FSYC9055D ， FSYC9055R
1999年7月
特点
总剂量
UCT
CT
ROD PRODU
P
E
ETE
SOL BSTITUT C9055R
OB SU
STY
IBLE 9055D ，女
S
POS STYC
F
抗辐射，抗SEGR
P沟道功率MOSFET
描述
哈里斯半导体分立产品运营
已开发出一系列抗辐射的MOSFET
具体来说专为商用和军用太空
应用程序。增强型功率MOSFET的抗单
事件效应（ SEE） ，单粒子栅穿（ SEGR ）在
具体而言，是结合100K RADS总剂量的硬的
内斯提供一种非常适合于苛刻的设备
空间环境。剂量率和中子公差
必要的军事应用还没有得到的牺牲网络土木工程署。
的耐SEGR辐射哈里斯组合硬化
包括MOSFET的N沟道和P沟道的设备
各种电压，电流和导通电阻的评分。 Numer-
OU的包装选项也可用。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
垂直DMOS （ VDMOS ）的科幻场效晶体管struc-
真实存在。它是专门设计和加工成辐射
宽容。 MOSFET被非常适合应用
暴露于辐射的环境中，如开关稳压
化，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器和
驱动高功率双极开关晶体管要求
高速和低栅极驱动电源。这种类型的可
直接从集成电路操作。
可靠性筛选可以作为任何商业，热力膨胀阀
MIL-S- 19500 ，或空间等效的等效
MIL -S - 19500 。联系哈里斯半导体的任何
从数据表中所需的偏差。
59A ， -60V ，R
DS （ ON）
= 0.027
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD （SI ）
单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
同
V
DS
高达80％的额定击穿和
V
GS
10V关偏置的
剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司（SI ） / s的80 ％ BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
DM
光电流
- 6nA每- RAD （SI ） / s的典型
中子
- 维持前期-Rad公司特定网络阳离子
对于3E13中子/平方厘米
2
- 可用来3E14Neutrons /厘米
2
g
[ /标题
（ FSYC
9055D,
FSYC
9055R)
/子
拍摄对象
（辐射
化
硬
ened ，
SEGR
电阻
TANT
P-
信
NEL
动力
MOSFET导
场效应管）
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
（辐射
化
硬
ened ，
SEGR
电阻
坦P-
信
NEL
动力
MOSFET导
场效应管）
/ Cre-
员（ ）
/ DOCI
订购信息
RAD LEVEL
10K
10K
100K
100K
100K
筛选LEVEL
广告
TXV
广告
TXV
空间
零件编号/ BRAND
FSYC9055D1
FSYC9055D3
FSYC9055R1
FSYC9055R3
FSYC9055R4
符号
D
以前作为类型TA17750 。
G
S
包
SMD-2
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1999年哈里斯公司
网络文件编号
4525.1
1
FSYC9055D ， FSYC9055R
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
FSYC9055D ， FSYC9055R
-60
-60
59
38
177
±20
162
65
1.30
177
59
177
-55到150
300
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W/
o
C
A
A
A
o
C
o
C
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩电流， L = 100μH ， （见测试图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
AS
连续源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
S
脉冲源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SM
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
（距离＆ GT ; 0.063in （ 1.6毫米）从表壳， 10秒最大）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
民
-60
-
-2.0
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至-20V
V
GS
= 0V至-12V
V
GS
= 0V至-2V
V
DD
= -30V,
I
D
= 59A
-
-
-
-
-
I
D
= 59A ，V
DS
= -15V
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.017
-
-
-
-
-
-
140
-
38
26
-6
6100
2200
300
-
最大
-
-7.0
-6.0
-
25
250
100
200
-1.79
0.027
0.043
55
35
85
35
280
160
17
49
38
-
-
-
-
0.77
单位
V
V
V
V
A
A
nA
nA
V
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极通态电压
漏极至源极导通电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极电荷，在12V
阈值的栅极电荷
栅极电荷源
门电荷泄漏
高原电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
DSS
I
GSS
V
DS （ ON）
r
DS(ON)12
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g(12)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
（高原）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
DS
= -48V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
V
GS
= -12V ，我
D
= 59A
I
D
= 38A,
V
GS
= -12V
V
DD
= -30V ，我
D
= 59A,
R
L
= 0.51, V
GS
= -12V,
R
GS
= 2.35
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 59A
I
SD
= 59A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-0.6
-
典型值
-
-
最大
-1.8
120
单位
V
ns
2
FSYC9055D ， FSYC9055R
电气连接特定阳离子高达100K RAD
参数
漏极至源极击穿电压
门源阈值电压
门到车身泄漏
零栅漏
漏极至源极导通状态电压
漏极至源极导通电阻
注意事项：
1.脉冲测试， 300μS最大。
2.绝对价值。
3.原位伽玛偏见必须被采样为V
GS
= -12V, V
DS
= 0V和V
GS
= 0V, V
DS
= 80％ BV
DSS
.
（注3）
（注3）
（注2,3）
（注3）
（注1,3）
（注1,3）
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS （ ON）
r
DS(ON)12
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0, V
DS
= -48V
V
GS
= -12V ，我
D
= 59A
V
GS
= -12V ，我
D
= 38A
民
-60
-2.0
-
-
-
-
最大
-
-6.0
100
25
-1.79
0.027
单位
V
V
nA
A
V
单粒子效应（ SEB ， SEGR ）
注4
环境
（注5 ）
离子
种
Ni
Br
Br
Br
I
I
I
I
I
注意事项：
4.测试在布鲁克海文国家实验室进行的;由海军水面作战中心（ NSWC ） ，起重机，IN赞助。
5.通量= 1E5离子/ cm
2
（典型值） ，T = 25
o
C.
6，不表现出单粒子烧毁（ SEB ）和单粒子栅穿（ SEGR ） 。
典型LET
（兆电子伏/毫克/平方厘米）
26
37
37
37
60
60
60
60
60
典型
范围（ μ ）
43
36
36
36
31
31
31
31
31
应用的
V
GS
BIAS
(V)
20
10
15
20
0
5
10
15
20
（注6 ）
最大
V
DS
BIAS
(V)
-60
-60
-48
-36
-60
-48
-36
-24
-12
TEST
单粒子效应安全工作
区域
符号
SEESOA
典型性能曲线
除非另有规定编
1-
2-
3-
-70
-60
-50
V
DS
(V)
-40
-30
-20
-10
TEMP = 25
o
C
0
0
5
10
15
V
GS
(V)
20
25
1E-7
-10
-30
-100
漏极电压（V）
-300
-1000
LET = 26MeV /毫克/平方厘米
2
，范围= 43μ
LET = 37MeV /毫克/平方厘米
2
，范围= 36μ
LET = 60MeV /毫克/平方厘米
2
，范围= 31
能量密度= 1E5离子/厘米
2
（典型值）
LIMITING电感（ HENRY ）
1E-3
1E-4
ILM = 10A
30A
1
1E-5
100A
300A
2
3
1E-6
图1.单粒子效应的安全工作区
图2.漏极电感REQUIRED在于限制
GAMMA DOT电流为I
AS
3
QQ：2881677436 复制
