【订购数量： ENN7922FW341N沟道和P沟道MOSFET的硅FW341特点通用开关设备应用低导】,IC型号FW341,FW341 PDF资料,FW341经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN7922

FW341

N沟道和P沟道MOSFET的硅

FW341

特点

通用开关设备

应用

低导通电阻。

超高速开关。

复合型与N型沟道MOSFET和P沟道MOSFET从4V电源电压驱动

包含在单个封装中。

高密度安装。

最适合于电机驱动应用。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ PW≤10s ）

漏电流（ PW≤100ms ）

漏电流（ PW≤10μs ）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

占空比= 1 ％

安装在陶瓷基板

(2000mm

2

!0.8mm)1unit

安装在陶瓷基板

(2000mm

2

!0.8mm)

条件

N沟道

30

±20

3.5

4

6

14

1.4

1.7

150

--55到150

P沟道

--30

±20

--2.5

--3

--4.5

--10

单位

V

A

W

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

ID = 1mA时， VGS = 0

VDS = 30V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ， ID = 3.5A

ID = 3.5A ， VGS = 10V

ID = 1.8A ， VGS = 4V

1.2

3.0

5.3

64

105

84

150

30

1

±10

2.6

V

A

V

S

m

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： W341

接下页。

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

D2004 TS IM TA- 100623 No.7922-1 / 6

FW341

从接下页。

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = -

-1mA ， VGS = 0

VDS = -

-30V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = -

-10V ， ID = - 1毫安

VDS = -

-10V ，ID = -

-2.5A

ID = -

-2.5A ， VGS = -

-10V

ID = -

-1A ， VGS = -

-4V

VDS = -

-10V ， F = 1MHz的

VDS = -

-10V ， F = 1MHz的

VDS = -

-10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = -

-10V ， VGS = - 10V ， ID = -

-2.5A

VDS = -

-10V ， VGS = - 10V ， ID = -

-2.5A

VDS = -

-10V ， VGS = - 10V ， ID = -

-2.5A

IS = - 2.5A ， VGS = 0

--30

--1

±10

--1.2

2

3

110

240

200

47

32

7

3.5

20

8

5.5

0.98

0.82

-

-0.87

--1.5

145

340

--2.6

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

符号

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

VDS = 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 3.5A

IS = 3.5A ， VGS = 0

评级

民

典型值

180

42

25

7

15

19

5

5.0

0.9

0.6

0.88

1.2

最大

单位

pF

ns

nC

V

包装尺寸

单位：mm

2129

8

5

0.3

电气连接

8

7

6

5

1.8max

1

5.0

4

0.2

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

三洋： SOP8

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

1

2

3

4

4.4

6.0

顶视图

0.595

1.27

0.43

0.1

1.5

No.7922-2/6

FW341

开关时间测试电路

[ N沟道]

VIN

10V

0V

VIN

ID=3.5A

RL=4.3

VDD=15V

0V

--10V

VIN

ID = --2.5A

RL=6

[ P沟道]

VIN

VDD = --15V

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

PW=10s

D.C.≤1%

D

VOUT

G

FW341

P.G

50

FW341

P.G

50

S

7

ID - VDS

4V

5V

[ N沟道]

3.5

ID - VGS

°

C

Ta=--2

5

[ N沟道]

6

3.0

8V

6V

漏极电流ID -

5

漏极电流ID -

2.5

10V

4

V GS = 3V

2.0

3

1.5

2

1.0

1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.5

0

0.5

1.0

1.5

2.0

--25

°

C

25

°

C

Ta=7

5

°

C

2.5

75

°

C

25

°

C

3.0

VDS=10V

3.5

4.0

漏极至源极电压VDS - V

300

IT06650

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

200

IT06651

[ N沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

250

150

200

150

100

1.

