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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第134页 > FT0408DI00TU
FT04...I
逻辑电平双向可控硅
IPAK
(塑胶)
通态电流
4安培
门极触发电流
& LT ;
5毫安到< 10毫安
断态电压
200 V ÷ 600 V
MT2
MT1
MT2
G
这一系列的
双向可控硅
使用高
性能PNPN技术。
这些部件被用于一般
目的应用逻辑
兼容的栅极灵敏度是必需的,像
触摸调光器,风机,电磁阀控制。
绝对最大额定值,根据IEC出版物第134号
符号
参数
RMS通态电流
不重复通态电流
不重复通态电流
熔断电流
栅极峰值电流
峰值功耗门
门耗散
通态电流临界上升率
工作温度
储存温度
焊接温度
条件
所有的导通角,T
c
= 110 C
半周期, 60赫兹
半周期, 50赫兹
t
p
= 10毫秒,半周期
20微秒最大。
20微秒最大。
20 ms以下。
I
G
= 2×我
GT
Tr
为100 ns , F = 120赫兹
T
j
= 125 C
分钟。
4
31
30
5.1
4
3
1
50
-40
-40
从案例4.5毫米, 10S最大。
+125
+150
260
马克斯。
单位
A
A
A
A
2
s
A
W
W
A / μs的
C
C
C
I
T( RMS )
I
TSM
I
TSM
I
2
t
I
GM
P
GM
P
G( AV )
的di / dt
T
j
T
英镑
T
SLD
符号
参数
重复峰值关闭状态
电压
B
200
电压
D
400
M
600
单位
V
V
DRM
V
RRM
七月 - 02
FT04...I
逻辑电平双向可控硅
电气特性
符号
参数
门极触发电流
条件
V
D
= 12 V
DC
, R
L
= 30, T
j
= 25 C
象限
Q1÷Q3
Q4
灵敏度
07
5
7
1
5
0.9
120
1.6
1.3
0.2
10
10
15
20
15
20
30
100
08
10
单位
mA
mA
A
V
m
V
V
V
mA
mA
V / μs的
I
GT
I
DRM
/I
RRM
V
to
R
d
V
TM
*
V
GT
V
GD
I
H
*
I
L
的dv / dt *
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
最大
最大
V
D
= V
DRM
,
T
j
= 125 C
断态泄漏电流
最大
V
R
= V
RRM
,
T
j
= 25 C
最大
T
j
= 125 C
阈值电压
最大
T
j
= 125 C
动态电阻
最大
I
T
= 5.5安培, TP = 380微秒,T
j
= 25 C
通态电压
最大
门极触发电压
V
D
= 12 V
DC
, R
L
= 30, T
j
= 25 C Q1 ÷ Q3 MAX
V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3KΩ ,T
j
= 125 C Q1 ÷ Q3 MIN
门不触发电压
保持电流
I
T
= 100毫安
,
门打开牛逼
j
= 25 C
最大
闭锁电流
I
G
= 1.2 I
GT
, T
j
= 25 C
Q1 , Q3 , Q4 MAX
Q2
最大
的电压上升V爆击率
D
= 0.67 x垂直
DRM
,门开
T
j
= 125 C
热阻
结案例交流
热阻
结到环境
2.6
100
摄氏度/ W
摄氏度/ W
(*)对于任一极性的电极MT2的电压的参考电极的MT1 。
产品编号信息
F
FAGOR
SCR
当前
T
04
07
B
I
00
TU
包装
成型
电压
灵敏度
七月 - 02
FT04...I
逻辑电平双向可控硅
图。 1 :最大RMS功率耗散
与RMS通态电流。
P( W)的
7
6
5
4
3
2
α
= 30
α
180
α
α
= 180
图。 2 :最大的相关性研究
RMS功耗和最大
允许温度(环境温度Tamb和T的情况)。
P( W)的
7
6
RTH (J -C )
t情况( C )
-75
-85
-95
-105
α
= 120
α
= 90
5
4
3
2
Rth的第(j-一)
α
= 60
1
0
0
1
2
3
4
IT ( RMS ) (A )
1
0
0
20
40
60
80
100 120 140
-115
环境温度Tamb -125 ( ℃)
图。 3 :通态电流与RMS的情况下
温度。
I T ( RMS ) (A )
1
图。 4 :热阻抗相对变化
结点到环境与脉冲持续时间。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.00
0.8
α
= 180
0.6
0.10
0.4
0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
TAMB (OC)
0.01
1E-3
TP (多个)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
图。 5 :门极触发电流的相对变化
和保持电流与结温。
IGT ( TJ )
IGT ( TJ = 25 °C)
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
TJ (OC)
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140
Ih
图。 6 :不重复浪涌峰值通态
电流对周期数。
我TSM ( A)
20
TJ初始= 25°C
伊和(TJ)
IH( TJ = 25 °C)
15
IGT
10
5
0
1
10
100
1000
周期数
七月 - 02
FT04...I
逻辑电平双向可控硅
图。 7 :不重复浪涌峰值通态
电流正弦脉冲宽度:
tp
10毫秒,而我相应的价值
2
t.
