【订购数量： ENA0424FW340三洋半导体数据表N沟道和P沟道MOSFET的硅FW340特点通用】,IC型号FW340,FW340 PDF资料,FW340经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0424

FW340

三洋半导体

数据表

N沟道和P沟道MOSFET的硅

FW340

特点

通用开关设备

应用

对于电机驱动器，逆变器。

复合型与N型沟道MOSFET和P沟道MOSFET从4V电源电压驱动

包含在单个封装中。

高密度安装。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ PW≤10s ）

漏电流（ PW≤100ms ）

漏电流（ PW≤10μs ）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

占空比= 1 ％

安装在陶瓷基板

(2000mm

2

!0.8mm)1unit,

PW≤10s

安装在陶瓷基板

(2000mm

2

!0.8mm),

PW≤10s

条件

N沟道

30

±20

5

5.5

7

20

1.8

2.2

150

--55到150

P沟道

-

-30

±20

--5

--5.5

--9

-

-20

单位

V

A

W

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 5A

ID = 5A ， VGS = 10V

ID = 3A ， VGS = 4.5V

ID = 3A ， VGS = 4V

30

1

±10

1.2

3.3

5.5

37

56

64

48

78

90

2.6

V

A

V

S

m

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： W340

接下页。

描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品

能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，

该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致

严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表

最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，

应用程序。

三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任

AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）

本文描述或包含的产品。

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

82306 / 62006PA MS IM TB- 00002412号A0424-1 / 6

FW340

从接下页。

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = -

-1mA

VDS = - 10V ，ID = -

-5A

ID = - 5A ， VGS = - 10V

ID = - 3A ， VGS = - 4.5V

ID = - 3A ， VGS = - 4V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 5A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 5A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 5A

IS = - 5A ， VGS = 0V

--1.2

4.5

7.5

41

62

70

1000

195

150

13

82

87

55

16.5

2.5

--0.85

--1.5

53

87

98

--30

--1

±10

--2.6

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

符号

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

VDS = 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 5A

IS = 5A ， VGS = 0V

评级

民

典型值

460

95

75

11

20

30

20

8.6

2.0

1.6

0.9

1.2

最大

单位

pF

ns

nC

V

包装尺寸

单位：mm

7005-003

电气连接

8

5

0.3

7

6

5

1

4

0.43

0.2

5.0

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

三洋： SOP8

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

顶视图

4.4

6.0

1

2

3

4

0.595

1.27

0.1

1.5

1.8最大

第A0424-2 / 6

FW340

开关时间测试电路

[ N沟道]

VIN

10V

0V

VIN

ID=5A

RL=3

VDD=15V

[ P沟道]

VIN

0V

--10V

VIN

VOUT

VDD = --15V

ID = --5A

RL=3

D

PW=10s

D.C.≤1%

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

G

FW340

P.G

50

FW340

P.G

50

S

5

ID - VDS

10.0V

8.0V

6.0V

[ N沟道]

10

9

8

ID - VGS

[ N沟道]

VDS=10V

4.0V

V

3.5

4

3.0

V

漏极电流ID -

2.5V

7

6

5

4

3

2

1

3

2

1

VGS=2.0V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

IT04957

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

漏极至源极电压VDS - V

140

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

140

Ta=7

5

°

C

--25

°

C

25

°

C

IT04958

[ N沟道]

Ta=25

°

C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

120

100

80

ID=3A

5A

80

I D = 3

60

V

=4.0

VGS

A,

60

40

V

=4.5

VGS

A,

I D = 3

=10.0V

，V GS

I D = 5A

20

0

2

4

6

8

10

12

14

16

20

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

IT11087

环境温度，钽 -

°C

IT11088

第A0424-3 / 6

FW340

10

y

fs - ID

VDS=10V

[ N沟道]

2

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

0.01

7

5

3

2

0.001

IS - VSD

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

[ N沟道]