I D =

8

=4V

V GS

A,

100

ID=1.8A

3.5A

=10V

VGS

.5A,

I D = 3

50

0

2

3

4

5

6

7

8

9

10

IT06652

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

环境温度，钽 -

°C

IT06653

No.7922-3/6

FW341

10

y

fs - ID

[ N沟道]

VDS=10V

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

IF - 室间隔缺损

[ N沟道]

VGS=0

1.0

7

5

3

2

=

Ta

5

--2

°

C

75

°

C

正向电流IF - 一个

°

C

25

Ta=7

5

°

C

25

°

C

0.3

0.4

0.5

0.6

0.1

7

5

3

2

0.1

0.01

2

3

5 7

0.1

2

3

5 7

1.0

2

3

漏极电流ID -

100

7

10

IT06654

5 7

0.01

0.2

0.7

--25

°

C

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

SW时间 - ID

[ N沟道]

VDD=15V

VGS=10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

1000

7

5

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

IT06655

[ N沟道]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

5

3

2

TD （关闭）

西塞

10

7

5

3

2

1.0

0.1

TD （上）

100

7

5

3

2

tf

tr

科斯

CRSS

10

2

3

5

7

1.0

2

3

5

漏极电流ID -

10

9

10

IT06656

7

0

5

10

15

20

25

30

IT06657

漏极至源极电压VDS - V

3

2

10

7

5

VGS - 的Qg

VDS=10V

ID=3.5A

[ N沟道]

ASO

IDP=14A

ID=3.5A

[ N沟道]

<10s

栅极 - 源极电压VGS - V

10

1m

s

8

0

s

漏极电流ID -

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

IT06658

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

10

DC

0m

s

10

ms

10

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

op

ERA

TIO

n

s

0.01

0.1

Ta=25

°

C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 2000毫米

2

!

0.8mm)1unit

2

3

5

7 1.0

2

3

5

7 10

2

3

5

总栅极电荷QG - 数控

V

--2.0

ID - VDS

V

漏极至源极电压VDS - V

--5.0

IT06659

[ P沟道]

ID - VGS

[ P沟道]

--10.

0

--6.0

0V

VDS=10V

--4.5

--4.0

--1.6

漏极电流ID -

--4.

.

--3

--1.2

5V

漏极电流ID -

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--0.8

VGS = --3.0V

--0.4

--1.0

--0.5

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

5

°

C

25

--25

°

C

°

C

--3.0

--3.5

--1.5

TA

7

--4.0

--4.5

漏极至源极电压VDS - V

IT03212

栅极 - 源极电压VGS - V

IT03213

No.7922-4/6

FW341

500

RDS （ ON） - VGS

[ P沟道]

Ta=25

°

C

400

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

450

400

350

300

250

200

150

100

50

--2

350

300

250

200

150

100

50

0

--60

--1

I D =

.0A

= --4

， VGS

V

--2.5A

ID = --1.0A

= --10V

.5A ，V GS

I D = --2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

10

y

fs - ID

IT07523

环境温度，钽 -

°C

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

IT07524

[ P沟道]

VDS = --10V

IF - 室间隔缺损

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

[ P沟道]

VGS=0

°

C

25

1.0

7

5

3

2

5

°

C

--2

°

C

=

75

Ta

正向电流IF - 一个

°

C

Ta=7

5

0.1

--0.01

2

3

5 7 --0.1

2

3

5 7 --1.0

2

3

漏极电流ID -

2

100

5 7 --10

IT03216

--0.01

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--25

°

C

--0.8

--0.9

25

°

C

--1.0

--1.1

--1.2

SW时间 - ID

[ P沟道]

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

IT03217

[ P沟道]

f=1MHz

VDD “

--15V

VGS =

--10V

切换时间， SW时间 - NS

7

西塞，科斯，的Crss - pF的

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

--0.1

100

7

5

TD （关闭）

TD （上）

tf

科斯

3

2

CRSS

tr

10

2

3

5

7

--1.0

2

3

5

IT03218

0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT03219

漏极电流ID -

--10

--9

漏极至源极电压VDS - V

2

--10

7

5

VGS - 的Qg

[ P沟道]

ASO

IDP = --10A

ID = --2.5A

[ P沟道]

<10s

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --10V

ID = --2.5A

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0

1

2

3

4

5

6

IT03220

10

m

0m

s

DC

s

op

er

ATI

on

10s

漏极电流ID -

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

1m

s

0

s

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 2000毫米

2

!0.8mm)

