT到c

p

人s SUBJ

散热片

e

不MITS AR

is

i

这etric升

m

冰：

不ê段

om

S

IMI

EL

元

N

三菱P沟道功率MOSFET

FX50KMJ-2

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= -1mA ，V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

V

DS

= –100V, V

GS

= 0V

I

D

= -1mA ，V

DS

= –10V

I

D

= -25A ，V

GS

= –10V

I

D

= -25A ，V

GS

= –4V

I

D

= -25A ，V

GS

= –10V

I

D

= -25A ，V

DS

= –10V

V

DS

= –10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

–100

—

–1.0

—

典型值。

—

–1.5

39

47

–0.98

49.2

11130

896

480

57

118

828

380

–1.0

—

100

马克斯。

—

±0.1

–0.1

–2.0

50

61

–1.25

—

–1.5

3.57

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= -50V ，我

D

= -25A ，V

GS

= ± 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= -25A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= -50A ， DIS / DT = 100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

50

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

–3

–2

TW =

10s

40

–10

2

–7

–5

–3

–2

30

–10

1

–7

–5

–3

–2

T

C

= 25°C

单脉冲

100s

1ms

10ms

DC

20

10

–10

0

–7

–5

0

50

100

150

200

100ms

–3

–2 –3 –5–7

–10

0

–2 –3 –5–7

–10

1

–2 –3 –5–7

–10

2

–2

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

–100

V

GS

=

–10V

–8V

–6V

TC = 25°C

脉冲测试

输出特性

（典型值）

–50

V

GS

=

–10V

–4V

–8V

–6V

–5V

–3V

TC = 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

–80

漏电流I

D

(A)

–5V

–40

–60

–4V

–30

–40

–3V

–20

P

D

= 35W

–10

P

D

= 35W

0

–2

–4

–6

–8

–10

0

–1.0

–2.0

–3.0

–4.0

–5.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Jan.1999

PR

离子。焊割。

ICAT

ECIF ECT到c

p

人s SUBJ

散热片

e

不MITS AR

is

i

这etric升

m

冰：

不ê段

om

S

IMI

EL

元

N

三菱P沟道功率MOSFET

FX50KMJ-2

高速开关使用

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

100

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

–10

TC = 25°C

脉冲测试

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

–8

80

–6

I

D

= –100A

60

V

GS

= –4V

–4

–50A

–25A

40

–10V

TC = 25°C

脉冲测试

–2

20

0

–10

0

–2

–4

–6

–8

–10

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

–10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

传输特性

（典型值）

–100

10

2

7

5

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

T

C

=

25°C 75°C 125°C

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

–80

TC = 25°C

V

DS

= –10V

脉冲测试

3

2

–60

10

1

7

5

3

2

V

DS

= –10V

脉冲测试

–40

–20

0

–2

–4

–6

–8

–10

10

0 0

–10

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

–10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

2

西塞

2

开关特性

（典型值）

10

4

10

3

t

D（关闭）

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

7

5

3

2

TCH = 25°C

V

GS

= 0V

F = 1MH

Z

7

5

3

TCH = 25°C

V

GS

= –10V

V

DD

= –50V

10

2

R

根

= R

GS

= 50

2

7

5

3

2

–7

–10

0

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

t

f

10

3

7

5

3

2

t

r

t

D（上）

科斯

CRSS

–3 –5 –7

–10

0

–2 –3 –5 –7

–10

1

–2 –3 –5 –7

–10

2

–2 –3

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Jan.1999

PR

离子。焊割。

ICAT

ECIF ECT到c

p

人s SUBJ

散热片

e

不MITS AR

is

i

这etric升

m

冰：

不ê段

om

S

IMI

EL

元

N

三菱P沟道功率MOSFET

FX50KMJ-2

高速开关使用

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

–100

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

–10

源电流我

S

(A)

–8

V

DS

=

–20V

–40V

–80

T

C

=

25°C

–6

–60

75°C

125°C

–4

–80V

TCH = 25°C

I

D

= –50A

–40

V

GS

= 0V

脉冲测试

–2

–20

0

40

80

120

160

200

0

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

–4.0

7

5

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

–3.2

V

DS

= –10V

I

D

= -1mA

–2.4

10

0

7

5

3

2

V

GS

= –10V

I

D

= 1/2I

D

脉冲测试

–1.6

–0.8

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH-C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

D = 1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

P

DM

tw

1.2

10

0

7

5

3

2

1.0

V

GS

= 0V

I

D

= -1mA

0.8

10

–1

7

5

3

2

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

脉冲宽度t

w

(s)

Jan.1999

沟道温度Tch （ ° C）

PR

离子。焊割。

ICAT

ECIF ECT到c

p

人s SUBJ

散热片

e

不MITS AR

is

i

这etric升

m

冰：

不ê段

om

S

IMI

EL

元

N

三菱P沟道功率MOSFET

FX50KMJ-2

高速开关使用

FX50KMJ-2

外形绘图

10 ± 0.3

尺寸（mm）

2.8 ± 0.2

15 ± 0.3

φ

3.2 ± 0.2

14 ± 0.5

3.6 ± 0.3

1.1 ± 0.2

0.75 ± 0.15

6.5 ± 0.3

3 ± 0.3

E

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

1

2 3

3

4V DRIVE

V

DSS

............................................................. –100V

r

DS （ ON）（ MAX ）

................................................ 50m

I

D

.................................................................... –50A

集成的快速恢复二极管（ TYP 。） ......... 100纳秒

V

ISO ................................................. ...............................

