FSYC260D,
FSYC260R
1998年7月
抗辐射，抗SEGR
N沟道功率MOSFET
描述
Intersil公司的分立产品经营已开发出
系列抗辐射的MOSFET具体来说的
专为商业和军事空间应用。
增强型功率MOSFET的抗单粒子效应
（ SEE） ，单粒子栅穿（ SEGR ） ，特别是
结合100K RADS总剂量的硬度，以提供
它非常适合于恶劣的太空环境的设备
求。剂量率和必要的中子宽容
军事上的应用还没有的牺牲网络土木工程署。
的耐SEGR辐射Intersil的产品组合硬化
包括MOSFET的N沟道和P沟道的设备
各种电压，电流和导通电阻的评分。
众多的包装选项也可用。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
垂直DMOS （ VDMOS ）的科幻场效晶体管struc-
真实存在。它是专门设计和加工成辐射
宽容。 MOSFET被非常适合应用
暴露于辐射的环境中，如开关稳压
化，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器和
驱动高功率双极开关晶体管要求
高速和低栅极驱动电源。这种类型的可
直接从集成电路操作。
可靠性筛选可以作为任何商业，热力膨胀阀
MIL-S- 19500 ，或空间等效的等效
MIL -S - 19500 。联系Intersil公司的任何期望偏差
从数据表。
特点
46A ， 200V ，R
DS （ ON）
= 0.050
总剂量
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD （SI ）
单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
同
V
DS
高达80％的额定击穿和
V
GS
10V关偏置的
剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司（SI ） / s的80 ％ BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
DM
光电流
- 17nA每- RAD （SI ） / s的典型
中子
- 维持前期-Rad公司特定网络阳离子
对于1E13中子/平方厘米
2
- 可用来1E14中子/平方厘米
2
订购信息
RAD LEVEL
10K
10K
100K
100K
100K
筛选LEVEL
广告
TXV
广告
TXV
空间
PART NO 。 / BRAND
FSYC260D1
FSYC260D3
FSYC260R1
FSYC260R3
FSYC260R4
符号
D
G
以前作为类型TA17667 。
S
包装
SMD-2
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4549
1
FSYC260D ， FSYC260R
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有
FSYC260D ， FSYC260R
200
200
46
29
138
±20
208
83
1.67
138
46
138
-55到150
300
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W/
o
C
A
A
A
o
C
o
C
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
上述25降额
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
单脉冲雪崩电流， L = 100μH ， （见测试图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
AS
连续源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
S
脉冲源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SM
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
（距离＆ GT ; 0.063in （ 1.6毫米）从表壳， 10秒最大）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
民
200
-
1.5
0.5
-
-
-
-
-
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至12V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 100V,
I
D
= 46A
-
-
-
-
-
I
D
= 46A ，V
DS
= 15V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.042
-
-
-
-
-
-
160
-
29
84
8
4200
890
285
-
最大
-
5.0
4.0
-
25
250
100
200
2.42
0.050
0.087
45
160
100
25
270
180
8.6
41
94
-
-
-
-
0.6
单位
V
V
V
V
A
A
nA
nA
V
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
o
C / W
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 160V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
门源漏电流
I
GSS
漏极至源极通态电压
抗性
V
DS （ ON）
r
DS(ON)12
V
GS
= 12V，我
D
= 46A
I
D
= 29A,
V
GS
= 12V
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极电荷，在12V
阈值的栅极电荷
栅极电荷源
门电荷泄漏
高原电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g(12)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
（高原）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
DD
= 100V ，我
D
= 46A,
R
L
= 2.17, V
GS
= 12V,
R
GS
= 2.35
2
FSYC260D ， FSYC260R
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 46A
I
SD
= 46A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
（注3）
（注3）
（注2,3）
（注3）
（注1,3）
（注1,3）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS （ ON）
r
DS(ON)12
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0, V
DS
= 160V
V
GS
= 12V，我
D
= 46A
V
GS
= 12V，我
D
= 29A
民
200
1.5
-
-
-
-
最大
-
4.0
100
25
2.42
0.050
单位
V
V
nA
A
V
民
0.6
-
典型值
-
-
最大
1.8
690
单位
V
ns
电气连接特定阳离子高达100K RAD
参数
漏极至源极击穿电压
门源阈值电压
门体漏
零栅漏
漏极至源极导通状态电压
漏极至源极导通电阻
注意事项：
1.脉冲测试， 300μS最大。
2.绝对价值。
3.原位伽玛偏见必须被采样为V
GS
= 12V, V
DS
= 0V和V
GS
= 0V, V
DS
= 80％ BV
DSS
.
单粒子效应（ SEB ， SEGR ）
注4
环境
（注5 ）
离子
种
Ni
Br
Br
Br
Br
注意事项：
4.测试在布鲁克海文国家实验室进行的;由海军水面作战中心（ NSWC ） ，起重机，IN赞助。
5.通量= 1E5离子/ cm
2
（典型值） ，T = 25
o
C.
6，不表现出单粒子烧毁（ SEB ）和单粒子栅穿（ SEGR ） 。
典型LET
（兆电子伏/毫克/平方厘米）
26
37
37
37
37
典型
范围（ μ ）
43
36
36
36
36
应用的
V
GS
BIAS
(V)
-20
-5
-10
-15
-20
（注6 ）
最大
V
DS
BIAS
(V)
200
200
160
100
40
TEST
单粒子效应安全工作
区域
符号
SEESOA
典型性能曲线
除非另有规定编
LET = 26MeV /毫克/平方厘米
2
，范围= 43μ
LET = 37MeV /毫克/平方厘米
2
，范围= 36μ
能量密度= 1E5离子/厘米
2
（典型值）
200
160
120
LIMITING电感（ HENRY ）
1E-3
1E-4
ILM = 10A
30A
1E-5
100A
300A
1E-6
V
DS
(V)
80
40
0
0
TEMP = 25
o
C
-5
-10
-15
V
GS
(V)
-20
-25
1E-7
10
30
100
漏极电压（V）
300
1000
图1.单粒子效应的安全工作区
图2.漏极电感REQUIRED在于限制
GAMMA DOT电流为I
AS
3
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