1unit

5 7 --0.1

2 3

5 7 --1.0

2 3

5 7 --10

2 3

5

--0.01

--0.01 2 3

总栅极电荷QG - 数控

漏极至源极电压VDS - V

IT07525

No.7922-5/6

订购数量： ENN7922

FW341

N沟道和P沟道MOSFET的硅

FW341

特点

通用开关设备

应用

低导通电阻。

超高速开关。

复合型与N型沟道MOSFET和P沟道MOSFET从4V电源电压驱动

包含在单个封装中。

高密度安装。

最适合于电机驱动应用。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ PW≤10s ）

漏电流（ PW≤100ms ）

漏电流（ PW≤10μs ）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

占空比= 1 ％

安装在陶瓷基板

(2000mm

2

!0.8mm)1unit

安装在陶瓷基板

(2000mm

2

!0.8mm)

条件

N沟道

30

±20

3.5

4

6

14

1.4

1.7

150

--55到150

P沟道

--30

±20

--2.5

--3

--4.5

--10

单位

V

A

W

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

ID = 1mA时， VGS = 0

VDS = 30V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ， ID = 3.5A

ID = 3.5A ， VGS = 10V

ID = 1.8A ， VGS = 4V

1.2

3.0

5.3

64

105

84

150

30

1

±10

2.6

V

A

V

S

m

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： W341

接下页。

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

D2004 TS IM TA- 100623 No.7922-1 / 6

FW341

从接下页。

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = -

-1mA ， VGS = 0

VDS = -

-30V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = -

-10V ， ID = - 1毫安

VDS = -

-10V ，ID = -

-2.5A

ID = -

-2.5A ， VGS = -

-10V

ID = -

-1A ， VGS = -

-4V

VDS = -

-10V ， F = 1MHz的

VDS = -

-10V ， F = 1MHz的

VDS = -

-10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = -

-10V ， VGS = - 10V ， ID = -

-2.5A

VDS = -

-10V ， VGS = - 10V ， ID = -

-2.5A

VDS = -

-10V ， VGS = - 10V ， ID = -

-2.5A

IS = - 2.5A ， VGS = 0

--30

--1

±10

--1.2

2

3

110

240

200

47

32

7

3.5

20

8

5.5

0.98

0.82

-

-0.87

--1.5

145

340

--2.6

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

符号

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

VDS = 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 3.5A

IS = 3.5A ， VGS = 0

评级

民

典型值

180

42

25

7

15

19

5

5.0

0.9

0.6

0.88

1.2

最大

单位

pF

ns

nC

V

包装尺寸

单位：mm

2129

8

5

0.3

电气连接

8

7

6

5

1.8max

1

5.0

4

0.2

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

三洋： SOP8

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

1

2

3

4

4.4

6.0

顶视图

0.595

1.27

0.43

0.1

1.5

No.7922-2/6

FW341

开关时间测试电路

[ N沟道]

VIN

10V

0V

VIN

ID=3.5A

RL=4.3

VDD=15V

0V

--10V

VIN

ID = --2.5A

RL=6

[ P沟道]

VIN

VDD = --15V

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

PW=10s

D.C.≤1%

D

VOUT

G

FW341

P.G

50

FW341

P.G

50

S

7

ID - VDS

4V

5V

[ N沟道]

3.5

ID - VGS

°

C

Ta=--2

5

[ N沟道]

6

3.0

8V

6V

漏极电流ID -

5

漏极电流ID -

2.5

10V

4

V GS = 3V

2.0

3

1.5

2

1.0

1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.5

0

0.5

1.0

1.5

2.0

--25

°

C

25

°

C

Ta=7

5

°

C

2.5

75

°

C

25

°

C

3.0

VDS=10V

3.5

4.0

漏极至源极电压VDS - V

300

IT06650

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

200

IT06651

[ N沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

250

150

200

150

100

1.

