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FT04...H
逻辑电平双向可控硅
TO220-AB
通态电流
4安培
门极触发电流
向5日均线
10毫安
断态电压
200 V ÷ 600 V
MT2
MT1
MT2
G
这一系列的
双向可控硅
使用高
性能PNPN技术。
这些部件被用于一般
目的AC开关应用
高电感负载。
绝对最大额定值,根据IEC出版物第134号
符号
参数
RMS通态电流
不重复通态电流
不重复通态电流
熔断电流
栅极峰值电流
平均门功耗
通态电流临界上升率
工作温度
储存温度
条件
所有的导通角,T
C
= 110 C
完整周期, 60赫兹
完整周期, 50赫兹
t
p
= 10毫秒,半周期
20微秒最大。
T
j
=125C
T
j
=125C
I
G
= 2X我
GT
, t
r
≤100ns
F = 120赫兹,T
j
=125C
分钟。
马克斯。
4
33
30
4.5
4
1
50
-40
-40
+125
+150
单位
A
A
A
A
2
s
A
W
A / μs的
C
C
I
T( RMS )
I
TSM
I
TSM
I
2
t
I
GM
P
G( AV )
的di / dt
T
j
T
英镑
符号
参数
重复峰值关闭状态
电压
B
200
电压
D
400
M
600
单位
V
V
DRM
V
RRM
十二月 - 02
FT04...H
逻辑电平双向可控硅
电气特性
符号
参数
条件
象限
灵敏度
07
5
7
08
10
09
10
10
单位
mA
mA
mA
A
V
m
V
V
V
mA
mA
I
GT
(1)
I
DRM
/I
RRM
V
to
(2)
R
d
(2)
V
TM
(2)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
04 05
门极触发电流
V
D
= 12 V
DC
, R
L
= 33, T
j
= 25 C Q1 ÷ Q3 MAX 5
V
D
= V
DRM
,
Q4
最大
5
最大
T
j
= 125 C
断态泄漏电流V
R
= V
RRM
,
T
j
= 25 C
最大
T
j
= 125 C
阈值电压
最大
T
j
= 125 C
动态电阻
最大
I
T
= 5.5安培, TP = 380微秒,T
j
= 25 C
通态电压
最大
V
D
= 12 V
DC
, R
L
= 33, T
j
= 25 C Q1 ÷ Q4
(3)
最大
门极触发电压
门非触发电压V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3KΩ ,T
j
= 125 C Q1 ÷ Q4
(3)
I
T
= 100 mA时,门开,T
j
= 25 C
保持电流
MAX 15 15
(4)
最大
闭锁电流
I
G
= 1.2 I
GT
, T
j
= 25 C
Q1,Q3,Q4
10 10
Q2
MAX 20 20
T
j
= 125 C
MIN 10 10
1
5
0.9
120
1.6
1.3
0.2
10
10
15
20
15
25
30
40
20
20
40
dv / dt的
(2)
的电压上升V爆击率
D
= 0.67 x垂直
DRM
,门开
( di / dt的)C
(2)
电流上升( dv / dt的)C = 0.1 V / μs的的爆击率
( dv / dt的)C = 10 V / μs的
无缓冲
T
j
= 125 C
T
j
= 125 C
TJ = 125摄氏度
20 V / μs的
MIN 1.5 1.5 1.8 2.7 2.5 A / MS
MIN - - 0.9 2.0 -
-
-
-
MIN - -
2.6
60
摄氏度/ W
摄氏度/ W
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
热阻
结案件
热阻
结到环境
( 1 )最小I
GT
被guaranted在我5%
GT
马克斯。
(2)对任一极性的电极MT2的电压的参考电极的MT1 。
( 3 )第四季度的4象限三端双向可控硅
3象限三端双向可控硅Q3
( 4 )只有4象限三端双向可控硅
产品编号信息
F
FAGOR
TRIAC
当前
T
04
08
B
H
00
TU
包装
成型
电压
灵敏度
十二月 - 02
FT04...H
逻辑电平双向可控硅
图。 1 :最大功耗与
RMS通态柯伦(全循环) 。
P( W)的
5
4.5
4.0
4
3.5
3.0
3
2.5
2.0
1.5
1
IT ( RMS ) (A )
0
1
2
3
4
1.0
0.5
0
0
0
TC ( ℃)
25
50
75
100
125
图。 2 :通态电流与RMS的情况下
温度(全循环)。
IT ( RMS ) (A )
2
图。 3 :热相对变化
阻抗与脉冲持续时间。
K = [第Z / Rth的]
1E+0
第Z (J -C )
图。 4 :通态特性(最大
值)
ITM ( A)
100
TJ最大
1E-1
第i (J -a)的
10
TJ = 25℃
TJ最大
VTO = 0.85 V
RT = 35mΩ
1E-2
1E-3
TP (多个)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
图。 6 :不重复浪涌峰值通态
电流的正弦脉冲宽度
tp<10ms ,和第I对应的值
2
t.
我TSM (A ) ,我
2
T(A
2
s)
DL / DT限制
50A/s
VTM ( V)
图。 5 :浪涌峰值通态电流 -
周期数
我TSM ( A)
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
1000
周期数
重复
TC = 90 C
不重复
TJ初始= 25°C
t=20ms
一个周期
TJ初始= 25°C
100
ITSM
10
It
2
1
0.01
0.10
1.00
TP( ms)的
10.00
十二月 - 02
FT04...H
逻辑电平双向可控硅
图。 7 :门极触发的相对变化
当前,保持电流和闭锁与
结温度(典型值)的
IGT ,IH, IL [ TJ ] / IGT ,IH, IL 。 〔环境温度为25℃ ]
2.5
6
5
IGT
图。 8:爆击率的相对变化
减少主电流与结
温度
( di / dt的) C [ TJ ] / (DI / DC ) C [ TJ指定]
2.0
4
1.5
3
I
H
&I
L
1.0
2
0.5
1
0
0
25
50
75
100
125
TJ (OC)
TJ (OC)
0
-40 -20 0 20 40 60 80 100120140
包装机械数据
TO- 220AB (塑料)
尺寸
地壳板块
公称
3.75
13.00
10.00
0.61
1.23
4.40
0.49
2.40
2.40
6.20
3.75
15.80
2.65
1.14
1.14
14.00
10.40
0.88
1.32
4.60
0.70
2.72
2.70
6.60
3.85
16.80
2.95
1.70
1.70
B
c
b2
REF 。
A
a1
a2
B
b1
b2
C
c1
c2
e
F
I
I4
L
I2
I3
M
分钟。
15.20
马克斯。
15.90
L
F
I
A
14
a1
13
c2
12
a2
16.40
b1
e
M
c1
2.60
十二月 - 02
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    联系人:杨小姐
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    -
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原装正品
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联系人:朱先生
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20000
NA
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射频微波器件
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