【注文コード第N 7 5 4 9FW359N754922004新FW359特長N チャネルおよび P 】,IC型号FW359,FW359 PDF资料,FW359经销商,ic,电子元器件-51电子网

注文コード第N 7 5 4 9

FW359

N7549

22004

新

FW359

特長

N チャネルおよび P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ

超高速スイッチング用

½オン抵抗、超高速スイッチング , 4V 駆動の N チャネルおよび P チャネル MOS ½電界効果トランジスタを

1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可½である。

オン抵抗性が優れている。

絶対最大定格

绝对最大额定值/ TA = 25 ℃

ドレイン½ース電圧

ゲート½ース電圧

ドレイン电流（ DC ）

ドレイン電流（PW=10s）

ドレイン電流（PW=100ms）

ドレイン電流（パルス）

許容損失

全損失

チャネル温度

保存周囲温度

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

占空比= 1 ％

PW ≦为10μs ，占空比≦ 1 ％

N沟道

60

± 20

3

3.5

5.5

14

P沟道

60

± 20

3

3.5

5.5

14

1.8

2.2

单位

V

A

W

℃

セラミック基板(2000mm

2

× 0.8mm)装着時 ,

1台， PW ≦ 10秒

セラミック基板(2000mm

2

× 0.8mm)装着時 ,

PW = 10秒

150

55 ＋ 150

電気的特性

电气特性/ TA = 25 ℃

[ N沟道]

ドレイン½ース降伏電圧

ドレイン½ースしゃ断電流

単½品名表示：W359

電気的接続図

V（ BR ） DSS

IDSS

ID = 1mA时， VGS = 0

VDS = 60V ， VGS = 0

民

60

典型值

最大

单位

V

1

A

次ページへ続く。

外½図2129

（单位：毫米）

8

5

0.3

4.4

6.0

8

7

6

5

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

（ TOP VIEW ）

5.0

1.5

1

2

3

4

0.595

1.27

0.43

0.1

1.8max

1

4

0.2

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

三洋： SOP8

本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途

（生½維持装½、

航空機のコントロールシステム等、

多大な人的物的損害を及ぼす恐れのある用途）

に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号

22004 TS IM ◎½藤 TA-100552 No.7549-1/6

FW359

前ページより続く。

民

ゲート½ースもれ電流

ゲート½ースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

ドレイン½ース間オン抵抗

入力容量

出力容量

帰還容量

ターンオン遅延時間

立ち上がり時間

ターンオフ遅延時間

下降時間

総ゲート電荷量

ゲート½ース電荷量

ゲートドレイン電荷量

ダイオード順電圧

[ P沟道]

ドレイン½ース降伏電圧

ドレイン½ースしゃ断電流

ゲート½ースもれ電流

ゲート½ースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

ドレイン½ース間オン抵抗

入力容量

出力容量

帰還容量

ターンオン遅延時間

立ち上がり時間

ターンオフ遅延時間

下降時間

総ゲート電荷量

ゲート½ース電荷量

ゲートドレイン電荷量

ダイオード順電圧

スイッチングタイム測定回路図

[ N沟道]

VIN

10V

0V

VIN

ID=3A

RL=10

VDD=30V

0V

--10V

VIN

ID=3A

RL=10

典型值

最大

± 10

2.6

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

IGSS

VGS （关闭）

y

fs

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 3A

ID = 3A ， VGS = 10V

ID = 1.5A ， VGS = 4V

VDS = 20V ， F = 1MHz的

指定回路において

〃

VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 3A

IS = 3A ， VGS = 0

1.2

2.8

4

110

150

300

54

34

8

23

30

40

7.8

2.4

1.7

0.86

民

典型值

145

215

1.2

最大

1

nC

V

单位

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

y

fs

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0

VDS = - 60V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = - 10V ，ID = - 1毫安

VDS = - 10V ， ID = - 3A

ID = - 3A ， VGS = - 10V

ID = - 1.5A ， VGS = - 4V

VDS = - 20V ， F = 1MHz的

指定回路において

〃

VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = - 3A

IS = - 3A ， VGS = 0

60

± 10

2.6

5.5

110

145

990

110

76

12

70

100

70

22

4

0.86

1.2

145

205

1.2

4

nC

V

[ P沟道]

VIN

VDD = --30V

D

PW=10s

D.C.≦1%

VOUT

PW=10s

D.C.≦1%

D

VOUT

G

FW359

P.G

50

FW359

P.G

50

S

No.7549-2/6

FW359

3.0

ID - VDS

10

.0V

V

8.0

V

[ N沟道]