ITSM ( A) 。我
2
T(A
2
s)
100
TJ初始= 25°C
TJ初始
25 C
ITSM
图。 8 :通态特性(最大
值)。
ITM ( A)
100
10
10
1
余吨
2
TJ最大
TJ最大
VTO = 0.98 V
RT = 0.180Ω
1
1
10
TP( ms)的
0.1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
VTM ( V)
包装机械数据
8
±2
IPAK 251 -AA
尺寸
地壳板块
公称
2.3±0.08
1.067±0.01
0.75±0.1
0.95
0.8±0.013
6.1±0.1
6.58±0.14
5.36±0.1
2.28BSC
9.2±0.2
2±0.1
REF 。
A
1x0.15
E
L3
8
±2
8
±2
D1
D
H
8
L1
±2
c2
E1
8
±2
e
b
L
A
A1
b
b1
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L3
分钟。
2.19
0.89
0.64
0.76
0.46
5.97
5.21
6.35
5.21
8.89
1.91
0.89
马克斯。
2.38
1.14
0.89
1.14
0.58
6.22
5.52
6.73
5.46
9.65
2.28
1.27
b1
A1
c
标记:型号数量
重量: 0.2克
七月 - 02
FT04...I
逻辑电平双向可控硅
IPAK
(塑胶)
通态电流
4安培
门极触发电流
& LT ;
5毫安到< 10毫安
断态电压
200 V ÷ 600 V
MT2
MT1
MT2
G
这一系列的
双向可控硅
使用高
性能PNPN技术。
这些部件被用于一般
目的应用逻辑
兼容的栅极灵敏度是必需的,像
触摸调光器,风机,电磁阀控制。
绝对最大额定值,根据IEC出版物第134号
符号
参数
RMS通态电流
不重复通态电流
不重复通态电流
熔断电流
栅极峰值电流
峰值功耗门
门耗散
通态电流临界上升率
工作温度
储存温度
焊接温度
条件
所有的导通角,T
c
= 110 C
半周期, 60赫兹
半周期, 50赫兹
t
p
= 10毫秒,半周期
20微秒最大。
20微秒最大。
20 ms以下。
I
G
= 2×我
GT
Tr
为100 ns , F = 120赫兹
T
j
= 125 C
分钟。
4
31
30
5.1
4
3
1
50
-40
-40
从案例4.5毫米, 10S最大。
+125
+150
260
马克斯。
单位
A
A
A
A
2
s
A
W
W
A / μs的
C
C
C
I
T( RMS )
I
TSM
I
TSM
I
2
t
I
GM
P
GM
P
G( AV )
的di / dt
T
j
T
英镑
T
SLD
符号
参数
重复峰值关闭状态
电压
B
200
电压
D
400
M
600
单位
V
V
DRM
V
RRM
七月 - 02
FT04...I
逻辑电平双向可控硅
电气特性
符号
参数
门极触发电流
条件
V
D
= 12 V
DC
, R
L
= 30, T
j
= 25 C
象限
Q1÷Q3
Q4
灵敏度
07
5
7
1
5
0.9
120
1.6
1.3
0.2
10
10
15
20
15
20
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100
08
10
单位
mA
mA
A
V
m
V
V
V
mA
mA
V / μs的
I
GT
I
DRM
/I
RRM
V
to
R
d
V
TM
*
V
GT
V
GD
I
H
*
I
L
的dv / dt *
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
最大
最大
V
D
= V
DRM
,
T
j
= 125 C
断态泄漏电流
最大
V
R
= V
RRM
,
T
j
= 25 C
最大
T
j
= 125 C
阈值电压
最大
T
j
= 125 C
动态电阻
最大
I
T
= 5.5安培, TP = 380微秒,T
j
= 25 C
通态电压
最大
门极触发电压
V
D
= 12 V
DC
, R
L
= 30, T
j
= 25 C Q1 ÷ Q3 MAX
V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3KΩ ,T
j
= 125 C Q1 ÷ Q3 MIN
门不触发电压
保持电流
I
T
= 100毫安
,
门打开牛逼
j
= 25 C
最大
闭锁电流
I
G
= 1.2 I
GT
, T
j
= 25 C
Q1 , Q3 , Q4 MAX
Q2
最大
的电压上升V爆击率
D
= 0.67 x垂直
DRM
,门开
T
j
= 125 C
热阻
结案例交流
热阻
结到环境
2.6
100
摄氏度/ W
