FTA20N60A
销售电话：13641469108廖先生
QQ:543158798
N沟道MOSFET
应用范围：
适配器
电视的主电源
SMPS电源
LCD面板电源
Pb
无铅封装及表面处理
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
（典型值）。
0.35
I
D
20 A
产品特点：
符合RoHS
低导通电阻
低栅极电荷
峰值电流与脉冲宽度曲线
G
G
D
S
TO-220F
D
订购信息
产品型号
FTA20N60A
包
TO-220F
BRAND
FTA20N60A
套餐
不按比例
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
D
@ 100 C
I
DM
P
D
o
T
C
=25
o
C除非另有说明
参数
FTA20N60A
（注* 1 ）
600
20.0
科幻gure 3
（ *注2 ）
图6
60
o
单位
V
漏极至源极电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲，V
GS
@ 10V
功耗
降额因子以上25℃
A
W
W / C
V
mJ
A
V / ns的
o
2.0
0.48
± 30
1000
图8
（注3）
5.0
300
260
-55到150
V
GS
E
AS
I
AS
dv / dt的
T
L
T
PKG
T
J
和T
英镑
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩Engergy
L = 10毫亨
脉冲雪崩额定值
峰值二极管恢复的dv / dt
最高温度焊接
在（ 1.6毫米） ，从案例10秒信息在0.063
包主体，持续10秒
工作结存储
温度范围
o
C
*漏电流受最高结温
注意：强调大于那些在“绝对最大额定值”表中列出可能对器件造成永久性损坏。
热阻
符号
R
JC
R
JA
参数
结到外壳
结到环境
FTA20N60A
2.08
o
单位
测试条件
漏极引线焊接水冷散热器， AD- PD
o
justed了
100
C / W
+150 C.峰值结温
1立方英尺室，自由的空气。
2010
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第1页9
FTA20N60A REV 。 B. 2010年4月
开关特性
符号
BV
DSS
BV
DSS
/ T
J
TJ = 25℃ ，除非另有规定
参数
分钟。
600
--
--
o
典型值。
--
0.51
--
--
--
--
马克斯。
--
--
10
单位
V
V / C
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250μA
参考至25℃ ，
I
D
=250μA
o
漏极至源极击穿电压
BreakdownVoltage温度
系数，如图11所示。
V
DS
=600V, V
GS
=0V
μA
V
DS
=480V, V
GS
=0V
o
T
J
=125 C
V
GS
=+30V
nA
V
GS
= -30V
I
DSS
漏极至源极漏电流
--
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
--
--
250
100
-100
I
GSS
基本特征
符号
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
TJ=25
o
C除非另有说明
参数
分钟。
--
2.0
--
典型值。
0.35
--
15
马克斯。
0.45
4.0
--
单位
测试条件
V
GS
= 10V ，我
D
=9.0A
（注4 ）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
静态漏 - 源极导通电阻
图9和图10 。
栅极阈值电压，如图12所示。
正向跨导
V
S
V
DS
= 15V ，我
D
=10A
（注4 ）
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
基本上是独立工作温度
参数
分钟。
--
--
--
--
--
--
典型值。
2830
245
17
55
14
21
马克斯。
--
--
--
--
--
--
单位
测试条件
V
GS
=0V
V
DS
=25V
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
pF
F = 1.0MHz的
图14
VDD=300V
ID=18A
图15
nC
电阻开关特性
符号
t
D（上）
t
上升
t
D（关闭）
t
秋天
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
基本上是独立工作温度
分钟。
--
--
--
--
参数
导通延迟时间
典型值。
40
75
150
80
马克斯。
--
--
单位
测试条件
V
DD
=300V
I
D
=18A
ns
--
--
V
GS
=10V
R
G
=25
2010
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源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
TC = 25℃ ，除非另有规定
分钟。
--
--
--
--
--
o
参数
连续源电流（体二极管）
最大脉冲电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
典型值。
--
--
--
615
5.8
马克斯。
20
80
1.5
--
--
单位
A
A
V
ns
nC
测试条件
积分PN二极管
在MOSFET
I
S
= 20A ，V
GS
=0V
V
GS
=0V
I
F
= 20A ，的di / dt = 100 A / μs的
注意事项：
* 1 。 TJ = 25
o
C至+150
o
C.
