订购数量: EN5694
N沟道MOSFET硅
FTS2001
DC- DC转换器应用
特点
·低导通电阻。
· 2.5V驱动器。
·安装高度1.1毫米。
包装尺寸
单位:mm
2147
3.0
0.975
0.65
0.95
[FTS2001]
8
5
0.5
1 :排水
2 :源
3 :源
4 :门
5 :排水
6 :源
7 :源
8 :排水
三洋: SOP8
4.5
1
4
0.25
0.95
6.4
0.125
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
条件
0.1
1.0
1.2max
评级
20
±10
5
30
2
单位
V
V
A
A
W
C
C
安装在陶瓷板(千毫米
×0.8mm)
1.5
150
-55到+150
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅 - 源"Miller"充电
栅极 - 漏极电荷
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 5A , VGS = 0
VDS = 10V ,V GS = 10V ,ID = 5A
ID = 1mA时, VGS = 0
VDS = 20V , VGS = 0
VGS = ± 8V , VDS = 0
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 5A
ID = 5A , VGS = 4V
ID = 2A , VGS = 2.5V
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
0.4
9
15
23
32
750
520
300
20
200
150
150
30
5
7
1.0
1.2
30
46
CONDITONS
评级
民
20
100
±10
1.3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
61598TS ( KOTO ) TA- 1232 No.5694-1 / 3
FTS2001
10000
7
5
西塞,科斯,的Crss - V
DS
F = 1MHz的
10
V
GS
- Q克
V
DS
=10V
I
D
=5A
9
8
7
6
5
4
3
2
1
西塞,科斯,的Crss - pF的
3
2
1000
7
5
3
2
100
0
西塞
科斯
CRSS
栅极 - 源极电压,V
GS =
V
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0
5
10
15
20
25
30
漏极至源极电压,V
DS
– V
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7 0.1
总栅极电荷QG - 数控
SW时间 - 我
D
V
DD
=10V
V
GS
= 4V
切换时间, SW时间 - NS
漏电流,我
D
– A
tf
td
(作者:
f)
,,,,,,
,,,,,,
,,,,,,
5
3
2
A S
100
s
1m
10m
s
I
DP
= 3 0 A
s
10
7
I
D
=5A
5
3
2
tr
10
0m
s
1.0
7
在这一领域
5
被限制
DC
op
ERA
由R
DS
(上) 。
TA = 25℃
TIO
n
吨D(上)
3
2
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
0.1
1pulse
7
安装在陶瓷板上(千毫米
2
×0.8mm)
5
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
漏电流,我
D
– A
2.0
漏极至源极电压,V
DS
– V
P
D
-
Ta
允许功耗,P
D
– W
1.5
M
ou
NTE
do
nc
1.0
ERA
mi
cb
oa
rd
(1
00
0m
0.5
m
2
×
0
.8m
m)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
储存温度,钽 - C
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PS No.5694-3 / 3