摄氏度/ W
(*)对于任一极性的电极MT2的电压的参考电极的MT1 。
产品编号信息
F
FAGOR
SCR
当前
T
04
07
B
I
00
TU
包装
成型
电压
灵敏度
七月 - 02
FT04...I
逻辑电平双向可控硅
图。 1 :最大RMS功率耗散
与RMS通态电流。
P( W)的
7
6
5
4
3
2
α
= 30
α
180
α
α
= 180
图。 2 :最大的相关性研究
RMS功耗和最大
允许温度(环境温度Tamb和T的情况)。
P( W)的
7
6
RTH (J -C )
t情况( C )
-75
-85
-95
-105
α
= 120
α
= 90
5
4
3
2
Rth的第(j-一)
α
= 60
1
0
0
1
2
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4
IT ( RMS ) (A )
1
0
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20
40
60
80
100 120 140
-115
环境温度Tamb -125 ( ℃)
图。 3 :通态电流与RMS的情况下
温度。
I T ( RMS ) (A )
1
图。 4 :热阻抗相对变化
结点到环境与脉冲持续时间。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.00
0.8
α
= 180
0.6
0.10
0.4
0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
TAMB (OC)
0.01
1E-3
TP (多个)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
图。 5 :门极触发电流的相对变化
和保持电流与结温。
IGT ( TJ )
IGT ( TJ = 25 °C)
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
TJ (OC)
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140
Ih
图。 6 :不重复浪涌峰值通态
电流对周期数。
我TSM ( A)
20
TJ初始= 25°C
伊和(TJ)
IH( TJ = 25 °C)
15
IGT
10
5
0
1
10
100
1000
周期数
七月 - 02
FT04...I
逻辑电平双向可控硅
图。 7 :不重复浪涌峰值通态
电流正弦脉冲宽度:
tp
10毫秒,而我相应的价值
2
t.
ITSM ( A) 。我
2
T(A
2
s)
100
TJ初始= 25°C
TJ初始
25 C
ITSM
图。 8 :通态特性(最大
值)。
ITM ( A)
100
10
10
1
余吨
2
TJ最大
TJ最大
VTO = 0.98 V
RT = 0.180Ω
1
1
10
TP( ms)的
0.1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
VTM ( V)
包装机械数据
8
±2
IPAK 251 -AA
尺寸
地壳板块
公称
2.3±0.08
1.067±0.01
0.75±0.1
0.95
0.8±0.013
6.1±0.1
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5.36±0.1
2.28BSC
9.2±0.2
2±0.1
REF 。
A
1x0.15
E
L3
8
±2
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H
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E1
8
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e
b
L
A
A1
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b1
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L3
分钟。
2.19
0.89
0.64
0.76
0.46
5.97
5.21
6.35
5.21
8.89
1.91
0.89
马克斯。
2.38
1.14
0.89
1.14
0.58
6.22
5.52
6.73
5.46
9.65
2.28
1.27
b1
A1
c
标记:型号数量
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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