订购数量： ENA0386
FW168
三洋半导体
数据表
FW168
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
4V的驱动器。
低导通电阻。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 2000毫米
!0.8mm)
1unit
2
条件
评级
--30
±20
--4
--16
1.4
1.7
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
安装在陶瓷板（ 2000毫米
2
!0.8mm)
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = -
-30V ， VGS = 0V
VGS =
±16V,
VDS=0V
VDS = -
-10V ， ID = - 1毫安
VDS = -
-10V ，ID = -
-4A
ID = - 4A ， VGS = -
-10V
ID = - 2A ， VGS = -
-4.5V
ID = - 2A ， VGS = -
-4V
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
评级
民
--30
--1
±10
--1.2
3.7
6.2
54
88
100
590
120
115
72
125
145
--2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
标记： W168
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
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最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
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AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
71206 / 41006PA MS IM TB- 00002238号A0386-1 / 4
FW168
允许功耗（FET 1 ） ， PD - 含
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
PD （ FET 1 ） - PD （FET 2 ）
ou
NTE
允许功耗， PD - 含
M
1.8
1.7
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
PD - TA
安装在陶瓷板（ 2000毫米
2
!0.8mm)
do
na
ce
内存
ic
bo
ARD
To
t
al
(2
00
di
ss
0m
m
2
!
0
1u
NIT
ip
ATI
on
.8m
m)
40
60
80
100
120
140
160
允许功耗（FET 2 ） ， PD - 含
IT10949
环境温度，钽 -
°C
IT10950
注意使用情况：由于FW168是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
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产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
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PS第A0386-4 / 4
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