6

ID - VGS

TA

--2

0

0.5

1.0

1.5

2.0

[ N沟道]

75

°

C

2.5

ドレイン电流， ID -

2.0

ドレイン电流， ID -

4.0

5.0

V

6.0

VG

4

1.5

3

1.0

2

0.5

1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

IT06041

0

2.5

3.0

3.5

4.0

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m

300

280

260

240

220

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

2

4

6

8

10

12

ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m

RDS （ ON） - VGS

ゲート½ース電圧, VGS -- V

300

280

260

240

220

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

--60

25

°

C

TA

75

°

C

--25

°

C

IT06042

[ N沟道]

Ta=25°C

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

ID=1.5A

3A

1.5

I D =

=4V

VGS

A,

I D =

=10V

， VGS

3.0A

14

16

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

25

°

C

140

IT06044

.5

=3

S

V

5

ゲート½ース電圧, VGS -- V

10

7

IT06043

y

fs - ID

周囲温度，钽 -

°C

10

7

5

3

2

[ N沟道]

VDS=10V

IF - 室间隔缺损

5

°

C

0.4

VDS=10V

[ N沟道]

VGS=0

順伝達アドミタンス,

y

fs - S

5

3

2

5

°

C

Ta

°

C

--25

=

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

0.1

0.01

2

3

5 7 0.1

2

3

5 7 1.0

2

3

ドレイン电流， ID -

100

5 7 10

IT06045

0

0.2

Ta=7

3

2

0.6

5

°

C

25

°

C

--25

°

C

0.8

75

°

C

顺电流， IF - 一个

1.0

7

5

1.0

1.2

IT06046

SW时间 - ID

[ N沟道]

VDD=30V

VGS=10V

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

ダイオード顺电圧， VSD - V

[ N沟道]

f=1MHz

スイッチングタイム， SW时间 - NS

7

5

3

2

TD （关闭）

西塞，科斯，的Crss - pF的

tf

3

2

西塞

10

7

5

3

2

TD （上）

tr

100

7

5

3

2

科斯

CRSS

1.0

0.1

10

2

3

5

7

1.0

2

3

5

ドレイン电流， ID -

10

IT06047

7

0

10

20

30

40

50

60

IT06048

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

No.7549-3/6

FW359

10

9

VGS - 的Qg

[ N沟道]

VDS=30V

ID=3A

ドレイン电流， ID -

3

2

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

ASO

IDP = --14A

[ N沟道]

≦10s

10

0

s

1m

s

ms

10

0m

s

10

s

10

ゲート½ース電圧, VGS -- V

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

ID = --3A

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

DC

op

er

ATI

on

0.01

0.1

Ta=25°C

1パルス

セラミック基板(2000mm

2

×0.8mm)装着時

2

3

5 7 1.0

2

3

5 7 10

2

3

総ゲート电荷量，的Qg - 数控

--3.0

IT06049

ID - VDS

--6.0

V

-4

.0V

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

--6

5 7 100

IT06061

[ P沟道]

ID - VGS

[ P沟道]

.

-3

5V

--5

VDS = --10V

--8.

0V

--2.5

ドレイン电流， ID -

--5

.0V

--2.0

ドレイン电流， ID -

--4

--10

.

0V

--1.5

VGS = --3.0V

--3

--1.0

--2

--0.5

--1

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--4.0

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m

500

450

400

350

300

IT06052

ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m

RDS （ ON） - VGS

ゲート½ース電圧, VGS -- V

300

280

260

240

220

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

--60

25

°

C

--25

°

C

TA

75

°

C

IT06053

[ P沟道]

Ta=25°C

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

--3.0A

250

200

150

100

50

0

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

ID ↓

--1.5A

--4V

S=

， VG

5A

--10V

--1.

