PR
离子。焊割。
ICAT
ECIF ECT到c
p
人s SUBJ
散热片
e
不MITS AR
is
i
这etric升
m
冰：
不ê段
om
S
IMI
EL
元
N
三菱P沟道功率MOSFET
FX20KMJ-3
高速开关使用
FX20KMJ-3
外形绘图
10 ± 0.3
尺寸（mm）
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
E
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
1
2 3
4V DRIVE
V
DSS
............................................................. –150V
r
DS （ ON） （ MAX ）
................................................ 0.29
I
D
.................................................................... –20A
集成的快速恢复二极管（ TYP 。 ） ......... 100纳秒
V
ISO ................................................. ...............................
2000V
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制
直流 - 直流转换器等。
3
2.6 ± 0.2
1
1
门
2
漏
3
来源
2
TO-220FN
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
–150
±20
–20
–80
–20
–20
–80
30
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
4.5 ± 0.2
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V
g
Jan.1999
雪崩漏电流（脉冲） L = 30μH
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
PR
离子。焊割。
ICAT
ECIF ECT到c
p
人s SUBJ
散热片
e
不MITS AR
is
i
这etric升
m
冰：
不ê段
om
S
IMI
EL
元
N
三菱P沟道功率MOSFET
FX20KMJ-3
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= -1mA ，V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= –150V, V
GS
= 0V
I
D
= -1mA ，V
DS
= –10V
I
D
= -10A ，V
GS
= –10V
I
D
= -10A ，V
GS
= –4V
I
D
= -10A ，V
GS
= –10V
I
D
= -10A ，V
DS
= –10V
V
DS
= –10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
–150
—
—
–1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
–1.5
0.23
0.25
–2.3
17.5
4470
248
115
15
42
273
114
–1.0
—
100
马克斯。
—
±0.1
–0.1
–2.0
0.29
0.32
–2.9
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
4.17
—
单位
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= -80V ，我
D
= -10A ，V
GS
= ± 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= -10A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= -20A ， DIS / DT = 100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
40
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
–2
–10
2
32
–7
–5
–3
–2
TW = 10微秒
100s
24
–10
1
–7
–5
–3
–2
16
1ms
10ms
DC
8
–10
0
–7
–5
0
0
50
100
150
200
T
C
= 25°C
-3单脉冲
–2
–2 –3 –5–7
–10
1
–2 –3 –5–7
–10
2
–2 –3 –5–7
–10
3
–2
案例温度T
C
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
–20
V
GS
=
–10V
T
C
= 25°C
脉冲测试
输出特性
（典型值）
–10
V
GS
= –10V
–8V
脉冲测试
–6V
–4V
–3V
P
D
= 30W
–2.5V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
–16
–8V
–6V
–4V
–8
T
C
= 25°C
–12
–3V
–6
–8
–2.5V
P
D
= 30W
–4
–4
–2
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
–1.0
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Jan.1999
PR
离子。焊割。
ICAT
ECIF ECT到c
p
人s SUBJ
散热片
e
不MITS AR
is
i
这etric升
m
冰：
不ê段
om
S
IMI
EL
元
N
三菱P沟道功率MOSFET
FX20KMJ-3
高速开关使用
FX20KMJ-3
外形绘图
10 ± 0.3
尺寸（mm）
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
E
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
1
2 3
4V DRIVE
V
DSS
............................................................. –150V
r
DS （ ON） （ MAX ）
................................................ 0.29
I
D
.................................................................... –20A
集成的快速恢复二极管（ TYP 。 ） ......... 100纳秒
V
ISO ................................................. ...............................
2000V
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制
直流 - 直流转换器等。
3
2.6 ± 0.2
1
1
门
2
漏
3
来源
2
TO-220FN
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
–150
±20
–20
–80
–20
–20
–80
30
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
4.5 ± 0.2
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V
g
Jan.1999
雪崩漏电流（脉冲） L = 30μH
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
PR
离子。焊割。
ICAT
ECIF ECT到c
p
人s SUBJ
散热片
e
不MITS AR
is
i
这etric升
m
冰：
不ê段
om
S
IMI
EL
元
N
三菱P沟道功率MOSFET
FX20KMJ-3
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= -1mA ，V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= –150V, V
GS
= 0V
I
D
= -1mA ，V
DS
= –10V
I
D
= -10A ，V
GS
= –10V
I
D
= -10A ，V
GS
= –4V
I
D
= -10A ，V
GS
= –10V
I
D
= -10A ，V
DS
= –10V
V
DS
= –10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
–150
—
—
–1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
–1.5
0.23
0.25
–2.3
17.5
4470
248
115
15
42
273
114
–1.0
—
100
马克斯。
—
±0.1
–0.1
–2.0
0.29
0.32
–2.9
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
4.17
—
单位
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= -80V ，我
D
= -10A ，V
GS
= ± 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= -10A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= -20A ， DIS / DT = 100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
40
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
–2
–10
2
32
–7
–5
–3
–2
TW = 10微秒
100s
24
–10
1
–7
–5
–3
–2
16
1ms
10ms
DC
8
–10
0
–7
–5
0
0
50
100
150
200
T
C
= 25°C
-3单脉冲
–2
–2 –3 –5–7
–10
1
–2 –3 –5–7
–10
2
–2 –3 –5–7
–10
3
–2
案例温度T
C
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
–20
V
GS
=
–10V
T
C
= 25°C
脉冲测试
输出特性
（典型值）
–10
V
GS
= –10V
–8V
脉冲测试
–6V
–4V
–3V
P
D
= 30W
–2.5V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
–16
–8V
–6V
–4V
–8
T
C
= 25°C
–12
–3V
–6
–8
–2.5V
P
D
= 30W
–4
–4
–2
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
–1.0
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Jan.1999
FX20KMJ-3
高速开关使用
P沟道功率MOS FET
REJ03G1444-0200
（上一篇： MEJ02G0289-0101 ）
Rev.2.00
2006年8月7日
特点
驱动电压： 4 V
V
DSS
: –150 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 0.29
I
D
: –20 A
集成的快速恢复二极管（ TYP 。 ） ： 100纳秒
维索： 2000 V
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AB -A
（包名称： TO- 220FN ）
3
1
1.门
2.漏
3.源
1
2
3
2
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
VISO
—
评级
–150
±20
–20
–80
–20
–20
–80
30
- 55 + 150
- 55 + 150
2000
2.0
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 30
H
AC 1分钟，
终端案例
典型的价值
Rev.2.00
2006年8月7日
第1页6
FX20KMJ-3
通态电阻VS.
通道温度（典型）
10
1
7
5
3
2
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
门源阈值电压V
GS （ TH）
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
阈值电压 -
通道温度（典型）
–4.0
V
GS
= –10V
I
D
= –10A
脉冲测试
V
DS
= –10V
I
D
= -1mA
–3.2
–2.4
10
0
7
5
3
2
–1.6
–0.8
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z （ CH-C ） （ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度（典型）
1.4
瞬态热阻抗特性
10
1
7
5 D = 1.0
3 0.5
2
0
0.2
7 0.1
5
3
2
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
V
GS
= 0V
I
D
= -1mA
1.2
10
1.0
0.8
10
–1
7
5
3
2
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
沟道温度Tch （ ° C）
脉冲宽度tw （多个）
开关时间测量电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
根
R
L
VOUT
MONITOR
开关波形
10%
90%
90%
90%
R
GS
V
DD
VOUT
TD （上）
10%
tr
TD （关闭）
10%
tf
Rev.2.00
2006年8月7日
分页： 5 6
QQ：2880707522 复制