VGS=0V

1.0

7

5

3

2

0.1

0.01

2

3

°

C

-25

=-

°

C

Ta

°

75

25

源出电流，是 - 个

5 7

0.1

2

3

5 7

1.0

2

3

漏极电流ID -

100

10

IT11089

5 7

0

0.2

0.4

TA

75

°

C

25

°

C

--25

°

C

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

IT04962

SW时间 - ID

[ N沟道]

切换时间， SW时间 - NS

7

VDD=15V

VGS=10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

[ N沟道]

f=1MHz

5

3

2

TD （关闭）

3

2

tf

100

7

5

科斯

CRSS

tr

10

0.1

2

3

5

7

1.0

2

TD （上）

3

5

10

IT04963

7

3

0

5

10

15

20

25

30

IT11090

漏极电流ID -

10

9

VGS - 的Qg

漏极至源极电压VDS - V

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

[ N沟道]

ASO

[ N沟道]

PW≤10s

100

s

1m

s

10

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=10V

ID=5A

漏极电流ID -

IDP=20A

ID=5A

10

0m

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

ms

s

DC

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

op

10

s

ERA

t

离子

0.01

0.1

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 2000毫米

2

!0.8mm)

1unit

2

3

5

7 1.0

2

3

5

7 10

2

3

5

总栅极电荷QG - 数控

--5.0

IT11091

ID - VDS

0V

--3

.5V

漏极至源极电压VDS - V

--10

IT11092

[ P沟道]

ID - VGS

[ P沟道]

VDS = --10V

--9

--8

--4.0

V

--10

.

漏极电流ID -

5V

-

-4.

0V

漏极电流ID -

--6.

0

--7

--6

--5

--3.0

--3.0V

--4

.

--3

--1

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--4.0

漏极至源极电压VDS - V

IT07390

栅极 - 源极电压VGS - V

25

°

--1.0

VGS = --2.5V

--2

Ta=7

5

°

C

--25

°

C

--2.0

--4

C

IT11093

第A0424-4 / 6

FW340

140

RDS （ ON） - VGS

ID ↓

--5A

[ P沟道]

Ta=25°C

140

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

120

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

120

ID ↓

--3A

100

80

60

40

V

=

--4

， VGS

--3A

V

I D =

--4.5

S=

， VG

--3A

I D =

V

=

--10

，V GS

5A

I D =

--

20

0

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

20

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

10

y

fs - ID

IT07392

环境温度，钽 -

°C

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

IT07393

[ P沟道]

IS - VSD

[ P沟道]

VGS=0V

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

VDS = --10V

5

°

C

--0.4

1.0

7

5

3

2

5

°

C

0.1

--0.01

2

3

5 7 --0.1

2

3

5 7 --1.0

2

3

漏极电流ID -

3

2

5 7 --10

IT11094

--0.01

--0.2

TA

7

--0.6

25

°

C

°

C

75

--25

°

C

--0.8

=

Ta

--2

C

5

°

源出电流，是 - 个

--1.0

--1.2

IT07395

SW时间 - ID

VDD = --15V

VGS = --10V

TD （关闭）

[ P沟道]

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

[ P沟道]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

7

5

3

2

1000

7

5

3

2

西塞

tf

tr

科斯

CRSS

10

7

5

3

--0.1

TD （上）

100

7

5

2

3

5

7

--1.0

2

3

5

漏极电流ID -

--10

--9

--10

IT07396

7

0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT07397

漏极至源极电压VDS - V

5

3

2

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

VGS - 的Qg

VDS = --10V

ID = --5A

[ P沟道]

ASO

IDP = --20A

ID = --5A

[ P沟道]

PW≤10s

栅极 - 源极电压VGS - V

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

1m

漏极电流ID -

s

10

m

10

0

s

10

0m

DC

s

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

10

s

op

ERA

TIO

n

--0.01

--0.1

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 2000毫米

2

!0.8mm)

1unit

2

3

5

7 --1.0

2

3

5

7 --10

2

3

5

总栅极电荷QG - 数控

IT07398

漏极至源极电压VDS - V

IT11095

第A0424-5 / 6