订购数量： ENN6462
N沟道MOSFET硅
FTD2022
负载开关应用
特点
·低导通电阻。
· 4V的驱动器。
·安装高度1.1毫米。
·复合型，促进高密度安装。
包装尺寸
单位：mm
2155A
[FTD2022]
0.65
8
0.95
3.0
5
0.425
4.5
6.4
1
0.25
4
(0.95)
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
条件
评级
30
±20
4.5
20
0.8
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
安装在陶瓷板（千毫米
2
×0.8mm)
1unit
安装在陶瓷板（千毫米
2
×0.8mm)
0.1
特定网络阳离子
1.0
0.5
1 ： Drain1
2 ：源1
3 ：源1
0.125
4 ： GATE1
5 ： GATE2
6 ：源2
7 ：源2
8 ： Drain2
三洋： TSSOP8
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 30V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 4.5A
ID = 4.5A ， VGS = 10V
ID = 4A ， VGS = 4.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
1.0
5.6
8
26
39
530
170
90
34
55
条件
评级
民
30
1
±10
2.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
标记： D2022
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
30100TS （ KOTO ） TA- 2670 No.6462-1 / 4
FTD2022
从接下页。
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷"Miller"
二极管的正向电压
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 4.5A ， VGS = 0
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 4.5A
条件
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
评级
民
典型值
9
73
41
54
10
1.5
1.0
0.79
1.2
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD=15V
10V
0V
VIN
电气连接
D2 S2 S2 G2
ID=4.5A
RL=3.33
VIN
PW=10s
D.C.≤1%
D
G
VOUT
P.G
50
S
FTD2022
D1 S1 S1 G1
（ TOP VIEW ）
10
ID - VDS
10.0V
10
9
8
ID - VGS
VDS=10V
9
漏极电流ID -
8.0V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
6.0
4.5
V
V
3.
5V
漏极电流ID -
V
3.0
7
6
5
4
5
°
C
TA
7
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS=2.5V
3
2
1
0
25
°
C
2.5
3.0
--25
°
C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
3.5
4.0
漏极至源极电压VDS - V
60
55
IT00557
60
栅极 - 源极电压VGS - V
IT00558
RDS （ ON） - VGS
Ta=25°C
RDS （ ON） - TA
4.5
S=
VG
V
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
50
ID=4.5A
4.0A
40
4.0
I D =
A,
30
=10.
VGS
.5A,
I D = 4
0V
20
10
0
--50
--25
栅极 - 源极电压VGS - V
IT00559
环境温度，钽 -
°C
0
25
50
75
100
125
150
IT00560
No.6462-2/4
FTD2022
正向转移导纳， | YFS | - S
100
7
5
3
y
fs - ID
VDS=10V
10
7
5
3
2
IF - 室间隔缺损
VGS=0
正向电流IF - 一个
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
10
IT00561
7
25
°
C
°
--25
TA
C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
75
°
C
Ta=7
5
°
C
25
°
C
0.5
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
0.3
0.4
0.6
--25
°
C
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
漏极电流ID -
1000
7
5
二极管的正向电压， VSD - V
10
IT00562
西塞，科斯，的Crss - VDS
f=1MHz
栅极 - 源极电压VGS - V
VGS - 的Qg
VDS=10V
ID=4.5A
西塞
9
8
7
6
5
4
3
2
1
西塞，科斯，的Crss - pF的
3
2
科斯
100
7
5
3
2
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
IT00563
0
0
1
2
漏极至源极电压VDS - V
1000
7
5
总栅极电荷QG - 数控
3
4
5
6
7
8
9
10
IT00564
SW时间 - ID
VDD=15V
VGS=10V
漏极电流ID -
切换时间， SW时间 - NS
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
0.1
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP=20A
ID=4.5A
<10s
1m
10
ms
s
100s
TD （关闭）
tr
TD （上）
tf
10
DC
op
0m
s
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
Ta=25°C
单脉冲
1个单位
er
ATI
o
n
3
5
7
1.0
2
3
5
漏极电流ID -
1.5
10
IT00565
7
0.01
安装在陶瓷板（千毫米
×0.8mm)
0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
2
漏极至源极电压VDS - V
5 7 100
IT00566
PD - TA
安装在陶瓷板（千毫米
2
×0.8mm)
允许功耗， PD - 含
1.3
1.0
0.8
To
TAL
Di
ss
ip
ATI
1u
0.5
on
NIT
0
0
20
环境温度，钽 -
°C
40
60
80
100
120
140
160
IT00567
No.6462-3/4
FTD2022
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特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
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三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
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