I D =

8

=4V

V GS

A,

100

ID=1.8A

3.5A

=10V

VGS

.5A,

I D = 3

50

0

2

3

4

5

6

7

8

9

10

IT06652

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

环境温度，钽 -

°C

IT06653

No.7922-3/6

FW341

10

y

fs - ID

[ N沟道]

VDS=10V

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

IF - 室间隔缺损

[ N沟道]

VGS=0

1.0

7

5

3

2

=

Ta

5

--2

°

C

75

°

C

正向电流IF - 一个

°

C

25

Ta=7

5

°

C

25

°

C

0.3

0.4

0.5

0.6

0.1

7

5

3

2

0.1

0.01

2

3

5 7

0.1

2

3

5 7

1.0

2

3

漏极电流ID -

100

7

10

IT06654

5 7

0.01

0.2

0.7

--25

°

C

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

SW时间 - ID

[ N沟道]

VDD=15V

VGS=10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

1000

7

5

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

IT06655

[ N沟道]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

5

3

2

TD （关闭）

西塞

10

7

5

3

2

1.0

0.1

TD （上）

100

7

5

3

2

tf

tr

科斯

CRSS

10

2

3

5

7

1.0

2

3

5

漏极电流ID -

10

9

10

IT06656

7

0

5

10

15

20

25

30

IT06657

漏极至源极电压VDS - V

3

2

10

7

5

VGS - 的Qg

VDS=10V

ID=3.5A

[ N沟道]

ASO

IDP=14A

ID=3.5A

[ N沟道]

<10s

栅极 - 源极电压VGS - V

10

1m

s

8

0

s

漏极电流ID -

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

IT06658

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

10

DC

0m

s

10

ms

10

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

op

ERA

TIO

n

s

0.01

0.1

Ta=25

°

C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 2000毫米

2

!

0.8mm)1unit

2

3

5

7 1.0

2

3

5

7 10

2

3

5

总栅极电荷QG - 数控

V

--2.0

ID - VDS

V

漏极至源极电压VDS - V

--5.0

IT06659

[ P沟道]

ID - VGS

[ P沟道]

--10.

0

--6.0

0V

VDS=10V

--4.5

--4.0

--1.6

漏极电流ID -

--4.

.

--3

--1.2

5V

漏极电流ID -

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--0.8

VGS = --3.0V

--0.4

--1.0

--0.5

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

5

°

C

25

--25

°

C

°

C

--3.0

--3.5

--1.5

TA

7

--4.0

--4.5

漏极至源极电压VDS - V

IT03212

栅极 - 源极电压VGS - V

IT03213

No.7922-4/6

FW341

500

RDS （ ON） - VGS

[ P沟道]

Ta=25

°

C

400

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

450

400

350

300

250

200

150

100

50

--2

350

300

250

200

150

100

50

0

--60

--1

I D =

.0A

= --4

， VGS

V

--2.5A

ID = --1.0A

= --10V

.5A ，V GS

I D = --2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

10

y

fs - ID

IT07523

环境温度，钽 -

°C

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

IT07524

[ P沟道]

VDS = --10V

IF - 室间隔缺损

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

[ P沟道]

VGS=0

°

C

25

1.0

7

5

3

2

5

°

C

--2

°

C

=

75

Ta

正向电流IF - 一个

°

C

Ta=7

5

0.1

--0.01

2

3

5 7 --0.1

2

3

5 7 --1.0

2

3

漏极电流ID -

2

100

5 7 --10

IT03216

--0.01

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--25

°

C

--0.8

--0.9

25

°

C

--1.0

--1.1

--1.2

SW时间 - ID

[ P沟道]

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

IT03217

[ P沟道]

f=1MHz

VDD “

--15V

VGS =

--10V

切换时间， SW时间 - NS

7

西塞，科斯，的Crss - pF的

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

--0.1

100

7

5

TD （关闭）

TD （上）

tf

科斯

3

2

CRSS

tr

10

2

3

5

7

--1.0

2

3

5

IT03218

0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT03219

漏极电流ID -

--10

--9

漏极至源极电压VDS - V

2

--10

7

5

VGS - 的Qg

[ P沟道]

ASO

IDP = --10A

ID = --2.5A

[ P沟道]

<10s

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --10V

ID = --2.5A

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0

1

2

3

4

5

6

IT03220

10

m

0m

s

DC

s

op

er

ATI

on

10s

漏极电流ID -

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

1m

s

0

s

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 2000毫米

2

!0.8mm)

1unit

5 7 --0.1

2 3

5 7 --1.0

2 3

5 7 --10

2 3

5

--0.01

--0.01 2 3

总栅极电荷QG - 数控

漏极至源极电压VDS - V

IT07525

No.7922-5/6