=

S=

ID

VG

.0A,

=

--3

ID

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

ゲート½ース電圧, VGS -- V

10

7

IT06054

y

fs - ID

°

C

周囲温度，钽 -

°C

--10

7

5

3

2

IT06055

[ P沟道]

IF - 室间隔缺损

[ P沟道]

VGS=0

VDS = --10V

25

順伝達アドミタンス,

y

fs - S

5

3

2

75

°

C

0

--0.2

--0.4

25

°

C

7

5

3

2

3

2

--0.1

7

5

3

2

0.1

--0.01

2

3

5 7 --0.1

2

3

5 7 --1.0

2

3

TA

--0.6

1.0

°

C

75

--25

°

C

--0.8

Ta

顺电流， IF - 一个

C

5

°

-2

=

--1.0

7

5

ドレイン电流， ID -

5 7 --10

IT06056

--1.0

--1.2

IT06057

ダイオード顺电圧， VSD - V

No.7549-4/6

FW359

スイッチングタイム， SW时间 - NS

1000

7

5

3

2

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

--0.1

2

3

5

7

2

3

5

7

SW时间 - ID

[ P沟道]

VDD = --30V

VGS = --10V

10000

7

5

3

2

1000

7

5

3

2

100

7

5

3

2

10

0

西塞，科斯，的Crss - VDS

[ P沟道]

f=1MHz

TD （关闭）

tf

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞

tr

TD （上）

科斯

CRSS

--1.0

ドレイン电流， ID -

--10

--9

--10

IT06058

--10

--20

--30

--40

--50

--60

IT06059

VGS - 的Qg

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

3

2

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

[ P沟道]

ASO

[ P沟道]

≦10s

10

0

1m

s

10

ms

ゲート½ース電圧, VGS -- V

VDS = --30V

ID = --3A

IDP = --14A

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0

5

10

15

20

25

30

ドレイン电流， ID -

ID = --3A

10

0m

DC

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

10

s

op

e

ra

ti

on

--0.01

--0.1

Ta=25°C

1パルス

セラミック基板(2000mm

2

× 0.8毫米）装着时1台

2

3

5 7 --1.0

2

3

5 7 --10

2

3

2.4

2.2

2.0

総ゲート电荷量，的Qg - 数控

IT06060

PD （ FET 1 ） - PD （FET 2 ）

[ N沟道， P沟道共通]

セラミック基板(2000mm

2

×0.8mm)装着時,

PW≦10s

2.5

2.2

2.0

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

PD - TA

[ N沟道， P沟道共通]

セラミック基板(2000mm

2

×0.8mm)装着時,

PW≦10s

5 7 --100

IT06062

许容损失（ FET 1 ）， PD - 含

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

许容损失， PD - 含

1.8

1.5

全

1u

損

ni

t

失

1.0

0.5

0

20

40

60

80

100

120

140

160

许容损失（FET 2 ）， PD - 含

IT06063

周囲温度，钽 -

°C

IT06064

No.7549-5/6

注文コード第N 7 5 4 9

FW359

N7549

22004

新

FW359

特長

N チャネルおよび P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ

超高速スイッチング用

½オン抵抗、超高速スイッチング , 4V 駆動の N チャネルおよび P チャネル MOS ½電界効果トランジスタを

1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可½である。

オン抵抗性が優れている。

絶対最大定格

绝对最大额定值/ TA = 25 ℃

ドレイン½ース電圧

ゲート½ース電圧

ドレイン电流（ DC ）

ドレイン電流（PW=10s）

ドレイン電流（PW=100ms）

ドレイン電流（パルス）

許容損失

全損失

チャネル温度

保存周囲温度

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

占空比= 1 ％

PW ≦为10μs ，占空比≦ 1 ％

N沟道

60

± 20

3

3.5

5.5

14

P沟道

60

± 20

3

3.5

5.5

14

1.8

2.2

单位

V

A

W

℃

セラミック基板(2000mm

2

× 0.8mm)装着時 ,

1台， PW ≦ 10秒

セラミック基板(2000mm

2

× 0.8mm)装着時 ,

PW = 10秒

150

55 ＋ 150

電気的特性

电气特性/ TA = 25 ℃

[ N沟道]

ドレイン½ース降伏電圧

ドレイン½ースしゃ断電流

単½品名表示：W359

電気的接続図

V（ BR ） DSS

IDSS

ID = 1mA时， VGS = 0

VDS = 60V ， VGS = 0

民

60

典型值

最大

单位

V

1

A

次ページへ続く。

外½図2129

（单位：毫米）

8

5

0.3

4.4

6.0

8

7

6

5

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

（ TOP VIEW ）

5.0

1.5

1

2

3

4

0.595

1.27

0.43

0.1

1.8max

1

4

0.2

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

三洋： SOP8

本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途

（生½維持装½、

航空機のコントロールシステム等、

多大な人的物的損害を及ぼす恐れのある用途）

に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号

22004 TS IM ◎½藤 TA-100552 No.7549-1/6

FW359

前ページより続く。

民

ゲート½ースもれ電流

ゲート½ースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

ドレイン½ース間オン抵抗

入力容量

出力容量

帰還容量

ターンオン遅延時間

立ち上がり時間

ターンオフ遅延時間

下降時間

総ゲート電荷量

ゲート½ース電荷量

ゲートドレイン電荷量

ダイオード順電圧

[ P沟道]

