FSX017X
砷化镓场效应管& HEMT芯片
特点
中等输出功率： P1dB=21.5dBm(Typ.)@8.0GHz
高功率增益： G1dB=11dB(Typ.)@8.0GHz
经过验证的可靠性
漏
描述
该FSX017X是通用砷化镓场效应管专为中
电源应用高达12GHz的。这些器件具有宽的动态
范围和适用于中等功率，宽频带，线性驱动器使用
放大器或振荡器。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
P合计
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
来源
来源
门
等级
12
-5
1.0
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏 - 源极的工作电压（ VDS ）不得超过8伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.7和-0.1毫安分别与
2000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
噪声系数
相关的增益
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
NF
气
测试条件
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， IDS = 27毫安
VDS = 3V ， IDS = 2.7毫安
IGS = -2.7μA
VDS = 3V ， IDS = 10毫安
F = 8GHz的
分钟。
35
-
-0.7
-5.0
-
-
极限
典型值。马克斯。
55
75
50
-1.2
-
2.5
10.5
21.5
21.5
20.5
15.0
11.0
7.5
120
-
-1.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
° C / W
输出功率1分贝G.C.P.
P1dB
F = 4GHz的
-
VDS = 8V ，
F = 8GHz的20.5
IDS = 0.7 IDSS
F = 12GHz的
-
F = 4GHz的
-
VDS = 8V ，
F = 8GHz的10.0
IDS = 0.7 IDSS
F = 12GHz的
-
渠道情况
-
功率增益为1分贝G.C.P.
热阻
G1dB
RTH
注意：
RF参数的样本量10件。标准（接受/拒绝） = （2/3）
该芯片必须用最佳的性能和可靠性的密封环境。
G.C.P ：增益压缩点
1.2版
1999年7月
1
FSX017X
砷化镓场效应管& HEMT芯片
S-参数
VDS = 8V ， IDS = 35毫安
频率
（兆赫）
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
17000
18000
19000
20000
S11
MAG
.989
.960
.925
.890
.860
.833
.814
.799
.788
.780
.773
.768
.762
.759
.759
.759
.764
.766
.771
.778
S21
昂
-24.0
-46.5
-66.6
-84.0
-99.0
-111.8
-122.6
-132.1
-140.6
-148.1
-154.7
-160.9
-166.3
-171.4
-176.0
179.6
175.6
171.6
167.7
164.1
S12
昂
162.3
145.7
130.9
117.7
106.3
95.9
86.5
78.2
70.2
62.8
55.5
48.7
42.5
36.4
29.7
25.1
18.1
12.7
7.5
1.2
S22
昂
76.7
65.4
55.1
46.0
38.6
32.5
27.4
23.2
18.6
15.1
12.0
9.1
5.9
2.6
2.1
-.2
-3.1
-3.6
-6.6
-10.1
MAG
4.538
4.260
3.890
3.493
3.132
2.814
2.525
2.294
2.095
1.931
1.782
1.646
1.536
1.442
1.343
1.269
1.215
1.137
1.087
1.042
MAG
.013
.025
.035
.042
.048
.052
.054
.057
.060
.061
.063
.064
.065
.065
.065
.068
.066
.069
.071
.070
MAG
.837
.820
.801
.782
.764
.751
.740
.733
.726
.720
.716
.710
.704
.702
.699
.699
.697
.695
.694
.691
昂
-6.1
-11.9
-16.9
-21.6
-25.9
-29.9
-33.8
-37.8
-41.7
-45.7
-49.7
-53.6
-57.6
-61.4
-65.4
-69.5
-73.4
-77.7
-81.8
-85.4
注意： *
该数据包括键合线。
N：导线数量
门N = 1 （长0.1mm ，直径为25μm金线）
漏n = 1 （长0.1mm ，直径25μm的金线）
来源N = 4 （ 0.2毫米长， 25微米直径金线）
下载S参数，请点击这里
3
FSX017X
砷化镓场效应管& HEMT芯片
芯片大纲
420±20
100
（单位：
m)
漏
100
200
来源
来源
门
100
100
100
模具厚度： 100 ± 20μm的
欲了解更多信息，请联系：
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通微电子欧洲公司，有限公司
量子器件事业部
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
100
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要将这些产品放入口中。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
1998富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0598M200
4
450±20
QQ：2881677436 复制
