订购数量： EN5050
FX207
P沟道MOSFET硅
超高速开关应用
特点
·低导通电阻。
·超高速开关。
· 2.5V驱动器。
包装尺寸
单位：mm
2121
[FX207]
开关时间测试电路
1：无联系
2 ： GATE
3 ：源
4 ：无联系
5 ：排水
6 ：排水
三洋： XP5
（底视图）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PD
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
Tc=25C
安装在陶瓷板上
(750mm
2
×0.8mm)
条件
评级
–12
±10
–4
–16
8
2
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
D-S间的击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS （ ON）
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
VSD
ID = -1mA ， VGS = 0
VDS = -10V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = -6V ， I D = -1mA
VDS = -6V ， I D = -1A
ID = -2A ， VGS = -4V
ID = -1A ， VGS = -2.5V
VDS = -6V ， F = 1MHz的
VDS = -6V ， F = 1MHz的
VDS = -6V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
IS = -4A ， VGS = 0
–0.5
2.5
4
135
185
400
370
160
20
120
140
180
–1.0
–1.2
177
300
条件
评级
民
–12
–100
±10
–1.5
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
·标记： 207
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52098HA （ KT ） / 42895MO （ KOTO ） TA- 0132 No.5050-1 / 3
FX207
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