2000V

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

2.6 ± 0.2

1

门

2

漏

3

来源

2

TO-220FN

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

–100

±20

–50

–200

–50

–200

35

–55 ~ +150

2000

2.0

4.5 ± 0.2

单位

V

A

W

°C

V

g

Jan.1999

雪崩漏电流（脉冲） L = 30μH

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

PR

离子。焊割。

ICAT

ECIF ECT到c

p

人s SUBJ

散热片

e

不MITS AR

is

i

这etric升

m

冰：

不ê段

om

S

IMI

EL

元

N

三菱P沟道功率MOSFET

FX50KMJ-2

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= -1mA ，V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

V

DS

= –100V, V

GS

= 0V

I

D

= -1mA ，V

DS

= –10V

I

D

= -25A ，V

GS

= –10V

I

D

= -25A ，V

GS

= –4V

I

D

= -25A ，V

GS

= –10V

I

D

= -25A ，V

DS

= –10V

V

DS

= –10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

–100

—

–1.0

—

典型值。

—

–1.5

39

47

–0.98

49.2

11130

896

480

57

118

828

380

–1.0

—

100

马克斯。

—

±0.1

–0.1

–2.0

50

61

–1.25

—

–1.5

3.57

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= -50V ，我

D

= -25A ，V

GS

= ± 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= -25A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= -50A ， DIS / DT = 100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

50

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

–3

–2

TW =

10s

40

–10

2

–7

–5

–3

–2

30

–10

1

–7

–5

–3

–2

T

C

= 25°C

单脉冲

100s

1ms

10ms

DC

20

10

–10

0

–7

–5

0

50

100

150

200

100ms

–3

–2 –3 –5–7

–10

0

–2 –3 –5–7

–10

1

–2 –3 –5–7

–10

2

–2

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

–100

V

GS

=

–10V

–8V

–6V

TC = 25°C

脉冲测试

输出特性

（典型值）

–50

V

GS

=

–10V

–4V

–8V

–6V

–5V

–3V

TC = 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

–80

漏电流I

D

(A)

–5V

–40

–60

–4V

–30

–40

–3V

–20

P

D

= 35W

–10

P

D

= 35W

0

–2

–4

–6

–8

–10

0

–1.0

–2.0

–3.0

–4.0

–5.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Jan.1999

PR

离子。焊割。

ICAT

ECIF ECT到c

p

人s SUBJ

散热片

e

不MITS AR

is

i

这etric升

m

冰：

不ê段

om

S

IMI

EL

元

N

三菱P沟道功率MOSFET

FX50KMJ-2

高速开关使用

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

100

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

–10

TC = 25°C

脉冲测试

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

–8

80

–6

I

D

= –100A

60

V

GS

= –4V

–4

–50A

–25A

40

–10V

TC = 25°C

脉冲测试

–2

20

0

–10

0

–2

–4

–6

–8

–10

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

–10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

传输特性

（典型值）

–100

10

2

7

5

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

T

C

=

25°C 75°C 125°C

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

–80

TC = 25°C

V

DS

= –10V

脉冲测试

3

2

–60

10

1

7

5

3

2

V

DS

= –10V

脉冲测试

–40

–20

0

–2

–4

–6

–8

–10

10

0 0

–10

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

–10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

2

西塞

2

开关特性

（典型值）

10

4

10

3

t

D（关闭）

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

7

5

3

2

TCH = 25°C

V

GS

= 0V

F = 1MH

Z

7

5

3

TCH = 25°C

V

GS

= –10V

V

DD

= –50V

10

2

R

根

= R

GS

= 50

2

7

5

3

2

–7

–10

0

–2 –3

–5 –7

–10

1

–2 –3

–5 –7

t

f

10

3

7

5

3

2

t

r

t

D（上）

科斯

CRSS

–3 –5 –7

–10

0

–2 –3 –5 –7

–10

1

–2 –3 –5 –7

–10

2

–2 –3

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Jan.1999

PR

离子。焊割。

ICAT

ECIF ECT到c

p

人s SUBJ

散热片

e

不MITS AR

is

i

这etric升

m

冰：

不ê段

om

S

IMI

EL

元

N

三菱P沟道功率MOSFET

FX50KMJ-2

高速开关使用

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

–100

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

–10

源电流我

S

(A)

–8

V

DS

=

–20V

–40V

–80

T

C

=

25°C

–6

–60

75°C

125°C

–4

–80V

TCH = 25°C

I

D

= –50A

–40

V

GS

= 0V

脉冲测试

–2

–20

0

40

80

120

160

200

0

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

–4.0

7

5

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

–3.2

V

DS

= –10V

I

D

= -1mA

–2.4

10

0

7

5

3

2

V

GS

= –10V

I

D

= 1/2I

D

脉冲测试

–1.6

–0.8

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH-C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

D = 1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

P

DM

tw

1.2

10

0

7

5

3

2

1.0

V

GS

= 0V

I

D

= -1mA

0.8

10

–1

7

5

3

2

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

脉冲宽度t

w

(s)

Jan.1999

沟道温度Tch （ ° C）