ドレイン½ース降伏電圧

ドレイン½ースしゃ断電流

ゲート½ースもれ電流

ゲート½ースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

ドレイン½ース間オン抵抗

入力容量

出力容量

帰還容量

ターンオン遅延時間

立ち上がり時間

ターンオフ遅延時間

下降時間

総ゲート電荷量

ゲート½ース電荷量

ゲートドレイン電荷量

ダイオード順電圧

スイッチングタイム測定回路図

[ N沟道]

VIN

10V

0V

VIN

ID=3A

RL=10

VDD=30V

0V

--10V

VIN

ID=3A

RL=10

典型值

最大

± 10

2.6

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

IGSS

VGS （关闭）

y

fs

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 3A

ID = 3A ， VGS = 10V

ID = 1.5A ， VGS = 4V

VDS = 20V ， F = 1MHz的

指定回路において

〃

VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 3A

IS = 3A ， VGS = 0

1.2

2.8

4

110

150

300

54

34

8

23

30

40

7.8

2.4

1.7

0.86

民

典型值

145

215

1.2

最大

1

nC

V

单位

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

y

fs

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0

VDS = - 60V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = - 10V ，ID = - 1毫安

VDS = - 10V ， ID = - 3A

ID = - 3A ， VGS = - 10V

ID = - 1.5A ， VGS = - 4V

VDS = - 20V ， F = 1MHz的

指定回路において

〃

VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = - 3A

IS = - 3A ， VGS = 0

60

± 10

2.6

5.5

110

145

990

110

76

12

70

100

70

22

4

0.86

1.2

145

205

1.2

4

nC

V

[ P沟道]

VIN

VDD = --30V

D

PW=10s

D.C.≦1%

VOUT

PW=10s

D.C.≦1%

D

VOUT

G

FW359

P.G

50

FW359

P.G

50

S

No.7549-2/6

FW359

3.0

ID - VDS

10

.0V

V

8.0

V

[ N沟道]

6

ID - VGS

TA

--2

0

0.5

1.0

1.5

2.0

[ N沟道]

75

°

C

2.5

ドレイン电流， ID -

2.0

ドレイン电流， ID -

4.0

5.0

V

6.0

VG

4

1.5

3

1.0

2

0.5

1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

IT06041

0

2.5

3.0

3.5

4.0

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m

300

280

260

240

220

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

2

4

6

8

10

12

ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m

RDS （ ON） - VGS

ゲート½ース電圧, VGS -- V

300

280

260

240

220

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

--60

25

°

C

TA

75

°

C

--25

°

C

IT06042

[ N沟道]

Ta=25°C

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

ID=1.5A

3A

1.5

I D =

=4V

VGS

A,

I D =

=10V

， VGS

3.0A

14

16

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

25

°

C

140

IT06044

.5

=3

S

V

5

ゲート½ース電圧, VGS -- V

10

7

IT06043

y

fs - ID

周囲温度，钽 -

°C

10

7

5

3

2

[ N沟道]

VDS=10V

IF - 室间隔缺损

5

°

C

0.4

VDS=10V

[ N沟道]

VGS=0

順伝達アドミタンス,

y

fs - S

5

3

2

5

°

C

Ta

°

C

--25

=

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

0.1

0.01

2

3

5 7 0.1

2

3

5 7 1.0

2

3

ドレイン电流， ID -

100

5 7 10

IT06045

0

0.2

Ta=7

3

2

0.6

5

°

C

25

°

C

--25

°

C

0.8

75

°

C

顺电流， IF - 一个

1.0

7

5

1.0

1.2

IT06046

SW时间 - ID

[ N沟道]

VDD=30V

VGS=10V

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

ダイオード顺电圧， VSD - V

[ N沟道]

f=1MHz

スイッチングタイム， SW时间 - NS

7

5

3

2

TD （关闭）

西塞，科斯，的Crss - pF的

tf

3

2

西塞

10

7

5

3

2

TD （上）

tr

100

7

5

3

2

科斯

CRSS

1.0

0.1

10

2

3

5

7

1.0

2

3

5

ドレイン电流， ID -

10

IT06047

7

0

10

20

30

40

50

60

IT06048

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

No.7549-3/6

FW359

10

9

VGS - 的Qg

[ N沟道]

