订购数量： EN4878
FX502
NPN外延平面硅晶体管
大电流开关应用
特点
·复合型和包含在2 NPN晶体管
一个包，便于高密度安装。
·该FX502房子两个芯片，每个等价
到2SD1805 ，在一个封装中。
·对匹配的特征。
包装尺寸
单位：mm
2118
[FX502]
1 ： BASE1
2 ： Emitter1
3 ： Emitter2
4 ：和Base2
5 ： Collector2
6 ： Collector1
三洋： XP6
（底视图）
开关时间测试电路
电气连接
1 ： BASE1
2 ： Emitter1
3 ： Emitter2
4 ：和Base2
5 ： Collector2
6 ： Collector1
（ TOP VIEW ）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
安装在陶瓷板上
安装在陶瓷板上
(750mm
2
×0.8mm)
(750mm
2
×0.8mm)
1个单位
条件
评级
60
20
6
5
8
1
1.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
C
C
·标记： 502
接下页。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52098HA （ KT ） / 42695MO （ KOTO ） BX - 1389 No.4878-1 / 4
FX502
从接下页。
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益比
增益带宽积
输出电容
-E饱和电压
B -E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
E- B击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
的hFE （小/
大）
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VCB = 50V ， IE = 0
VEB = 5V ， IC = 0
VCE = 2V ， IC = 500毫安
VCE = 2V ， IC = 3A
VCE = 2V ， IC = 500毫安
VCE = 10V ， IC = 500毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 3A ， IB = 60毫安
IC = 3A ， IB = 60毫安
60
20
6
30
300
40
160
95
0.8
220
45
220
1.0
500
1.5
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
条件
评级
民
典型值
最大
100
100
560
单位
nA
nA
V（ BR ） CBO IC = 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
IE = 10μA ， IC = 0
见sepcified测试电路
见sepcified测试电路
见sepcified测试电路
No.4878-2/4
FX502
没有描述或包含此产品旨在用于外科植入物，生命支持系统的使用，
航空航天设备，核电控制系统，车辆，灾难/犯罪预防设备和
等，其中的故障可能直接或间接地造成人身伤害，死亡或财产损失。
任何人购买描述或包含了上面提到的使用应的任何产品：
承担全部责任，赔偿和维护SANYO ELECTRIC CO 。 ， LTD。，其分支机构，
子公司和分销商和所有官员和雇员共同及个别，反对任何
和所有索赔和诉讼以及与此类使用相关的所有损害赔偿，成本及费用：
不施加任何负有责任的任何疏忽或过失，可以在任何此类索赔或引用
诉讼上的SANYO ELECTRIC CO 。 ， LTD。，其分支机构，子公司和分销商或任何
他们的官员和雇员共同或个别。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不guarant-
EED量产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但不保证
就其使用或知识产权或其他权利的任何侵犯都提出或暗示的
第三方。
该目录规定的5月， 1998年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.4878-4 / 4
QQ：2881677436 复制