* 2 。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
*3. I
SD
= 20 A， di / dt的< 100 A / μs的，V
DD
< BV
DSS
, T
J
=+150
o
C.
* 4 。脉冲宽度< 380μs ;占空比< 2％。
2010
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占空比
1.000
50%
20%
图1.最大有效热阻，结至外壳
热
阻抗
0.100
（归一化）
10%
5%
2%
P
DM
1%
0.010
t
1
t
2
JC
,
0.001
单脉冲
0.0001
1E-6
注意事项：
DUTY因子： D = T1 / T2
PEAK TJ = PDM X Z JC X读JC + TC
Z
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
1E+0
10E+0
t
p
，矩形脉冲持续时间（ S）
图2中。
最大功率耗散
VS外壳温度
图3.最大连续漏极电流
VS外壳温度
20
75
P
D
，电力
60
耗散（W）的
I
D
，沥干
15
电流（A ）
10
45
30
5
15
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（ C）
图4.典型的输出特性
图5.典型漏极 - 源极导通电阻
VS栅极电压和漏极电流
20
脉冲宽度= 250微秒
占空比系数= 0.5 ％
最大值，T
C
= 25
o
C
2.1
15V
V
的s
=
VGS = 7.0V
I
D
，沥干
15
电流（A ）
RDS（ON） ，
漏 - 源
导通电阻（
1.4
脉宽= 10微秒
占空比系数= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
VGS = 6.5V
10
VGS = 6.0V
I
D
= 40A
I
D
= 20A
I
D
= 10A
I
D
= 5.0A
0.7
5
VGS = 5.5V
VGS = 5.0V
0
0
3
6
9
12
15
18
0.0
4
6
8
10
12
14
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
2010
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第4页第9
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图6.最大峰值电流能力
1000
跨
可能限制电流
这个区域
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
DM
，峰值
当前
100
(A)
=
–---------------------
10
VGS = 10V
1
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
1E+0
10E+0
t
p
，脉冲宽度（S ）
图7.典型的传输特性
网络连接gure 8 。
非钳位感应
交换能力
25
脉冲宽度= 380微秒
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
,
VDS
漏到源程序
= 30 V
100
电流（A ）
15
20
I
AS
，雪崩
电流（A ）
起动TJ = 25
o
C
10
起动TJ = 150
o
C
10
+150
o
C
+25
o
C
-55
o
C
1
如果R = 0 ： TAV = （L × IAS ） / （ 1.3BVDSS - VDD ）
当R 0： TAV = （ L / R） LN [ IAS ×R ）/（ 1.3BVDSS - VDD）， 1 ]
R等于漏极电路的总串联电阻
5
0
7
4
5
6
7
0.1
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
t
AV
，时间在雪崩（多个）
图9.典型的漏 - 源开
电阻与漏电流
1.8
脉宽= 10微秒
占空比= 0.5 ％ MAX
TC=25°C
图10.典型的漏极 - 源极导通电阻
VS结温
2.75
2.50
R
DS （ ON）
,
漏 - 源
抗性
1.2
()
0.9
1.5
RDS（ON） ，
阻力
2.25
漏 - 源
（归一化）
2.00
1.75
1.50
V= 10V
GS
1.25
1.00
0.75
0.50
脉宽= 10微秒
占空比= 0.5 ％ MAX
VGS = 10V ，ID = 10.0A
0.6
0.3
0.0
0
5
10
15
20
25
30
0.25
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
，漏电流（ A）
T
J
，结温（
o
C)
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