VDS=30V

ID=3A

ドレイン电流， ID -

3

2

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

ASO

IDP = --14A

[ N沟道]

≦10s

10

0

s

1m

s

ms

10

0m

s

10

s

10

ゲート½ース電圧, VGS -- V

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

ID = --3A

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

DC

op

er

ATI

on

0.01

0.1

Ta=25°C

1パルス

セラミック基板(2000mm

2

×0.8mm)装着時

2

3

5 7 1.0

2

3

5 7 10

2

3

総ゲート电荷量，的Qg - 数控

--3.0

IT06049

ID - VDS

--6.0

V

-4

.0V

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

--6

5 7 100

IT06061

[ P沟道]

ID - VGS

[ P沟道]

.

-3

5V

--5

VDS = --10V

--8.

0V

--2.5

ドレイン电流， ID -

--5

.0V

--2.0

ドレイン电流， ID -

--4

--10

.

0V

--1.5

VGS = --3.0V

--3

--1.0

--2

--0.5

--1

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--4.0

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m

500

450

400

350

300

IT06052

ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m

RDS （ ON） - VGS

ゲート½ース電圧, VGS -- V

300

280

260

240

220

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

--60

25

°

C

--25

°

C

TA

75

°

C

IT06053

[ P沟道]

Ta=25°C

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

--3.0A

250

200

150

100

50

0

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

ID ↓

--1.5A

--4V

S=

， VG

5A

--10V

--1.

=

S=

ID

VG

.0A,

=

--3

ID

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

ゲート½ース電圧, VGS -- V

10

7

IT06054

y

fs - ID

°

C

周囲温度，钽 -

°C

--10

7

5

3

2

IT06055

[ P沟道]

IF - 室间隔缺损

[ P沟道]

VGS=0

VDS = --10V

25

順伝達アドミタンス,

y

fs - S

5

3

2

75

°

C

0

--0.2

--0.4

25

°

C

7

5

3

2

3

2

--0.1

7

5

3

2

0.1

--0.01

2

3

5 7 --0.1

2

3

5 7 --1.0

2

3

TA

--0.6

1.0

°

C

75

--25

°

C

--0.8

Ta

顺电流， IF - 一个

C

5

°

-2

=

--1.0

7

5

ドレイン电流， ID -

5 7 --10

IT06056

--1.0

--1.2

IT06057

ダイオード顺电圧， VSD - V

No.7549-4/6

FW359

スイッチングタイム， SW时间 - NS

1000

7

5

3

2

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

--0.1

2

3

5

7

2

3

5

7

SW时间 - ID

[ P沟道]

VDD = --30V

VGS = --10V

10000

7

5

3

2

1000

7

5

3

2

100

7

5

3

2

10

0

西塞，科斯，的Crss - VDS

[ P沟道]

f=1MHz

TD （关闭）

tf

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞

tr

TD （上）

科斯

CRSS

--1.0

ドレイン电流， ID -

--10

--9

--10

IT06058

--10

--20

--30

--40

--50

--60

IT06059

VGS - 的Qg

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

3

2

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

[ P沟道]

ASO

[ P沟道]

≦10s

10

0

1m

s

10

ms

ゲート½ース電圧, VGS -- V

VDS = --30V

ID = --3A

IDP = --14A

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0

5

10

15

20

25

30

ドレイン电流， ID -

ID = --3A

10

0m

DC

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

10

s

op

e

ra

ti

on

--0.01

--0.1

Ta=25°C

1パルス

セラミック基板(2000mm

2

× 0.8毫米）装着时1台

2

3

5 7 --1.0

2

3

5 7 --10

2

3

2.4

2.2

2.0

総ゲート电荷量，的Qg - 数控

IT06060

PD （ FET 1 ） - PD （FET 2 ）

[ N沟道， P沟道共通]

セラミック基板(2000mm

2

×0.8mm)装着時,

PW≦10s

2.5

2.2

2.0

ドレイン½ース電圧, VDS -- V

PD - TA

[ N沟道， P沟道共通]

セラミック基板(2000mm

2

×0.8mm)装着時,

PW≦10s

5 7 --100

IT06062

许容损失（ FET 1 ）， PD - 含

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

许容损失， PD - 含

1.8

1.5

全

1u

損

ni

t

失

1.0

0.5

0

20

40

60

80

100

120

140

160

许容损失（FET 2 ）， PD - 含

IT06063

周囲温度，钽 -

°C

IT06064

No.7549-5/6